【正文】 echnology, namely the first generation of GSM technology (on December 31, 2001 our country has closed simulation migration network). At present, China moves, China Uni to have a GSM net respectively, for world biggest mobile munication network. GSM system including GSM 900:900 MHz, GSM1800:1800MHz and GSM1900:1900MHz and so on several frequency bands. GSM (whole world mobile munication system) is one kind widely applies in European and the world other place numeric move telephone system. What GSM use is the time division multiple access anomalous form, and it is the present three kind of digital cordless phones technology (TDMA, GSM and CDMA) uses the most widespread one kind. GSM digitizes the material, and carries on the data the pression, then transmits together with other two user data stream from the channel, other two user data stream has the respective time slot. GSM in fact is Europe39。王老師嚴(yán)謹(jǐn)求實(shí)的治學(xué)作風(fēng)，踏踏實(shí)實(shí)的工作精神給我留下了深刻的印象，不僅授我以文，而且教我做人，為我今后在繼續(xù)學(xué)習(xí)和工作道路上的發(fā)展奠定了良好的基礎(chǔ)，在此，我向培養(yǎng)我的導(dǎo)師致以崇高的敬意和衷心的感謝!在論文中，參考了許多專業(yè)書籍和一些相關(guān)網(wǎng)站的內(nèi)容，其中所體現(xiàn)出的作者豐富的實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)和淵博的專業(yè)知識(shí)使我受益匪淺，給予我巨大的幫助，在此對(duì)作者表示衷心的謝意！最后，對(duì)支持我研究的同學(xué)和朋友們表示誠(chéng)摯的謝意。參考文獻(xiàn)[1] 熊娥. 光伏獨(dú)立逆變電源的研究[碩士學(xué)位論文]. 武漢理工大學(xué), 武漢, 2009: 128130[2] 高嵩. 獨(dú)立式光伏逆變電源的研究[碩士學(xué)位論文]. 北京交通大學(xué), 北京, 2008: 28[3] 謝嘉奎, 宣月清, 馮軍. 電子線路線性部分. 北京: 高等教育出版社, 1999: 5660[4] 童詩白, 華成英. 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ). 北京: 高等教育出版社, 2003[5] 閻石. 數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ). 北京: 高等教育出版社, 2004: 5060[6] 劉星平. 采用脈寬調(diào)制器SG3525控制的新型單相交流調(diào)壓電路. 機(jī)床電器, 2002, 第2卷 第2期: 23[7] 李國(guó)彬. 基于脈寬調(diào)制器SG3525的一種新型車載電源設(shè)計(jì). 電子器件, 2007, 第30卷 第2期:89[8] 黃毛毛, 張有生. 單相逆變器電源的研制. 科技廣場(chǎng), [9] 王海. 基于SG3525的單極性SPWM控制電路. 電源技術(shù)應(yīng)用, 2007, 第10卷 第9期: 56[10] 石新春, 陳雷, 張玉平. 雙極性SPWM調(diào)制的單相工頻正弦波逆變器的設(shè)計(jì). 