材料科學(xué)基礎(chǔ)之材料的凝固-文庫吧資料
2025-01-04 21:10本頁面
【正文】 微觀光滑、宏觀粗糙－無機(jī)化合物或亞金屬材料的界面）3 晶體生長(zhǎng)方式第三章第四節(jié)晶核長(zhǎng)大粗糙界面（微觀粗糙、宏觀平整－金屬或合金材料的界面）：?（微觀粗糙、宏觀平整－金屬或合金材料的界面）。?（ 3）合適的晶核表面結(jié)構(gòu)第四節(jié) 晶核的長(zhǎng)大 第三章第四節(jié)晶核長(zhǎng)大2（ 2）足夠的溫度（是材料凝固的必要條件）（ 1）動(dòng)態(tài)過冷晶核長(zhǎng)大的條件? 晶體生長(zhǎng)的方式和形態(tài)取決于液相中的原子轉(zhuǎn)移到晶體表面的方式，它與液 ? 固界面的微觀結(jié)構(gòu)和界面前沿液相中的溫度分布有關(guān)。一般地，把液一固界面向液相移動(dòng)時(shí)所需的過冷度稱為動(dòng)態(tài)過冷度。外來物質(zhì)表面形貌：表面下凹有利第四節(jié) 晶核的生長(zhǎng)? 晶體（或晶核）生長(zhǎng) ：就是液相中的原子向晶體表面轉(zhuǎn)移的過程，即液 ? 固界面向液相移動(dòng)的過程。點(diǎn)陣常數(shù)相近。外來物質(zhì)表面結(jié)構(gòu)： θ越小越有利。a（ 4）影響非均勻形核的因素非均勻形核雜質(zhì)不起作用。雜質(zhì)促進(jìn)形核；180θ0時(shí) ,θ=0時(shí)， △ Gk非 ＝ 0，雜質(zhì)本身即為晶核；△ Gk非 /△ Gk=(23cosθ+cos3θ)/4σlw=σsw+σslcosθ非均勻形核underusedaLearning?Learning,ofa2023（ 2）自由能變化：表達(dá)式與均勻形核類似。（ 1）模型：外來物質(zhì)為一平面，固相晶胚為一球冠。第三節(jié) 晶核的形成 第三章第二節(jié)結(jié)晶條件2形成臨界晶核需要的能量稱為臨界晶核形核功 rcΔT時(shí)，晶胚的長(zhǎng)大使系統(tǒng)自由能降低，這樣的晶胚稱為 臨界晶核 ， rc為臨界晶核半徑 。rrc時(shí)，晶胚的長(zhǎng)大使系統(tǒng)自由能增加，晶胚不能長(zhǎng)大。.當(dāng) 在過冷的液態(tài)金屬中，晶胚形成的同時(shí)，體系自由能的變化包括轉(zhuǎn)變?yōu)楣虘B(tài)的那部分體積引起的自由能下降和形成晶胚新表面引起的自由能的增加。形核方式有兩種：一種是均勻形核，即新相晶核在母相內(nèi)自發(fā)地形成；另一種是非均勻形核，即新相晶核在母相與外來夾雜的相界面處優(yōu)先形成。晶核的形成其中由一個(gè)小晶核生成的晶粒稱為單晶體。每個(gè)晶核長(zhǎng)大至相互接觸后，形成外形不規(guī)則的小晶體叫做晶粒，由多個(gè)這樣的小晶粒則組成了多晶體。 液態(tài)金屬的結(jié)晶過程是一個(gè)形核及核長(zhǎng)大的過程。純金屬的結(jié)晶過程 晶粒之間的分界面為晶粒的邊界，簡(jiǎn)稱晶界。材料的凝固過程包括晶核的形成和晶核生長(zhǎng)兩個(gè)基本過程。? ?T最大過冷度。過冷現(xiàn)象? 液態(tài)材料冷卻到 Tm之下的某一溫度 Tn時(shí)開始凝固，過程開始后，由于釋放出結(jié)晶潛熱而使溫度回升到略低于 Tm的溫度。從冷卻曲線可見，純金屬的實(shí)際結(jié)晶溫度(Tn)低于理論結(jié)晶溫度 (Tm),即結(jié)晶過程是在存在 ΔT(ΔT=TmTn)的條件下
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