【正文】 路器中則起滅弧作用。測量原理：當(dāng)被測絕緣子兩端電壓降低時，放電管的放電頻率降低，發(fā)聲器中發(fā)出的聲音頻率也降低，于是，儀表讀數(shù)較小；反之則較大。 主要缺點： 分辨能力較差，火花放電不易被觀察，放電聲較難分辨。被測絕緣子承受的電壓越高，則出現(xiàn)火花越早，而且火花的聲音亦越大，因此根據(jù)放電的情況可以判斷被測絕緣子承受電壓的情況。因此，測量電壓分布是不停電檢查劣化絕緣子以及絕緣子污穢的有效方法。測量電壓分布可掌握絕緣子串的污穢分布和電壓分布情況。絕緣中某一部分因損壞使絕緣電阻急劇下降，則表面電壓分布會有明顯的改變。 當(dāng)表面比較清潔時：電壓分布由絕緣電容和雜散電容決定；216。 測量局部放電常采用 脈沖電流法 ，分為 直接法和平衡法 。 檢查絕緣物中局部放電強(qiáng)度，能預(yù)示絕緣的情況，也是 估計絕緣老化速度的重要依據(jù) 。 若一個電氣設(shè)備在運行電壓下長期存在一定程度的局部放電，會加速絕緣物的老化和破壞。 局部放電是指設(shè)備絕緣系統(tǒng)中有部分絕緣被擊穿的電氣放電現(xiàn)象，是由絕緣局部區(qū)域內(nèi)的弱點所造成的。超聲波探測法可了解有無局部放電的發(fā)生，粗測其放電強(qiáng)度和發(fā)生的部位。若在設(shè)備外壁放一壓電元件，在交變壓力波的作用下，具有壓電效應(yīng)的晶體便產(chǎn)生交變的彈性變形，晶體沿受力方向的兩端面上便會出現(xiàn)交變的束縛電荷。高電壓工程基礎(chǔ)五、用超聲波探測器測量局部放電（ 1）特點抗干擾能力相對較強(qiáng)，可以在運行中和耐壓試驗時檢測絕緣內(nèi)部的局部放電，適合預(yù)防性試驗的要求。高電壓工程基礎(chǔ)四、試驗結(jié)果的分析判斷試驗規(guī)程規(guī)定了某些設(shè)備在規(guī)定電壓下的允許視在放電量，可將測量結(jié)果與規(guī)定值進(jìn)行比較。(6) 合理選擇放大電路的頻帶或調(diào)諧放大電路的諧振頻率。(4) 提高高壓試驗回路中各元件發(fā)生電暈的電壓。(2) 對測量線路進(jìn)行屏蔽。外部干擾： 高壓試驗回路以外的因素引起的干擾。測量儀器所測得的 局部放電脈沖值是與被試品的局部放電視在放電量 ?q成比例的 ，要從指示值來算得 ?q是困難的，只能通過試驗來確定，即局部放電的測量儀器必須進(jìn)行試驗校正。高電壓工程基礎(chǔ)（ 3）測量儀器（顯示單元）為了防止干擾：裝設(shè)數(shù)字濾波器。 阻抗值應(yīng)足夠高，由它承擔(dān)大部分脈沖電壓，并決定輸出電壓和電流的波形。 要消除或減弱輸出電壓的工頻成分；216。高電壓工程基礎(chǔ)平衡法平衡法抗干擾能力好，因為外部干擾源在 Zm和Z′m上產(chǎn)生的干擾信號基本上相互抵消，而在 CX發(fā)生局部放電時，放電脈沖在 Z m和 Z′m上產(chǎn)生的信號卻是相互疊加的。對 CX值較大的試品，可以避免較大的工頻電容電流流過 Zm；216。并聯(lián)法與串聯(lián)法的靈敏度相同，但并聯(lián)法有以下優(yōu)點：216。 并聯(lián)法適合于被試品一端接地的情況。 Zm為測量阻抗。Cx — 被試品的電容； Ck — 耦合電容； Zm、 Zm′— 測量阻抗；Z — 低通濾波器； u — 電壓源； M— 測量儀器； A — 放大器高電壓工程基礎(chǔ)使被試品 CX局部放電產(chǎn)生的脈沖電流作用到測量阻抗 Zm上，在 Zm上產(chǎn)生一個脈沖電壓 um送到測量儀器 M中，由 um推算視在放電量。非電檢測法有超聲波探測法和絕緣油的氣相色譜分析。一、測量的基本接線局部放電的檢測方法可分為 電氣檢測法 和 非電檢測法 兩大類。