【正文】 陷，其缺陷反應(yīng)式如下：CaCl2++2ClClCaCl2中Ca2+進入到KCl間隙中而形成點缺陷的反應(yīng)式為：CaCl2+2 +2ClCl，所謂位置平衡、電中性、質(zhì)量平衡是指什么？解：位置平衡是指在化合物MaXb中，M格點數(shù)與X格點數(shù)保持正確的比例關(guān)系，即M：X=a：b。解：根據(jù)熱缺陷濃度公式：exp（－）由題意 △G=84KJ/mol=84000J/mol則 exp（）其中R=（b）求其缺陷濃度表達式。 表41 刃型位錯和螺型位錯的異同點　刃型位錯螺型位錯與柏格斯矢量的位置關(guān)系柏格斯矢量與刃性位錯線垂直柏格斯矢量與螺型位錯線平行位錯分類刃性位錯有正負之分螺形位錯分為左旋和右旋位錯是否引起晶體畸變和形成應(yīng)力場引起晶體畸變和形成應(yīng)力場，且離位錯線越遠，晶格畸變越小引起晶體畸變和形成應(yīng)力場，且離位錯線越遠，晶格畸變越小位錯類型只有幾個原子間距的線缺陷只有幾個原子間距的線缺陷第五章 固溶體習題與解答。離子的電價因素只有離子價相同或復(fù)合替代離子價總和相同時，才可能形成連續(xù)置換型固溶體。（a）判斷方程的合理性。因而間隙型缺陷在離子晶體中（除螢石型）較少見。、Al2O3和Cr2O3，其正、。(a) Al3+為間隙離子， (b) Al3+為置換離子。 62 簡述影響熔體粘度的因素？ 答：影響熔體粘度的主要因素：溫度和熔體的組成。 ⑵單鍵強：單鍵強即為各種化合物分解能與該種化合物配位數(shù)的商。它們的結(jié)構(gòu)有什么不同？ 答：利用X—射線檢測。 解：該玻璃的平均分子量 GM=62+56+= 在1197。由于Si—O—Si鍵角變動范圍大，使石英玻璃中[SiO4]四面體排列成無規(guī)則網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)。 610 解釋硼酸鹽玻璃的硼反?，F(xiàn)象？ 答：硼反?，F(xiàn)象：隨著Na2O（R2O）含量的增加，橋氧數(shù)增大，熱膨脹系數(shù)逐漸下降。 ⑴ 求Si3N4的表面張力。 方法如下：加入一些金屬降低γSL。 物理吸附：由分子間引力引起的，這時吸附物分子與吸附劑晶格可看作是兩個分立的系統(tǒng)。 200197。泥漿的觸變性是泥漿靜止不動時似凝固體，一經(jīng)擾動或搖動，凝固的泥漿又重新獲得流動性。88 為使非黏土瘠性材料呈現(xiàn)可朔性而解決制品成型得其進行朔化。 H。298+1/2△c（298）2=+=因為當△G。T=△H。+△aT+1/2△bT2△c/T =+=　5．計算固體在2000K下是否具有顯著的揮發(fā)？在2000K時，可能出現(xiàn)如下四種情況： 　答案：按第種情況顯著揮發(fā)提示：可采用熱力學勢函數(shù)法求得2000K時，各反應(yīng)式的和平衡常數(shù)K進行比較。雙升點：處于交叉位的單轉(zhuǎn)熔點。如果加熱速度過快，則a －石英過熱而在1600℃時熔融。雖然它是介穩(wěn)態(tài)，由于粘度很大在常溫下可以長期不變。故選擇Na2O能與SiO2在800℃的低溫下形成均一的二元氧化物玻璃。 （α＋β）共生體，而α相總量占晶相總量的50%。x=％y=％z=％由此可確定C、D、E三點的位置，從而繪出其草圖。組成點n在SC連線上，請分析它的析晶路程。( 注：S、E 在一條直線上)。6SiO2）39%，脫水高嶺土（Al2O3　11. 一個陶瓷配方，含長石（K2O S3＋S4H為單轉(zhuǎn)熔點：L＋S4174?！?. 圖〔1024（e）〕是具有雙降升點的生成一個不一致熔融三元化合物的三元相圖。 試根據(jù)下列實驗數(shù)據(jù)繪制相圖的大致形狀：A的熔點為1000℃，B的熔點為700℃。　3. SiO2具有很高的熔點，硅酸鹽玻璃的熔制溫度也很高。當緩慢冷卻時，在1470℃時可逆地轉(zhuǎn)變?yōu)閍 －鱗石英；當迅速冷卻時，沿虛 線過冷，在180～270℃轉(zhuǎn)變?yōu)榻榉€(wěn)狀態(tài)的b －方石英；當加熱b －方石英仍在180～270℃迅速轉(zhuǎn)變?yōu)榉€(wěn)定狀態(tài)的a －方石英。重心規(guī)則：如無變點處于其相應(yīng)副三角形的重心位，則該無變點為低共熔點：如無變點處于其相應(yīng)副三角形的交叉位，則該無變點為單轉(zhuǎn)熔點；如無變點處于其相應(yīng)副三角形的共軛位，則該無變點為雙轉(zhuǎn)熔點。介穩(wěn)平衡：即熱力學非平衡態(tài)，能量處于較高狀態(tài)，經(jīng)常出現(xiàn)于硅酸鹽系統(tǒng)中。查表可知化合物abcSi3N40SiN2000△a==△b=（）103=△c=3105=105△==△H.= △△a1/22982△b+1/298△c=746340298（）1/2298/+105/298=T=0 解得方程得T=1123K　2．碳酸鈣的加熱分解：。