通信電源技術(shù), 2008, 第25卷 第4期: 34[11] 竇偉. 數(shù)字化控制DC/AC正弦波電源[碩士學(xué)位論文]. 四川大學(xué), 成都, 2004: 1516[12] 陳永真, 韓梅, 陳之勃. 全國(guó)大學(xué)生電子設(shè)計(jì)競(jìng)賽硬件電路設(shè)計(jì)精解. 北京: 電子工業(yè)出版社, 2009: 129130[13] 林珊. 太陽能發(fā)電系統(tǒng)研究[碩士學(xué)位論文]. 廣東工業(yè)大學(xué), 廣州, 1999: 45[14] [15] 任致程. 經(jīng)典晶體管電子線路 300例. 北京: 機(jī)械工業(yè)出社, 2004. 101110[16] 《中國(guó)集成電路大全》編寫委員會(huì). TTL/CMOS分冊(cè). 國(guó)防工業(yè)出版社, 1985: 6568[17] 沈長(zhǎng)生. 常用電子元器件使用一讀通. 河北: 人民郵電出版社. 2002: 93107[18] 吳湘淇. 信號(hào)系統(tǒng)與信號(hào)處理[M]. 北京: 電子工業(yè)出版社, : 1216[19] 王昊, 李昕. 集成運(yùn)放應(yīng)用電路設(shè)計(jì)360例. 北京: 電子工業(yè)出版社, : 105160[20] 何希才, 鄒炳強(qiáng). 通用電子電路應(yīng)用400例. 北京: 電子工業(yè)出版社2004: 778致　謝本論文是在王新勇老師的指導(dǎo)和關(guān)懷下完成的，從選題開始，王老師就以其淵博的學(xué)識(shí)和敏銳的洞察力，給我提出了具有啟發(fā)性的建議并指出了研究該課題的方向，在項(xiàng)目的研究過程中，多次詢問我研究的進(jìn)程，并為我指點(diǎn)研究方向，幫助我開拓研究思路。為了適應(yīng)今后市場(chǎng)的發(fā)展，前級(jí)采用BOOST電路升壓，高頻逆變技術(shù)，后級(jí)逆變環(huán)節(jié)采用全橋電路，從而實(shí)現(xiàn)了直流輸入，標(biāo)準(zhǔn)市電輸出。實(shí)驗(yàn)表明本設(shè)計(jì)對(duì)于小功率正弦波逆變器具有輸出波形好、整機(jī)成本低、適應(yīng)性強(qiáng)等特點(diǎn)。帶載時(shí)，逆變器輸出波形無大的畸變。采用純硬件方式實(shí)現(xiàn)對(duì)逆變器的控制以及各種保護(hù)功能，并通過仿真對(duì)各種控制方案進(jìn)行分析對(duì)比，最后制造了一臺(tái)樣機(jī)進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)。這兩種逆變器雖然電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，但輸出的電能質(zhì)量較差，諧波分量大。圖48 空載波形（左）帶載波形（右）結(jié)　論逆變技術(shù)是現(xiàn)代電力電子技術(shù)領(lǐng)域里最活躍的一個(gè)研究方向，它廣泛應(yīng)用于工業(yè)、國(guó)防和家用電器等生產(chǎn)和生活領(lǐng)域。2. 過流保護(hù)測(cè)試(1) 首先接一個(gè)500W的220V的燈泡，讓電路正常工作。圖46 H橋左上管和左下管的驅(qū)動(dòng)波形圖47 H橋左上管和右下管的驅(qū)動(dòng)波形167。5. 接通信號(hào)板電源，H橋應(yīng)該有正弦波輸出，燈泡會(huì)亮。圖45 H橋驅(qū)動(dòng)波形及高頻波延時(shí)3. 光伏電池(12V)可以用實(shí)驗(yàn)臺(tái)DG01上三相調(diào)壓輸出17Vpp值的交流電，經(jīng)整流橋，濾波得到12V左右的直流電（切忌用試驗(yàn)臺(tái)上+12V直接輸入，由于試驗(yàn)臺(tái)上的+12V線性穩(wěn)壓源最大輸出功率不足30W）用來模擬光伏電池。 信號(hào)板與H橋聯(lián)調(diào)1. 先把信號(hào)板上J2插頭用引線與逆變板連接起來。用雙通道數(shù)字示波器觀察SS6兩測(cè)試點(diǎn)的波形（如圖44），應(yīng)該是互為反相的50Hz方波，其死區(qū)時(shí)間約為100μs。6. 用一片NE5532即U1A、U1B組成一個(gè)50Hz同步方波發(fā)生電路。圖42 S2整流電路輸出饅頭波4. 