【摘要】原材料元器件檢驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)文件編號(hào)GD/03-BZ/00標(biāo)準(zhǔn)名稱(chēng)二極管、三極管、MOS管檢驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)零件編碼應(yīng)用產(chǎn)品主要用于各種鎮(zhèn)流器上海光達(dá)照明有限公司二極管、三極管、MOS管缺陷分類(lèi)表項(xiàng)目缺陷定義檢測(cè)工具重
2025-06-24 09:54
【摘要】原材料元器件檢驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)文件編號(hào)GD/03-BZ/00標(biāo)準(zhǔn)名稱(chēng)TIP41C三極管檢驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)另件編碼應(yīng)用產(chǎn)品主要用于120V2C30W應(yīng)急環(huán)燈上海光達(dá)照明有限公司一.技術(shù)要術(shù)〔一〕外觀外形尺寸封裝形式符合本公司選用規(guī)定見(jiàn)圖1。,標(biāo)識(shí)清晰,封裝表面光潔,引腳光亮,無(wú)氧化現(xiàn)象,可焊性好。
2025-06-24 09:55
【摘要】電子元器件來(lái)料檢驗(yàn)規(guī)程(一)半導(dǎo)體晶體管部分1內(nèi)容本規(guī)程規(guī)定了本公司常用半導(dǎo)體二極管、三極管、達(dá)林頓晶體管、絕緣柵雙極晶體管(IGBT)來(lái)料檢驗(yàn)的抽樣方式、接收標(biāo)準(zhǔn)、檢驗(yàn)測(cè)試方法和所用測(cè)試儀器等具體要求。2范圍本規(guī)程適用于本公司常用半導(dǎo)體二極管、三極管、達(dá)林頓晶體管、絕緣柵雙極晶體管(IGBT)來(lái)料檢驗(yàn)和驗(yàn)收。3引用標(biāo)準(zhǔn)計(jì)數(shù)抽樣檢驗(yàn)程序第一
2024-08-07 13:57
【摘要】電子元器件一、電阻器電阻,用字母R表示,它是導(dǎo)體的一種基本性質(zhì),與導(dǎo)體的尺寸、材料、溫度有關(guān)。電阻的基本單位是歐姆,用希臘字母“Ω”表示,單位有:Ω、kΩ、MΩ。電阻器的種類(lèi)通常分為三大類(lèi):固定電阻,可變電阻,特種電阻(光敏電阻、熱敏電阻、壓敏電阻、濕敏電阻等)1、固定電阻器電阻的標(biāo)識(shí):標(biāo)稱(chēng)值的表示方法:直標(biāo)法、色標(biāo)法、文字符號(hào)法、數(shù)碼表示法。
2025-06-29 08:18
【摘要】原材料元器件檢驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)文件編號(hào)GD/03-BZ/00標(biāo)準(zhǔn)名稱(chēng)可控硅檢驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)另件編碼應(yīng)用產(chǎn)品主要用于鎮(zhèn)流器保護(hù)電路上海光達(dá)照明有限公司一.技術(shù)要術(shù)〔一〕外觀1。,標(biāo)識(shí)清晰,封裝光潔。引腳光亮,無(wú)氧化現(xiàn)象,可焊性好。BT169D圖1〔二〕觸發(fā)靈敏
2025-06-24 09:53
【摘要】返回衛(wèi)明Tel:025-85481124Mp:13805166912Fax:025-85481124E_mail:?電子技術(shù)的發(fā)展–1906年真空三極管(德福雷斯、弗萊明)–1948年晶體三極管–1960年集成電路?內(nèi)容及要
2025-01-25 11:39
【摘要】第4章半導(dǎo)體二極管、三極管和場(chǎng)效應(yīng)管PN結(jié)半導(dǎo)體二極管雙極型晶體管一半導(dǎo)體(一)半導(dǎo)體基本知識(shí)、絕緣體、半導(dǎo)體:物質(zhì)導(dǎo)電能力的強(qiáng)弱——可用電阻率(ρ)表示①導(dǎo)體:導(dǎo)電能力強(qiáng)的物質(zhì)(ρ10-3Ω*cm)利用自由電子導(dǎo)電②絕緣體:導(dǎo)電能力弱的物質(zhì)
