半導體二極管及其應用(1)-文庫吧資料
2024-10-24 12:16本頁面
【正文】 勢壘電容是由空間電荷區(qū)的離子薄層形成的。 iDOVBR?D熱擊穿 —— 不可逆 雪崩擊穿 —— 高反壓，碰撞電離 齊納擊穿 —— 較低反壓，場致激發(fā) 電擊穿 —— 可逆 27 四、 PN結的電容效應 PN結具有一定的電容效應（結電容），它由兩方面的因素決定。 由此可以得出結論： PN結具有單向導電性。少子漂移加強，但少子數(shù)量有限，只能形成較小的反向電流。 22 － － － － + + + + R E PN 結正向偏置 內電場 外電場 變薄 P N + _ 內電場被削弱，多子的擴散加強能夠形成較大的擴散電流。 注意 : 21 二、 PN結的單向導電性 PN 結 加上正向電壓 、 正向偏置 的意思都是 ： P 區(qū)加正、 N 區(qū)加負電壓。 空間電荷區(qū)中內電場阻礙 P中的空穴、 N區(qū) 中的電子（ 都是多子 ）向對方運動（ 擴散運動 ）。 18 漂移運動 P型半導體 － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － N型半導體 + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + 擴散運動 內電場 E 所以擴散和漂移這一對相反的運動最終達到平衡，相當于兩個區(qū)之間沒有電荷運動，空間電荷區(qū)的厚度固定不變。 內電場越強，就使漂移運動越強，而漂移使空間電荷區(qū)變薄。 PN結 一、 PN 結的形成 在同一片半導體基片上，分別制造 P 型半導體和 N 型半導體，經過載流子的擴散，在它們的交界面處就形成了 PN 結。近似認為多子與雜質濃度相等。 15 三、雜質半導體的示意表示法 － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － P 型半導體 + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + N 型半導體 雜質 型半導體多子和少子的移動都能形成電流。由于硼原子接受電子，所以稱為受主原子 。 14 二、 P 型半導體 在硅或鍺晶體中摻入少量的三價元素，如硼（或銦），晶體點陣中的某些半導體原子被雜質取代，硼原子的最外層有三個價電子，與相鄰的 半導體原子形成共價鍵時，產生一個空穴。 摻雜濃度遠大于本征半導體中載流子濃度，所以，自由電子濃度遠大于空穴濃度。 13 +4 +4 +5 +4 多余 電子 磷原子 N 型半導體中的載流子是什么？
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