【摘要】?PN結?半導體二極管?整流濾波電路?特殊二極管PN結半導體的基礎知識圖、燈泡、限流電阻、開關及電源等組成的簡單電路。電路演示如下:圖半導體二極管導電性能的實驗
2025-01-28 00:13
【摘要】本資料來源1Chapter4常用半導體器件常用半導體器件2Chapter4常用半導體器件主要內(nèi)容?半導體的基本知識與PN結?半導體二極管及其應用電路?雙極型三極管及其特性參數(shù)?場效應管及其放大電路Chapter4常用半導體器件對于元器件,重點放在特性、參數(shù)、技術指標和對于元器件,重點放在特性、參數(shù)、技術指標和正確
2025-02-23 14:35
【摘要】變頻器主電路常用的電力半導體器件電力、電子器件?電子技術的基礎電力電子器件電力電子電路的基礎電子器件:晶體管和集成電路電力電子器件的概念和特征??電力電子電路的基礎?——?電力電子器件1.概念:?電力電
2025-03-02 09:03
【摘要】Chapter3幾種常用的功率器件(電力半導體)及其應用普通晶閘管普通晶閘管(又稱可控硅)是一種大功率半導體器件,主要用于大功率的交直流變換、調(diào)壓等。晶閘管三個電極分別用字母A(表示陽極)、K(表示陰極)、G(表示門極)。213陽極陰極控制極AKG1.晶閘管的伏安特性
2025-05-20 07:54
【摘要】1電子技術半導體器件及整流電路2電子技術包含模擬電子技術基礎和數(shù)字電子技術基礎兩部分內(nèi)容,模擬電子技術主要研究模擬電子信號的相關課目,數(shù)字電子技術主要研究數(shù)字電子信號的相關課目。是理工科(非電專業(yè))學生必修的一門基礎理論課。前面四章主要介紹常用半導體器件、放大電路、集成運算放大器和穩(wěn)壓電源電路,是研
2025-05-11 22:19
【摘要】2022/2/15第2章12半導體二極管及其基本電路半導體的基本知識2022/2/15第2章2引言?半導體器件是現(xiàn)代電子技術的重要組成部分,由于它具有體積小、重量輕、使用壽命長、輸入功率小和功率轉換效率高等優(yōu)點而得到廣泛的應用。?集成電路特別是大規(guī)模和超大規(guī)模集成電路不斷更新?lián)Q代,致使電子設備在
2025-01-24 17:37
【摘要】半導體基礎知識PN結半導體二極管二極管基本電路及其分析方法特殊二極管半導體基礎知識一、半導體定義特點:導電能力可控(受控于光、熱、雜質(zhì)等)典型半導體材料:硅Si和鍺Ge以及砷化鎵GaAs等本征半導體雜質(zhì)半導體本征(intrinsic)半導體——純凈無
2024-10-25 12:48
【摘要】海南風光第14講,P型硅,N型硅PN結及半導體二極管穩(wěn)壓二極管半導體三極管第10章半導體器件本征半導體現(xiàn)代電子學中,用的最多的半導體是硅和鍺,它們的最外層電子(價電子)都是四個。Si硅原子Ge鍺原子§半導體的基本知識通過一定的
2025-03-14 23:13
【摘要】2半導體二極管及其基本電路2-1半導體的基本知識2-2PN結的形成及特性2-3半導體二極管2-4二極管基本電路及其分析方法2-5特殊二極管有關半導體的基本概念?本征半導體、雜質(zhì)半導體?自由電子、空穴?N型半導體、P型半導體?多數(shù)載流子、少數(shù)載流子?施主雜質(zhì)、受主雜質(zhì)
2025-05-18 12:03
【摘要】第1章機械工業(yè)出版社同名教材配套電子教案第1章數(shù)字邏輯基礎普通二極管PN結⒈半導體的導電特性⑴摻雜特性。⑵熱敏和光敏特性。⒉數(shù)字信號⑴N型半導體⑵P型半導體4價元素摻入微量5價元素后形成。多數(shù)載流
2025-07-29 09:23
【摘要】模擬電子電路例題_半導體器件例題:(a)所示。當開關S分別在“1”和“2”時,問哪一個位置的Ic較大,哪一個位置的集電極與發(fā)射極之間的耐壓較高,為什么?(a)(b) [解]:S置于“1”時,發(fā)射結被短路,這時的Ic為集電結反向飽和電流;C、E極間的耐壓為。S置于“2”時,基極
2025-03-31 04:55
【摘要】tongyibin講課的原則?闡述科技發(fā)展的邏輯脈絡?著重電力電子器件方面基本知識?著重培養(yǎng)分析電力電子器件性能的能力?著重電力電子器件應用中最復雜和關鍵的問題?二極管和IGBT?著重鍛煉應用電力電子器件的基本技能tongyibin教學參考書?陳冶明,《電力電子器件基礎
2024-10-22 18:27
【摘要】半導體二極管晶體管晶閘管第5章半導體器件的基本知識?考試要求、伏安特性、主要參數(shù)。。。。。。半導體二極管一、半導體材料導電能力介于導體和絕緣體之間的物質(zhì)稱為半導體。主要材料是硅(Si)和鍺(Ge)。半導體
2025-02-27 15:11
【摘要】晶體生長和外延現(xiàn)代半導體器件物理與工藝PhysicsandTechnologyofModernSemiconductorDevices2023,7,30晶體生長與外延對分立器件而言,最重要的半導體是硅和砷化鎵。本小節(jié)主要討論這兩種半導體單晶最常用的技術。一種是單晶生長,獲得高質(zhì)量的襯底材料;另外一種時“外延生長”,即在
2025-03-07 20:17