電氣設(shè)備絕緣預(yù)防性試驗(yàn)-文庫(kù)吧資料
2025-01-02 06:50本頁(yè)面
【正文】 間的相位差 ?，最后得到 tg?的測(cè)量值。， tgδ測(cè)量結(jié)果的因素 v被試電氣設(shè)備的溫度v試驗(yàn)電壓的大小v被試電氣設(shè)備絕緣的電容（試品電容）v被試電氣設(shè)備外絕緣表面的泄漏影響u 高電壓工程基礎(chǔ)1.高電壓工程基礎(chǔ)2.倒相法216。采用抗干擾源216。v2）外界磁場(chǎng)的干擾v消除干擾的辦法216。v當(dāng)電橋平衡時(shí)， C4的微法數(shù)就等于被試品的 tgδ值v在電橋的分度盤(pán)上， C4的數(shù)值直接以 tgδ的百分?jǐn)?shù)（％）來(lái)表示v測(cè)量被試品的電容 Cx對(duì)于判斷某些絕緣狀況也是有價(jià)值的問(wèn)題：?電容量大了意味著什么故障?電容量小了意味著什么故障套管、電力變壓器、互感器和某些電容器 容易發(fā)現(xiàn)絕緣的缺陷。高壓引線引起的雜散電流帶來(lái)的測(cè)量誤差高電壓工程基礎(chǔ)泄漏電流測(cè)量?jī)x表測(cè)量泄漏電流的電路圖.— 被試品； H— 高電位電極；L— 低電位電極； A— 直流電位表；R— 保護(hù)電阻； P— 放電管；.某設(shè)備絕緣的泄漏電流曲線曲線 1：絕緣良好；曲線 2：絕緣受潮；曲線 3：絕緣中有未貫通的集中性缺陷；曲線 4：絕緣有擊穿的危險(xiǎn)介質(zhì)損失角正切值 tgδ的測(cè)量 外加直流電壓的穩(wěn)定性216。絕緣表面狀況216。直流試驗(yàn)電壓的脈動(dòng)系數(shù)應(yīng)不大于 3％216。采用（多級(jí)）串級(jí)倍壓整流電路 v產(chǎn)生216。v直流泄漏電流試驗(yàn)和直流耐壓試驗(yàn)常利用同一套直流高壓發(fā)生裝置同時(shí)進(jìn)行 直接測(cè)量泄漏電流216。直流泄漏電流的測(cè)量 v絕緣電阻和吸收比252。吸收現(xiàn)象（溫度不變）216。27186。干燥前（受潮）， 15186。試驗(yàn)前應(yīng)對(duì)設(shè)備充分放電v固體絕緣表面狀況v絕緣電阻隨 溫度 呈指數(shù)規(guī)律下降216。測(cè)量結(jié)果的影響因素 v被試設(shè)備絕緣上可能存留殘余電荷216。this?高電壓工程基礎(chǔ)試驗(yàn)方法和影響測(cè)量結(jié)果的因素（ 1）為了避免被試品上可能存留殘余電荷而造成誤差，試驗(yàn)前應(yīng)將試品接地放電一段時(shí)間；（ 2）試驗(yàn)時(shí)，將被試品接于 L、 E之間，如果被試品表面的泄漏電流較大，為避免表面泄漏電流的影響，必須加以屏蔽，屏蔽線應(yīng)接在兆歐表屏蔽端 G上；（ 3）驅(qū)動(dòng)兆歐表達(dá)到額定轉(zhuǎn)速，并保持恒定；（ 4）測(cè)量吸收比時(shí)，先驅(qū)動(dòng)兆歐表達(dá)額定轉(zhuǎn)速，待指針指到∞時(shí)，用絕緣工具將火線迅速接至試品上，同時(shí)記錄時(shí)間，分別讀取 15s和 60s的絕緣電阻值；（ 5）測(cè)試時(shí)必須記錄溫度。被試品接在端子 “ E” 和“ L” 之間216。K接近 1v極化指數(shù)216。K常高于某一定值（ ）216。K=R60“／ R15”216。絕緣電阻和吸收比測(cè)量 v絕緣電阻216。它是由于介質(zhì)中偶極子逐漸轉(zhuǎn)向，并沿電場(chǎng)方向排列而產(chǎn)生的。 雙層介質(zhì)的吸收現(xiàn)象雙層介質(zhì)的等值電路 吸收曲線 陰影部分的面積為絕緣在充電過(guò)程中逐漸 “吸收 ”的電荷。絕緣電阻的測(cè)量 v測(cè)量絕緣電阻是檢查電氣設(shè)備絕緣狀
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