用示波器測(cè)S3點(diǎn)波形，也應(yīng)該是饅頭波（如圖43），再調(diào)滑變R33使饅頭波的谷點(diǎn)離開直流底線2V，這樣，加法器電路就基本調(diào)好了，等接上H橋再細(xì)調(diào)。2. 用示波器測(cè)S1點(diǎn)，應(yīng)該看到正弦波，頻率在50Hz左右，若沒有波形（如圖41），則文氏邊路未起振，把R32()換成一個(gè)10K的滑動(dòng)變阻器，使其放大倍數(shù)略大于3，則可使S1點(diǎn)為12Vpp的正弦波，振蕩器就基本調(diào)好了。本章給出調(diào)試步驟及各測(cè)試點(diǎn)的波形。圖37 欠壓過流保護(hù)電路第4章 系統(tǒng)調(diào)試167。滯環(huán)寬度取為2V。正常情況下，參考電壓值大于電壓采樣值，比較器輸出低電平，系統(tǒng)開始正常工作。正常情況下，參考電壓值小于電壓采樣值，比較器輸出低電平，系統(tǒng)開始正常工作。同時(shí)采用幾種過電流保護(hù)措施，提高可靠性和合理性，電子電路作為第一保護(hù)措施，快熔僅作為短路時(shí)的部分區(qū)段的保護(hù)，直流快速斷路器整定在電子電路動(dòng)作之后實(shí)現(xiàn)保護(hù)，過電流繼電器整定在過載時(shí)動(dòng)作。對(duì)于短路故障必須立刻停機(jī)，這功能可以由串接在主功率回路中的快速熔斷器F2實(shí)現(xiàn)。對(duì)于橋式逆變電路，如果發(fā)生橋臂直通短路或負(fù)載發(fā)生短路時(shí)，流過開關(guān)管上的電流迅速增大，若不采取措施在很短的時(shí)間內(nèi)，功率開關(guān)管被燒毀。在功率開關(guān)管的保護(hù)整個(gè)裝置中，功率開關(guān)管是最易損壞的元件，電路中出現(xiàn)的過流會(huì)導(dǎo)致其損壞，應(yīng)該具有相應(yīng)的過流保護(hù)。而對(duì)于由蓄電池供電的逆變電源而言，蓄電池也需要有必要的保護(hù)，因?yàn)樾铍姵剡^度放電會(huì)損壞蓄電池本身。在電力電子系統(tǒng)中，功率開關(guān)管的保護(hù)是必不可少的。這是因?yàn)樵谘b置實(shí)際運(yùn)行時(shí)，有許多隨機(jī)出現(xiàn)的干擾信號(hào)。這樣開關(guān)頻率中更高頻的交流分量將被衰減40dB以上，.RL=220V/=88輸出濾波電容的容量為： （34）輸出濾波電感量為： （35）167。逆變器輸出電壓的頻率成分以基頻50Hz和開關(guān)頻率f=15KHz為主。它的設(shè)計(jì)原則是對(duì)50Hz低頻呈低阻抗特性，基本不產(chǎn)生基波壓降，而對(duì)高頻分量呈高阻抗特性。因此，傳統(tǒng)的RC低通濾波器在這里不能應(yīng)用。允許通過的信號(hào)頻率范圍稱為通帶，不允許通過的信號(hào)頻率范圍稱為阻帶，通帶與阻帶交界的頻率稱為截止頻率[20]。為了削弱高次諧波，就需要設(shè)置輸出濾波器。 輸出濾波器設(shè)計(jì)輸出濾波器將逆變器輸出的脈沖寬度調(diào)制的功率脈沖轉(zhuǎn)化為模擬電壓。芯片工作電壓為+12V，開關(guān)管D極電壓也為+12V。為了保護(hù)其不被燒壞，必須在四只MOS管上加上四個(gè)散熱片。圖34 IR2110驅(qū)動(dòng)電路IR2110驅(qū)動(dòng)電路原理框圖如圖34所示，其中左上臂HIN_L、左下臂LIN_L、右上臂HIN_R右下臂與LIN_R輸入信號(hào)分別是4，四路單極性的SPWM波形可以保證H橋臂的四個(gè)MOS管兩兩交叉導(dǎo)通，這樣實(shí)現(xiàn)輸出電流的反向，從而使輸出端為交流的高頻SPWM信號(hào)。逆變電路采用了全橋式結(jié)構(gòu)，對(duì)于全橋式電路而言，橋臂上下功率管的驅(qū)動(dòng)需采用隔離驅(qū)動(dòng)電源。根據(jù)上面的分析，得出功率MOS管對(duì)驅(qū)動(dòng)電路的要求如下[19]：(1) 驅(qū)動(dòng)電路延遲時(shí)間??；(2) 驅(qū)動(dòng)電路峰值電流大；(3) 柵極電壓變化率dv/dt大。因此，在變換器設(shè)計(jì)中，要對(duì)功率開關(guān)管的驅(qū)動(dòng)進(jìn)行精心的設(shè)計(jì)。圖33 IR2110驅(qū)動(dòng)半橋 4. 