材料科學(xué)基礎(chǔ)選擇題(存儲(chǔ)版)
【正文】 雙電層 D: B+C5表面微裂紋是由于晶體缺陷或外力作用而產(chǎn)生，微裂紋同樣會(huì)強(qiáng)烈地影響表面性質(zhì)，對于脆性材料的強(qiáng)度這種影響尤為重要，微裂紋長度（ ），斷裂強(qiáng)度（ A ）。A: 越大；越松散 B: 越大；越牢固C: 越??；越牢固 D: 越大；不變6為了提高液相對固相的潤濕性，在固氣和液氣界面張力不變時(shí)，必須使液固界面張力（ B?。?。 A:絕對平衡 B:靜態(tài)平衡 C:動(dòng)態(tài)平衡 D:暫時(shí)平衡70、二元凝聚系統(tǒng)平衡共存的相數(shù)最多為3，而最大的自由度數(shù)為（ A ）。最終存在的晶相由（ D ）決定。則H、C、Cr在γFe中擴(kuò)散的活化能的大小順序?yàn)椋?B ）。 A: 易位擴(kuò)散=間隙擴(kuò)散空位擴(kuò)散 B: 易位擴(kuò)散間隙擴(kuò)散=空位擴(kuò)散 C: 易位擴(kuò)散間隙擴(kuò)散空位擴(kuò)散 D: 易位擴(kuò)散間隙擴(kuò)散空位擴(kuò)散9一般晶體中的擴(kuò)散為（ D ）。 A: 有相變潛熱，無體積改變B: 有相變潛熱，并伴隨有體積改變 C: 無相變潛熱，并伴隨有體積改變 D: 無相變潛熱，無體積改變100、二級(jí)相變是指在相變時(shí)兩相化學(xué)勢相等，其一階偏微熵也相等，而二階偏微熵不等，因此二級(jí)相變（D ）。A: 晶核數(shù)目更多 B: 晶核大小更均勻C: 需要更大的過冷度 D: 均不對10在成核－生長機(jī)制的液－固相變過程中，其成核過程有非均勻成核與均勻成核之分。A: 過熱 B: 過冷C: 過飽和 D: 在相平衡溫度保溫10對于放熱的相變過程，要使相變過程能自發(fā)進(jìn)行，則必須：AA: 過冷 B: 過熱C: 過飽和 D: 在相平衡溫度保溫10臨界晶核是能夠穩(wěn)定存在的且能成長為新相的核胚，臨界晶核的半徑越大，晶核的形成（C ）。 A: 增加缺陷濃度 B: 使晶格發(fā)生畸變 C: 降低缺陷濃度 D: A和B9通常情況下，當(dāng)氧化物在雜質(zhì)濃度較低時(shí)，其在高溫條件下引起的擴(kuò)散主要是（ A ）。 A: 隨時(shí)間和位置而變化 B: 不隨時(shí)間和位置而變化 C: 只隨位置而變化 D: 只隨時(shí)間而變化8菲克（Fick）第一定律指出，擴(kuò)散通量與濃度梯度成正比，擴(kuò)散方向與濃度梯度方向（ C）。A：互擴(kuò)散 B：無序擴(kuò)散C：非本征擴(kuò)散 D：本征擴(kuò)散8固體中質(zhì)點(diǎn)的擴(kuò)散特點(diǎn)為：DA: 需要較高溫度 B: 各向同性C: 各向異性 D: A+C8擴(kuò)散之所以能進(jìn)行，在本質(zhì)上是由于體系內(nèi)存在（ A ）。在一定溫度下，穩(wěn)定相具有（ C ）的蒸汽壓。AA: 晶界上原子與晶體內(nèi)部的原子是不同的B: 晶界上原子的堆積較晶體內(nèi)部疏松C: 晶界是原子、空位快速擴(kuò)散的主要通道D: 晶界易受腐蝕6相平衡是指在多相體系中，物質(zhì)在各相間分布的平衡。時(shí)，即在不潤濕的前提下，表面粗糙化后，液體與固體之間的潤濕（ A ）。A:不同；相同 B:相同；相同C:相同；不同 D:不同；不同5粘附劑與被粘附體間相溶性（ C ），粘附界面的強(qiáng)度（ ）。聚合程度越低，形成玻璃（ A ）。A:加和效應(yīng) B:混合堿效應(yīng) C:中和效應(yīng) D:交叉效應(yīng)4對普通硅酸鹽熔體，隨溫度升高，表面張力將（A ）。 A: 降低；增加 B: 不變；降低 C: 增加；降低 D: 增加；不變3當(dāng)溫度不變時(shí)，熔體組成的O/Si比高，低聚物（C ），粘度（ ）。A:刃位錯(cuò)；⊥ B: 刃位錯(cuò)；VX C: 螺位錯(cuò)； D:刃位錯(cuò)；2熱缺陷亦稱為本征缺陷，是指由熱起伏的原因所產(chǎn)生的空位或間隙質(zhì)點(diǎn)（原子或離子）。固溶體有有限和無限之分，其中（ B ）。A: 沸石螢石MgO B: 沸石MgO螢石 C: 螢石沸石MgO D: 螢石MgO沸石1根據(jù)鮑林(Pauling)規(guī)則，離子晶體MX2中二價(jià)陽離子的配位數(shù)為8時(shí)，一價(jià)陰離子的配位數(shù)為（ B ）。A: 2 B: 4 C: 6 D: 8螢石晶體可以看作是Ca2+作面心立方堆積，F(xiàn)填充了（ D ）。A: 共價(jià)鍵向離子鍵 B: 離子鍵向共價(jià)鍵 C: 金屬鍵向共價(jià)鍵 D: 鍵金屬向離子鍵離子晶體中，由于離子的極化作用，通常使正負(fù)離子間的距離（ B ），離子配位數(shù)（ ）。 A: 2 B: 4 C: 6 D: 8硅酸鹽晶體的分類原則是（ B ）。A：弗侖克爾缺陷 B：肖特基缺陷C：雜質(zhì)缺陷 D：A+B1位錯(cuò)的（ A）是指在熱缺陷的作用下，位錯(cuò)在垂直滑移方向的運(yùn)動(dòng)，結(jié)果導(dǎo)致空位或間隙原子的增值或減少。 A: 熱缺陷 B: 雜質(zhì)缺陷 C: 非化學(xué)計(jì)量缺陷 D: A+B+C2晶體中的熱缺陷的濃度隨溫度的升高而增加，其變化規(guī)律是
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