材料科學(xué)基礎(chǔ)之材料的凝固(存儲版)
【正文】 3Learning,used第四節(jié) 晶核的長大 第三章第四節(jié)晶核長大32023under/N可見當(dāng) 晶胚的最大尺寸隨過冷度增大而增大，臨界晶核半徑、晶胚尺寸與過冷度的關(guān)系金屬的結(jié)晶傾向很大，液體金屬不易達(dá)到很大的過冷度， /? 藉螺型位錯生長方式的平均長大速率可表示為，? 其中 v3為比例常數(shù)。增大過冷度 ? （ 2）加入形核劑 采用上述物理方法對晶粒的細(xì)化作用主要是通過兩個方面來實(shí)現(xiàn)的：由于能量的輸入使液相的形核率提高；振動或攪拌使生長的晶體破碎，從而提供更多的結(jié)晶核心。但利用提高冷卻速度增大過冷度來細(xì)化晶粒往往只適用于小件和薄件，對大件就難以辦到。晶體的長大速率? 對于二維形核生長方式而言，晶體的生長是不連續(xù)的，相應(yīng)的平均長大速率可表示為，? 其中 v2和 b均為常數(shù)。晶體的長大速率? 晶體的長大速度 vg主要取決于晶體的生長方式和過冷度。Δ TΔ Gc是形核功， Δ GA是擴(kuò)散激活能 減小，有利于形核；另一方面隨過冷度增大，原子從液相向晶胚擴(kuò)散的速率降低，不利于形核。s）。usedLearning,）aof（ 1）正溫度梯度（液體中距液固界面越遠(yuǎn)，溫度越高 dT/dz0）藉螺位錯生長第四節(jié) 晶核的長大 第三章第四節(jié)晶核長大3（微觀光滑、宏觀粗糙－無機(jī)化合物或亞金屬材料的界面）3 晶體生長方式第三章第四節(jié)晶核長大粗糙界面（微觀粗糙、宏觀平整－金屬或合金材料的界面）：（ 3）合適的晶核表面結(jié)構(gòu)第四節(jié) 晶核的長大 第三章第四節(jié)晶核長大2（是材料凝固的必要條件）? 晶體生長的方式和形態(tài)取決于液相中的原子轉(zhuǎn)移到晶體表面的方式，它與液 ? 固界面的微觀結(jié)構(gòu)和界面前沿液相中的溫度分布有關(guān)。外來物質(zhì)表面結(jié)構(gòu)： θ越小越有利。非均勻形核非均勻形核Learning?a第三節(jié) 晶核的形成 第三章第二節(jié)結(jié)晶條件2rrc其中由一個小晶核生成的晶粒稱為單晶體。過冷現(xiàn)象? 液態(tài)材料冷卻到 Tm之下的某一溫度 Tn時開始凝固，過程開始后，由于釋放出結(jié)晶潛熱而使溫度回升到略低于 Tm的溫度。晶胚在液相中各微小區(qū)域內(nèi)此起彼伏的現(xiàn)象稱為 “結(jié)構(gòu)起伏 ”。液體中原子的配位數(shù)比密排結(jié)構(gòu)的固體的配位數(shù)減少，通常在 8~11范圍內(nèi)?！〉谒恼? 材料的凝固下一節(jié) 液體中原子間的平均距離比固體中略大； (2)在一定條件下，大于一定尺寸的晶胚就可能成為 晶核 。第二節(jié) 晶核按其原子規(guī)則排列的各自取向長大，與此同時另一批新的晶核又開始形成和長大，上述過程一直延續(xù)到液體
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