生，298）反應(yīng)物=103+103=103卡/摩爾因為△a=+=△b=103+103=2103△c=105+105=105△H.=△△a生，298（千卡/摩爾）△G。87 黏土層面上的負電荷：黏土晶格內(nèi)離子的同晶置換造成電價不平衡使之面板上帶負電；在一定條件下，黏土的邊棱由于從介質(zhì)中接受質(zhì)子而使邊棱帶正電荷。晶界中的應(yīng)力大則有可能在晶界上出現(xiàn)裂紋，甚至使多晶體破裂，小則保持在晶界內(nèi)。 75 說明吸附的本質(zhì)？ 答：吸附是固體表面力場與吸附分子發(fā)出的力場相互作用的結(jié)果，它是發(fā)生在固體上的。﹥90176。 硼酸鹽玻璃：硼酸鹽玻璃有某些優(yōu)異的特性。 答：結(jié)構(gòu)差異：硅酸鹽玻璃：石英玻璃是硅酸鹽玻璃的基礎(chǔ)。 Na2O CaO SiO2 wt% 13 13 74 mol mol% R=(++ 2)/ = ∵Z=4 ∴X=2R﹣Z=2﹣4= Y=Z﹣X= 4﹣= 氧橋%=（+） =% 這種網(wǎng)絡(luò)是由離子多面體（三角體或四面體）構(gòu)筑起來的。第六章 熔體和非晶態(tài)固體 61 說明熔體中聚合物形成過程？ 答：聚合物的形成是以硅氧四面體為基礎(chǔ)單位，組成大小不同的聚合體。 Al2O3在MgO中將形成有限固溶體，在低共熔溫度1995℃時，約有18wt% Al2O3溶入MgO中，MgO單位晶胞尺寸減小。 NiO 這樣又可寫出一組缺陷方程。解：固溶體、晶格缺陷和非化學計量化合物都屬晶體結(jié)構(gòu)缺陷，但它們又各有不同，現(xiàn)列表52比較之。晶體的結(jié)構(gòu)類型形成連續(xù)固溶體的兩個組分必須具有完全相同的晶體結(jié)構(gòu)。，F(xiàn)e3+/Fe2+=，求FexO中的空位濃度及x值。而由上式可知：[Al2O3]=[ ]雜質(zhì)∴當加入106 Al2O3時，雜質(zhì)缺陷的濃度為[ ]雜質(zhì)=[Al2O3]=106由（a）計算結(jié)果可知：在1873 K，[ ]熱=8109顯然： [ ]雜質(zhì)＞[ ]熱，所以在1873 K時雜質(zhì)缺陷占優(yōu)勢。在MX晶體中，間隙原子的表示符號為MI或XI；空位缺陷的表示符號為：VM或VX。所以其堆積系數(shù)僅為34%，%第四章 晶體結(jié)構(gòu)缺陷習題與解答 名詞解釋（a）弗倫克爾缺陷與肖特基缺陷；（b）刃型位錯和螺型位錯解：（a）當晶體熱振動時，一些能量足夠大的原子離開平衡位置而擠到晶格點的間隙中，形成間隙原子，而原來位置上形成空位，這種缺陷稱為弗倫克爾缺陷。但是其總體電價仍然平衡的，晶體結(jié)構(gòu)仍然是穩(wěn)定的。因為高嶺石是1:1型結(jié)構(gòu)，單網(wǎng)層與單網(wǎng)層之間以氫鍵相連，氫鍵強于范氏鍵，水化陽離子不易進入層間，因此陽離子交換容量較小。解：硅酸鹽礦物按照硅氧四面體的連接方式進行分類，具體類型見表31。大多數(shù)AX型化合物的r+/～，應(yīng)該填充在八面體空隙，即具有NaCl型結(jié)構(gòu)；并且NaCl型晶體結(jié)構(gòu)的對稱性較高，所以AX型化合物大多具有NaCl型結(jié)構(gòu)。解：（a）參見25題解答。（b）類質(zhì)同象：物質(zhì)結(jié)晶時，其晶體結(jié)構(gòu)中部分原有的離子或原子位置被性質(zhì)相似的其它離子或原子所占有，共同組成均勻的、呈單一相的晶體，不引起鍵性和晶體結(jié)構(gòu)變化的現(xiàn)象。（d）同晶取代：雜質(zhì)離子取代晶體結(jié)構(gòu)中某一結(jié)點上的離子而不改變晶體結(jié)構(gòu)類型的現(xiàn)象。%？解：在MgO晶體中，正負離子直接相鄰，a0=2(r++r)=(nm)體積分數(shù)=4(4π/3)(+)/=%密度=4(+16)/[1023(107)3]=(g/cm3)%，原因在于r+/r=，正負離子緊密接觸，而負離子之間不直接接觸，即正離子將負離子形成的八面體空隙撐開了，負離子不再是緊密堆積，%34 Li2O晶體，Li+，求晶胞常數(shù)a0；晶胞中Li2O的分子數(shù)。而在MgFe2O4結(jié)構(gòu)中，由于Fe3+的八面體擇位能為0，可以進入四面體或八面體空隙，當配位數(shù)為4時，F(xiàn)e3+，Mg2+，F(xiàn)e3+在四面體空隙中更加穩(wěn)定，所以Mg2+填充八面體空隙、一半Fe3+填充四面體空隙。6個[SiO4]通過頂角相連形成六節(jié)環(huán)，沿c軸方向上下迭置的六節(jié)環(huán)內(nèi)形成了一個空腔，成為離子遷移的通道，因而具有顯著的離子電導(dǎo)；另外離子受熱后，振幅增大，但由于能夠向結(jié)構(gòu)空隙中膨脹，所以不發(fā)生明顯的體積膨脹，因而熱膨脹系數(shù)較小。但是，蒙脫石的鋁氧八面體層中大約有1/3的