太陽(yáng)能電池工藝ppt課件-文庫(kù)吧資料
2025-05-09 22:05本頁(yè)面
【正文】 若氫氟酸過(guò)量，反應(yīng)生成的四氟化硅會(huì)進(jìn)一步與氫氟酸反 應(yīng)生成可溶性的絡(luò)和物六氟硅酸。 在半導(dǎo)體生產(chǎn)清洗和腐蝕工藝中，主要就利用氫氟酸的這 一特性來(lái)去除硅片表面的二氧化硅層。 它們的離子以及CF,C F ,CF,CFCF 23e4 ? ?? 氫氟酸是無(wú)色透明的液體，具有較弱的酸性、易揮發(fā)性和 很強(qiáng)的腐蝕性。 其次，這些活性粒子由于擴(kuò)散或者在電場(chǎng)作用下到達(dá) SiO2表 面，并在表面上發(fā)生化學(xué)反應(yīng)。（這是各向同性反應(yīng)） 這種腐蝕方法也叫做干法腐蝕。 等離子體刻蝕原理 等離子體刻蝕是采用高頻輝光放電反應(yīng)，使反應(yīng)氣體激 活成活性粒子，如原子或游離基，這些活性粒子擴(kuò)散到需刻 蝕的部位，在那里與被刻蝕材料進(jìn)行反應(yīng)，形成揮發(fā)性生成 物而被去除。 ????? ??? 25225 10C lO2P5O4P C l 2過(guò) 量O 在有氧氣的存在時(shí)， POCl3熱分解的反應(yīng)式為： POCl3分解產(chǎn)生的 P2O5淀積在硅片表面， P2O5與硅反應(yīng) 生成 SiO2和磷原子，并在硅片表面形成一層磷 硅玻 璃，然后磷原子再向硅中進(jìn)行擴(kuò)散 。 POCl3在高溫下（ 600℃ ）分解生成五氯化磷（ PCl5）和 五氧化二磷（ P2O5），其反應(yīng)式如下 ： 生成的 P2O5在擴(kuò)散溫度下與硅反應(yīng)，生成二氧化硅 （ SiO2）和磷原子，其反應(yīng)式如下： ???? 4P5S iO5S iO2P2525253 OP3P C l5P O C lC600 ??? ?? ?? 由上面反應(yīng)式可以看出， POCl3熱分解時(shí)，如果沒(méi)有外來(lái) 的氧（ O2）參與其分解是不充分的，生成的 PCl5是不易分 解的，并且對(duì)硅有腐蝕作用，破壞硅片的表面狀態(tài)。只有當(dāng)擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)與漂移運(yùn)動(dòng)達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡時(shí)，空間電荷區(qū)的寬度和 內(nèi)建電場(chǎng)才能穩(wěn)定。 綜上所述， PN結(jié)中存在著兩種載流子的運(yùn)動(dòng)。 在空間電荷區(qū)產(chǎn)生后，由于正負(fù)電荷的作用，在空間電荷區(qū)中形成一個(gè)電場(chǎng)，其方向從帶正電的 N區(qū)指向帶負(fù)電的 P區(qū)，該電場(chǎng)是由載流子擴(kuò)散后在半導(dǎo)體內(nèi)部形成的，故稱(chēng)為內(nèi)電場(chǎng)。 電子和空穴帶有相反的電荷，在擴(kuò)散過(guò)程中要產(chǎn)生復(fù)合（中和），結(jié)果使 P區(qū)和 N區(qū)中的電中性被破壞。有很多種方法制備太陽(yáng)電池的 PN結(jié)，比如三氯氧磷液態(tài)源擴(kuò)散法， 噴涂磷酸水溶液后鏈?zhǔn)綌U(kuò)散法，絲網(wǎng)印刷磷漿料后鏈?zhǔn)綌U(kuò)散法，而 我們使用的是液態(tài)源熱擴(kuò)散法。
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