設(shè)計(jì)電路應(yīng)注意以下問題：1）UC3637的RT和CT要適當(dāng)選擇，避免RT上的電流過大，損壞片子；2）驅(qū)動(dòng)電路中C2值要遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于上管的柵源極之間的極間電容值；3）IR2110的自舉元件電容的選擇取決于開關(guān)頻率，VDD及功率MOSFET的柵源極的充電需要，二極管的耐壓值必須高于峰值電壓，其功耗應(yīng)盡可能小并能快速恢復(fù)；4）IR2110的驅(qū)動(dòng)脈沖上升沿取決于Rg，Rg值不能過大以免使其驅(qū)動(dòng)脈沖的上升沿不陡，但也不能使驅(qū)動(dòng)均值電流過大以免損壞IR2110；5）當(dāng)PWM產(chǎn)生電路是模擬電路時(shí)可以直接把信號(hào)接到IR2110；當(dāng)用采數(shù)字信號(hào)時(shí)要考慮隔離；6）注意直流偏磁問題167。經(jīng)短暫的死區(qū)時(shí)間（td）之后，LIN為高電平，S2開通，VCC經(jīng)VD1，S2給C1充電，迅速為C1補(bǔ)充能量。此時(shí)VC1可等效為一個(gè)電壓源。假定在S1關(guān)斷期間C1已充到足夠的電壓（VC1≈VCC）。2. 高壓側(cè)懸浮驅(qū)動(dòng)的自舉原理IR2110用于驅(qū)動(dòng)半橋的電路如圖33所示。167。如上所述IR2110的特點(diǎn)，可以為裝置的設(shè)計(jì)帶來許多方便。IR2110的內(nèi)部功能框圖如圖31所示。50V/ns，15V下靜態(tài)功耗僅為116mW；輸出的電源端（腳3，即功率器件的柵極驅(qū)動(dòng)電壓）電壓范圍10~20V；邏輯電源電壓范圍（腳9）5~15V，可方便地與TTL，CMOS電平相匹配，而且邏輯電源地和功率地之間允許有177。圖31 IR2110功能結(jié)構(gòu)圖LO(引腳1)：低端輸出COM(引腳2)：公共端Vcc(引腳3)：低端固定電源電壓Nc(引腳4)：空端Vs(引腳5)：高端浮置電源偏移電壓VB (引腳6)：高端浮置電源電壓HO(引腳7)：高端輸出Nc(引腳8)：空端VDD(引腳9)：邏輯電源電壓 圖32 IR2110引腳圖HIN(引腳10)：邏輯高端輸入 SD(引腳11)：關(guān)斷LIN(引腳12)：邏輯低端輸入 Vss(引腳13)：邏輯電路地電位端，其值可以為0VNc(引腳14)：空端IR2110采用HVIC和閂鎖抗干擾CMOS制造工藝[17]，DIP14腳封裝。圖213 死區(qū)延時(shí)電路圖214 死區(qū)延時(shí)電路仿真波形第3章 逆變電路167。在Multisim仿真波形如圖214。這樣，死區(qū)時(shí)間設(shè)置電路就可以通過數(shù)字電路實(shí)現(xiàn)了（圖213）。為了防止這種情況發(fā)生，就必須在互補(bǔ)的驅(qū)動(dòng)脈沖之間加入一定的死區(qū)時(shí)間。圖212 50Hz同步波形發(fā)生電路對(duì)于采用單極性調(diào)制的SPWM控制而言，逆變橋一個(gè)橋臂上下兩只開關(guān)管互補(bǔ)開關(guān)。經(jīng)試驗(yàn)，當(dāng)用NE5532時(shí)，RR2取510歐姆時(shí)，死區(qū)時(shí)間大約為100μs。 時(shí)序控制電路用一片NE5532即U1A、U1B組成一個(gè)50Hz同步方波發(fā)生電路（圖212）。把15K的鋸齒波信號(hào)和100Hz的饅頭波信號(hào)進(jìn)行比較，從而產(chǎn)生SPWM波形。震蕩電容CT取10nF震蕩電阻RT取10K的電阻，如圖211中C13，R25所示，另一端直接接地。母線電壓的利用率也大幅度提高了，可以在94%以上。 SPWM調(diào)制 PP值饅頭波圖211 SPWM波形產(chǎn)生電路SG3525由一個(gè)雙門限電壓均從基準(zhǔn)電源取得，其高門限電壓低門限電壓，內(nèi)部橫流源向CT充電，其端壓VC線性上升，構(gòu)成鋸齒波的上升沿，當(dāng)時(shí)比較器動(dòng)作，充電過程結(jié)束，上升時(shí)間t1為： （23）比較器動(dòng)作時(shí)使放電電路接通，CT放電，VC下降并形成鋸齒波的下降沿，當(dāng)時(shí)比較器動(dòng)作，放電過程結(jié)束，完成一個(gè)工作循環(huán)，下降時(shí)間間t2為： （24）此時(shí)間即為死區(qū)時(shí)間鋸