視在放電量：試品上電壓變化 試品電容衡量局部放電強(qiáng)度的參數(shù)還有：單次放電量、放電次數(shù)頻度、平均放電電流、平均放電功率等，但應(yīng)用最普遍的是視在放電量。所以檢查絕緣物中局部放電缺陷存在與否以及發(fā)展情況、放電強(qiáng)度，是一種判斷絕緣在長期運行中絕緣性能好壞的較好方法，也是估計絕緣老化速度的重要依據(jù)。 局部溫度升高，造成熱裂解，氣隙膨脹而使固體絕緣開裂、分層、脫殼，且使該部分絕緣的電導(dǎo)和介質(zhì)損耗增加，加速絕緣老化、破壞。氣隙電離產(chǎn)生 O3， NO， NO2等氣體，遇水會產(chǎn)生硝酸或亞硝酸，對絕緣材料和金屬有氧化和腐蝕作用；216。 局部放電產(chǎn)生的帶電質(zhì)點撞擊絕緣物，造成絕緣物分解、破壞；216。高電壓工程基礎(chǔ)局部放電引起固體介質(zhì)腐蝕、老化、損壞的原因有：216。這種局部放電發(fā)生在一個或幾個絕緣內(nèi)部的氣隙或氣泡中，因為在這個很小的空間內(nèi)電場強(qiáng)度很大，放電能量很小，所以并不影響電氣設(shè)備的短時絕緣強(qiáng)度，即不影響當(dāng)時整體絕緣物的擊穿電壓。如外施電壓為交變電壓時，局部放電具有發(fā)生與熄滅交替重復(fù)的特征。常用的固體絕緣材料不可能做得十分純凈和致密，總會不同程度的包含一些分散性的雜物。 測量 tgδ對局部的集中性缺陷反映不靈敏，所以測量時盡可能分部測量。 現(xiàn)場測量時注意電磁場的干擾對測量結(jié)果的影響。 用西林電橋測量 tg δ時有正接線和反接線兩種接線方式，當(dāng)電橋平衡時， tgδ =C4(單位 μF)。原因： 繞組絕緣的容性電流流過繞組時產(chǎn)生較大的磁通，繞組電感和勵磁鐵損會使測量結(jié)果產(chǎn)生很大的誤差。試驗時被試品表面應(yīng)清潔、干燥，必要時加屏蔽環(huán)，屏蔽環(huán)應(yīng)裝設(shè)在被試品與橋體相連的一端附近的表面上，且應(yīng)與被試品與橋體連線的屏蔽相連。實際上多難以達(dá)到正常工作電壓，一般多用 10kV。測定 tg δ時所加的電壓，原則上最好接近于被試品的正常工作電壓。高電壓工程基礎(chǔ)測量時應(yīng)選取合適的試驗電壓良好的絕緣，在其額定電壓范圍內(nèi)， tg δ值是幾乎不變。高電壓工程基礎(chǔ)測量時應(yīng)選取合適的溫度絕緣的 tg δ值與溫度有關(guān)，但 tg δ值與溫度之間沒有準(zhǔn)確的換算關(guān)系，故應(yīng)盡量在差不多的溫度條件下測量 tg δ，并以此作比較。因此，通常對運行中的電機(jī)、電纜等設(shè)備進(jìn)行預(yù)防性試驗時，不做 tg δ測試。高電壓工程基礎(chǔ)對電容量較小的設(shè)備，如套管、互感器等，測量tg δ值能有效地發(fā)現(xiàn)局部集中性和整體分布性的缺陷。絕緣厚度 d一定時，面積 S越大，其電容量越大，電容電流越大，即電容電流與面積成正比。在一定的電壓和頻率下， tg δ反映介質(zhì)內(nèi)單位體積的能耗。例如絕緣由兩部分并聯(lián)組成，各部分的電容和介質(zhì)損失角的正切分別為 C tg δ1和 C tg δ2。進(jìn)水后既可導(dǎo)致有功功率 P增加 (IR增大 )，也可導(dǎo)致無功功率 Q增大 (水的介電常數(shù)大，ICX增大 )。因為當(dāng)絕緣有缺陷時，有的使tg δ增大，有的使 tg δ減小。高電壓工程基礎(chǔ)測量結(jié)果的分析判斷：（ 1）與試驗規(guī)程規(guī)定值比較；（ 2）與以往的測試結(jié)果比較；（ 3）與同樣運行條件下的同類型設(shè)備比較。