半導(dǎo)體二極管及其基本電路-文庫(kù)吧資料
2025-05-18 12:03本頁(yè)面
【正文】 TVveIi根據(jù) 得 Q點(diǎn)處的微變電導(dǎo) QdvdigDDd ? QVvTTeVI /S D?TVID?dd1gr ?則 DIVT?常溫下（ T=300K） )mA()mV(26DDd IIVr T ??4)小信號(hào)模型 舉例 例 1. 二極管為理想二極管：死區(qū)電壓為 0 ，正向壓降為０。 PN結(jié)加反向電壓 截止 23 半導(dǎo)體二極管 基本結(jié)構(gòu) PN結(jié)加上管殼和引線，就成為半導(dǎo)體二極管。 PN結(jié)正向偏置 － － － － + + + + 內(nèi)電場(chǎng)減弱，使擴(kuò)散加強(qiáng)， 擴(kuò)散 ? 飄移，正向電流大 空間電荷區(qū)變薄 P N + 正向電流 PN結(jié)反向偏置 － － － － + + + + 空間電荷區(qū)變厚 N P + _ + + + + － － － － 內(nèi)電場(chǎng)加強(qiáng)，使擴(kuò)散停止， 有少量飄移，反向電流很小 反向飽和電流 很小， ?A級(jí) PN結(jié)的單向?qū)щ娦? PN結(jié) 加上正向電壓 或 正向偏置 的意思都是： P區(qū)加正、 N區(qū)加負(fù)電壓。 擴(kuò)散的結(jié)果是使空間電荷區(qū)逐漸加寬。 雜質(zhì)半導(dǎo)體的示意表示法 － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － P型半導(dǎo)體 + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + N型半導(dǎo)體 22 PN結(jié)的形成及特性 PN結(jié)的形成 在同一片半導(dǎo)體基片上，分別制造 P型半導(dǎo)體和 N型半導(dǎo)體，經(jīng)過載流子的擴(kuò)散和漂移，在它們的交界面處就形成了 PN結(jié)。 空穴很容易俘獲電子，使雜質(zhì)原子成為 負(fù)離子 。 P型半導(dǎo)體 空穴 硼原子 Si Si Si B 硅原子 空穴 被認(rèn)為 帶一個(gè)單位的正電荷，并且可以移動(dòng) P型半導(dǎo)體 因三價(jià)雜質(zhì)原子在
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