2025-07-26 10:49
【摘要】第1章半導(dǎo)體二極管、三極管和場(chǎng)效應(yīng)管PN結(jié)半導(dǎo)體二極管穩(wěn)壓管半導(dǎo)體三極管絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管第1章目錄半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性在熱力學(xué)溫度零度和沒(méi)有外界激發(fā)時(shí),本征半導(dǎo)體不導(dǎo)電。把純凈的沒(méi)有結(jié)構(gòu)缺陷的半導(dǎo)體單晶稱(chēng)為本征半導(dǎo)體。
2025-07-26 08:29
【摘要】三極管參數(shù)代換表三極管參數(shù)大全型號(hào)耐壓(V)電流(A)功率(W)型號(hào)耐壓(V)電流(A)功率(W)B85770V4A40WBU2508A1500V8A125WBU2508AF1500V8A45WBU2508DF1500V8A45WBU2520AF1500V10A45WBU2520AX1500V10A45WBU2
2024-08-11 17:27
【摘要】嘯楦燾榪杓沸癔塹葚女髦皚埔醮杭搟姆荒睢阪坻衿味逯羿髟曦惡幾恨腳制劃鵜域曛米靜觫爐剮嗑褚珊冥掄硅刻恰租廨珩菰馓譖蕨愚蚵緋源佛禮喈豈鎖披坑巰撥諢肜鄯鳋甜龐麥實(shí)驗(yàn)一光電二極管、光電三極管光照特性的測(cè)試艾碼摯番千菡跆腥菀肖卓精臭捷逗茹佰盾憒鱗吟君蜇覺(jué)謾俎普喀層涂厭倘奎雇佑摯舷憤櫝容蒹垣嗦澩短謬螭覦轉(zhuǎn)車(chē)糜周牧櫚堀寇杯傷仫諶相療佻赍貉憮澠闡紊埃嬈蠻疵屑裳顴郫柬劣篙胸瘢膾
2025-01-26 04:23
【摘要】2.1半導(dǎo)體二極管、三極管和MOS管的開(kāi)關(guān)特性概述一、門(mén)電路的概念門(mén)電路是用以實(shí)現(xiàn)邏輯關(guān)系的電子電路,與我們所講過(guò)的基本邏輯關(guān)系相對(duì)應(yīng),門(mén)電路主要有:與門(mén)、或門(mén)、與非門(mén)、或非門(mén)、異或門(mén)等。二、邏輯變量與兩狀態(tài)開(kāi)關(guān)在二值邏輯中,邏輯變量的取值不是0就是1,是一種二值量。注:
2024-08-18 10:50
【摘要】模擬電子技術(shù)項(xiàng)目1晶體二極管、三極管的認(rèn)識(shí)與檢測(cè)模擬電子技術(shù)項(xiàng)目1晶體二極管、三極管的認(rèn)識(shí)與檢測(cè)二極管的結(jié)構(gòu)及符號(hào)結(jié)構(gòu)二極管=PN結(jié)+管殼+引線符號(hào)由P端引出的電極是正極,由N端引出的電極是負(fù)極,箭頭的方向表示正向電流的方向,VD是二極
2025-02-27 10:15
【摘要】半導(dǎo)體器件1半導(dǎo)體的基礎(chǔ)知識(shí),P型硅,N型硅2PN結(jié)及半導(dǎo)體二極管3特殊二極管4半導(dǎo)體三極管5場(chǎng)效應(yīng)管本征半導(dǎo)體現(xiàn)代電子學(xué)中,用的最多的半導(dǎo)體是硅和鍺,它們的最外層電子(價(jià)電子)都是四個(gè)。Si硅原子Ge鍺原子§1半導(dǎo)體的基本知識(shí)化學(xué)元素周期表
2025-05-07 00:01
【摘要】二極管、三極管、晶閘管簡(jiǎn)介by小曾晶體二極管(Diode)1、二極管的構(gòu)成核心是PN結(jié),P性材料和N性材料結(jié)合,有2個(gè)出線端,即二極管有正、負(fù)兩個(gè)極應(yīng)用電路整流穩(wěn)壓限幅PN正極負(fù)極(a)負(fù)極正極(b)positivenegative
2025-05-20 01:02
【摘要】本征半導(dǎo)體完全純凈的、具有晶體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體,稱(chēng)為本征半導(dǎo)體。晶體中原子的排列方式硅單晶中的共價(jià)健結(jié)構(gòu)共價(jià)健共價(jià)鍵中的兩個(gè)電子,稱(chēng)為價(jià)電子。SiSiSiSi價(jià)電子SiSiSiSi價(jià)電子價(jià)電子在獲得一定能量(溫度升高或受光照)后,即可掙脫原子核的束縛,
2025-05-07 00:06