數(shù)字電子技術(shù)3-文庫(kù)吧資料
2025-01-05 15:59本頁(yè)面
【正文】 倒相級(jí) 輸出級(jí)稱(chēng)為 推拉式電路 或 圖騰柱輸出電路一、 TTL反相器的電路結(jié)構(gòu)和工作原理（ ）時(shí)三個(gè) PN結(jié)導(dǎo)通需 不足以讓T T5導(dǎo)通T T5截止（ ）時(shí)vovo=5－ vR2－ vbe4－ vD2≈ 輸出 高電平（ ）時(shí)電位被嵌在 全導(dǎo)通 vB1=VIH+VON=發(fā)射結(jié)反偏?1V截止T T5飽和導(dǎo)通（ ）時(shí)vo =VCE5≈ 輸出低電平 可見(jiàn)，無(wú)論輸入如何， T4和 T5總是一管導(dǎo)通而另一管截止。加入－ VEE的目的是確保即使輸入低電平信號(hào)稍大于零時(shí)，也能使三極管基極為負(fù)電位，從而使三極管 可靠截止，輸出為高電平。 關(guān)閉時(shí)間 toff=ts+tf就是存儲(chǔ)電荷消散的時(shí)間 因?yàn)?ic=0，所以輸出電壓：uo=VCC=5V 截止?fàn)顟B(tài)ui=UIL uo=+VCC+VCC＋－Rb Rcb ce＋－③ ui＝ 3V時(shí)，三極管導(dǎo)通，基極電流：uo＝ UCES＝ 三極管飽和飽和狀態(tài)iB≥IBSui=UIH uo=＋－Rb Rc+VCCb ce＋－＋ ＋－ － 四、雙極型三極管的開(kāi)關(guān)等效電路 開(kāi)關(guān)等效電路(1) 截止?fàn)顟B(tài) 條件：發(fā)射結(jié)反偏特點(diǎn)：電流約為 0 (2)飽和狀態(tài)條件：發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)正偏特點(diǎn)： UBES=， UCES= 三極管開(kāi)關(guān)等效電路(a) 截止時(shí) (b) 飽和時(shí)uituot+Vcc 五、雙極型三極管的動(dòng)態(tài)開(kāi)關(guān)特性 BJT的開(kāi)關(guān)時(shí)間： 是指 BJT管由 截止到飽和 導(dǎo)通 或者由 飽和導(dǎo)通到截止 所需要的時(shí)間。 雙極型三極管的開(kāi)關(guān)特性一、雙極型三極管的結(jié)構(gòu) BECNNP基極 發(fā)射極集電極BECNPN型三極管PNP集電極 基極 發(fā)射極 BCEBECPNP型三極管二、雙極型三極管的輸入特性和輸出特性 IC(mA )1234UCE(V)3 6 9 12IB=020?A40?A60?A80?A100?AIB(?A)UBE(V)20406080 輸入特性曲線 輸出特性曲線開(kāi)啟電壓飽和區(qū)截止區(qū)放大區(qū)三、雙極型三極管的基本開(kāi)關(guān)電路 在數(shù)字電路中，三極管作為開(kāi)關(guān)元件，主要工作在 飽和和 截止 兩種開(kāi)關(guān)狀態(tài)，放大區(qū)只是極短暫的過(guò)渡狀態(tài)。對(duì)多余的輸入端，可以按功能要求接電源或接地，或者與其它輸入端并聯(lián)使用。2．多余的輸入端不能懸空。為避免靜電損壞，應(yīng)注意以下幾點(diǎn)： CMOS電路的正確使用 （ 1）所有與 CMOS電路直接接觸的工具、儀表等必須可靠接地。但是，這種保護(hù)還是有限的。3. 扇出系數(shù)大，噪聲容限大。 CMOS電路的特點(diǎn) CMOS電路的優(yōu)點(diǎn)1. 靜態(tài)功耗小?！潆p向模擬開(kāi)關(guān) , G4輸出高電平， G5輸出低電平， T T2 同時(shí)截止，輸出呈 高阻態(tài) ；四、三態(tài)門(mén) A YEN ′邏輯符號(hào)1 0 110A YEN ′邏輯符號(hào)0 10111 0若 A=1，則 G G5輸出均為高電平， T1截止、 T2導(dǎo)通， Y=0；若 A=0，則 G G5輸出均為低電平， T1導(dǎo)通、 T2截止， Y=1；000 1A YEN ′A YEN低電平有效高電平有效三態(tài)門(mén)有三種狀態(tài) :高電平、低電平、高阻態(tài)。TG1TG2ABYA=0、 B=0時(shí)， TG2截止， TG1導(dǎo)通， Y=B =0。TG1TG2ABYA= B=0時(shí)， TG1截止， TG2導(dǎo)通， Y=B =1。① C＝ 0、 ，即 C 端為低電平（ 0V）、 端為高電平（＋ VDD）時(shí)， T1和 T2都不具備開(kāi)啟條件而截止，輸入和輸出之間相當(dāng)于開(kāi)關(guān)斷開(kāi)一樣，呈高阻態(tài)。VIHVILVILVDDRLVOLm′個(gè)IOL IIL例 m′是負(fù)載門(mén)電路低電平輸入電流的數(shù)目。需加一上拉電阻AB YOD輸出與非門(mén)的邏輯符號(hào)及函數(shù)式OD門(mén)輸出端可直接連接實(shí)現(xiàn)線與。電壓傳輸特性的轉(zhuǎn)折區(qū)也變得更陡。167。 動(dòng)態(tài)功耗包括：負(fù)載電容充放電所消耗的功率 PC和PMOS、 NMOS同時(shí)導(dǎo)通所消耗的瞬時(shí)導(dǎo)通功耗 PT。 CMOS反相器的動(dòng)態(tài)特性 一、傳輸延遲時(shí)間 tviotvoo50%50%tpdHL tpdLH平均傳輸時(shí)間二、交流噪聲容限 噪聲電壓作用時(shí)間越短、電源電壓越高，交流噪聲容限越大。注意： 由于門(mén)電路輸入端的絕緣層使輸入的阻抗極高，若有靜電感應(yīng)會(huì)在懸空的輸入端產(chǎn)生不定的電位，故CMOS門(mén)電路的輸入端不允許懸空 。 (因?yàn)?CMOS門(mén)電路的 GS間有一層絕緣的 SiO2薄層。vI+(mA)167。 測(cè)試表明： CMOS電路噪聲容限VNH=VNL＝ 30％ VDD，且隨 VDD的增加而加大。輸入高電平時(shí)噪聲容限：三、輸入端噪聲容限 噪聲容限－－衡量門(mén)電路的 抗干擾能力。二、電壓傳輸特性和電流傳輸特性 電壓傳輸特性
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