某公司工作總結(jié)報(bào)告(ppt30頁)-文庫吧資料
2025-01-09 23:43本頁面
【正文】 伴隨的參數(shù)變化 數(shù)值孔徑 分辨率 套準(zhǔn)精度 NA 分步重復(fù) － 步進(jìn)掃描 分步重復(fù)光刻機(jī) 步進(jìn)掃描 Resolution（微米） 分步 － 步進(jìn)掃描 － 套準(zhǔn)精度 從小于 70納米到小于 45納米 影響光刻機(jī)的一些因素 ?溫度：溫度對(duì)掩模版臺(tái)、光學(xué)元件、承片臺(tái)和對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)產(chǎn)生影響?？梢詼p小失真，能夠在硅片表面形成高分辨率的圖形。 二十世紀(jì) 70年代主要光刻手段。工作總結(jié)報(bào)告 Contents Resolution limit AND DOF 2 工藝問題處理 4 光刻機(jī)的發(fā)展 3 1RETMAN程序設(shè)計(jì) 3 光 刻 機(jī) 的 發(fā) 展 ?一 .光刻機(jī)的發(fā)展主要從二十世紀(jì) 70年代到現(xiàn)在，從早期的線寬5微米以上到現(xiàn)在的亞微米尺寸，從汞燈光源到 KrF等，按曝光方式大致將光刻機(jī)分為五代。 五 代 光 刻 機(jī) Future 步進(jìn)重復(fù)光刻機(jī) 分步重復(fù)光刻機(jī) 掃描投影光刻機(jī) 接觸式光刻機(jī) 接近式光刻機(jī) 因?yàn)榻佑|容易污染，每 5到 25次需要更換掩模版。采用紫外光 UV光曝光。 接觸式光刻機(jī) 光 刻 機(jī) 的 發(fā) 展 光 刻 機(jī) 的 發(fā) 展 工作能力下降 減小了分辨能 力，獲得小的 關(guān)鍵尺寸成問 題 接近式光刻機(jī) 緩解了沾污問 題。所以高溫照明系統(tǒng)和電源通常放在遠(yuǎn)離設(shè)備主體的地方。 ?振動(dòng)：振動(dòng)的發(fā)生將給定位、對(duì)準(zhǔn)、聚焦和曝光帶來問題。 ?大氣壓力：大氣壓力的變化可能影響投影光學(xué)系統(tǒng)中空氣的折射率。 Resolution limit AND DOF ?一 .Resolution Limit 定義為清晰分辨出硅片上間隔很近的特征圖形的能力。 描述焦深的方程式是： K2的數(shù)值范圍在 FOCUS AND DOF RETMAN PROGRAM 三 .RETMAN Program Design The Reticle manager software progr
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