高電壓工程基礎(chǔ)測試 tg δ對于下列缺陷不太靈敏：（ 1）非貫穿性的局部損壞；（ 2）很小部分絕緣的老化劣化；（ 3）個別的絕緣弱點。儀器內(nèi)附標(biāo)準(zhǔn)電容器和電壓裝置，與配套選購油杯及控溫儀結(jié)合，可測量油介質(zhì)損耗。 數(shù)字化測量方法高電壓工程基礎(chǔ)利用傳感器從試品上取得所需的電壓信號 U和電流信號 I，經(jīng)前置 A/D轉(zhuǎn)換電路數(shù)字化后，送至數(shù)據(jù)處理計算機(jī)或單片機(jī)，經(jīng)數(shù)據(jù)處理后算出電流電壓之間的相位差 ?，最后得到 tg?的測量值。高電壓工程基礎(chǔ)改變檢流計極性開關(guān)位置測量，電橋調(diào)平衡后測量臂的數(shù)值為 R3 △ R3 、 C4 △ C4。若存在磁場干擾時，電橋調(diào)平衡后測量臂的數(shù)值為 R3 +△ R3 、 C4 +△ C4，此時檢流計兩端有電位差。措施：C高電壓工程基礎(chǔ)或?qū)z流計極性轉(zhuǎn)換開關(guān)分別置于正、反兩個位置測量兩次來消除磁場干擾的影響。這一干擾主要是由于磁場作用與電橋檢流計內(nèi)的電流線圈回路引起的。通常在試驗電源和干擾電流同相和反相兩種情況下分別測兩次，然后取平均值。 加設(shè)屏障高電壓工程基礎(chǔ)216。消除或減小電場干擾的措施：高電壓工程基礎(chǔ)在被試品高壓部分加屏蔽罩，并將屏蔽罩與電橋的屏蔽相連，以消除耦合電容的影響。有電場干擾時的相量圖高電壓工程基礎(chǔ)干擾電流引起的 的變化隨干擾電流的數(shù)值及相位決定。調(diào)節(jié) C4時主要是改變 的相角。高電壓工程基礎(chǔ)電橋平衡時有 ， 的相角與流過 R3的電流的相角相同，調(diào)節(jié) R3實際是改變 的大小。高電壓工程基礎(chǔ)無干擾時，電橋平衡后流過 R3的電流為流過被試品的電流 ，測量出的 δ為試品真實的介質(zhì)損失角。電場干擾 測量過程中的干擾及消除措施高電壓工程基礎(chǔ)因被試品的阻抗比 R3和變壓器的漏抗大得多，所以干擾電流 都流過 R3 。適用于一端接地的被試品。適用于兩端對地絕緣的被試品。測量原理如?。?則有： (單位 μF)高電壓工程基礎(chǔ)一般 ZX、 ZN比 Z Z4大得多，故外加電壓的大部分都降在高壓橋臂 ZX、 ZN上。電橋的平衡是通過調(diào)整 R3和 C4來實現(xiàn)的。絕緣介質(zhì)的損耗： 西林電橋的基本原理高電壓工程基礎(chǔ)西林電橋是一種交流電橋，配以合適的標(biāo)準(zhǔn)電容可以測量材料和電氣設(shè)備的 tg?和電容值。（ 1）在一定的電壓和頻率下，介質(zhì)損失角正切值與絕緣介質(zhì)的形狀、大小無關(guān)，只與介質(zhì)的固有特性有關(guān)。 注意對微安表的保護(hù)。 試驗電壓是逐步調(diào)高的，可作出試驗電壓與電流的關(guān)系曲線，由曲線的線性度可判斷絕緣的狀態(tài)。 讀取泄漏電流值的時間，一般規(guī)定為到達(dá)實驗電壓后 1min，并需記錄試品絕緣的電阻及環(huán)境溫度。 測量主絕緣的泄漏電流值，其意義與測量絕緣電阻是相同的，只是施加的直流電壓較高，所以測試的靈敏度比兆歐表更高。測量泄漏電流能有效發(fā)現(xiàn)的缺陷：測量絕緣電阻所能發(fā)現(xiàn)的缺陷測量泄漏電流均能發(fā)現(xiàn)，此外對于某些兆歐表不能發(fā)現(xiàn)的尚未完全貫穿的集中性缺陷有一定的反映。 將泄漏電流值與歷史數(shù)據(jù)比較；216。試驗結(jié)果的分析判斷高電壓工程基礎(chǔ)比較法：216。 電容器和放電管用來分流試品擊穿時的短路電流。 R值選?。?電流表 A