半導體元器件的基本知識-文庫吧資料
2025-02-27 15:11本頁面
【正文】 率 (超過時單向導電性變差 ) 第 1 章 半導體二極管 iD uD U (BR) I F URM O 穩(wěn)壓二極管 符號 工作條件： 反向擊穿 iZ /mA uZ/V O ?UZ ? IZmin ? IZmax ?UZ ?IZ ? IZ 特性 1. 穩(wěn)定電壓 UZ 流過規(guī)定電流時穩(wěn)壓管兩端的反向電壓值。 第 1 章 半導體二極管 反向擊穿類型： 電擊穿 熱擊穿 — PN 結未損壞，斷電即恢復。少子漂移加強，但少子數量有限，只能形成較小的反向電流。 PN結加正向電壓的 情形 － － － － + + + + R E PN 結正向偏置 內電場 外電場 變薄 P N + _ 內電場被削弱，多子的擴散加強能夠形成較大的擴散電流。 將 P型和 N型半導體采用特殊工藝制造成半導體半導體內有一物理界面 ， 界面附近形成一個極薄的特殊區(qū)域 ， 稱為 PN結 。 多數載流子：空穴 少數載流子：自由電子 pn （三） PN結 漂移運動： 載流子在電場作用下的定向運動 。 在本征半導體中摻入少量五價 元素原子 ， 稱為 電子型半導體 或 N型半導體 。 共價鍵有很強的結合力，使原子規(guī)則排列，形成晶體。 硅和鍺的共價鍵結構 共價鍵共 用電子對 +4 +4 +4 +4 +4表示除去價電子后的原子 共價鍵中的兩個電子被緊緊束縛在共價鍵中，稱為束縛電子 ，常溫下束縛電子很難脫離共價鍵成為 自由電子 ，因此本征半導體中的自由電子很少，所以本征半導體的導電能力很弱。 半導體具有某些特殊性質：如光敏、熱敏及 摻雜特性。 半導體二極管 一、半導體材料 導電能力介于導體和絕緣體之間的物質稱為半導體 。 。 。 半導體二極管 晶體管 晶閘管 第 5章 半導體器件的基本知識 ?考試要求 、伏安特性、主要參數。 。 。 。 主要材料是硅（ Si）和鍺（ Ge）。（導電能力） 半導體器件及其特性 二、半導體的類型 （一）本征半導體 完全純凈的半導體（純度在 %） （二）雜質半導體 在本征半導體中慘入其他的微量元素 （一）本征半導體 結構特點 Ge Si 現(xiàn)代電子學中，用的最多的半導體是硅和鍺，它們的最外層電子（價電子）都是四個。 形成共價鍵后，每個原子的最外層電子是八個，構成穩(wěn)定結構。 +4 +4 +4 +4 (二 )雜質半導體 在本征半導體中摻入微量的雜質元素，成為 雜質半導體 。 多數載流子：自由電子 少數載流子：空穴
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