【摘要】第一章半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)自測(cè)題一、(1)√(2)×(3)√(4)×(5)√(6)×二、(1)A(2)C(3)C(4)B(5)AC三、UO1≈UO2=0UO3≈-UO4≈2VUO5≈UO6≈-2V四、UO1=6VUO2=5V五、根據(jù)PCM=200mW可得:UCE=40
2025-06-30 23:33
【摘要】電力電子技術(shù)答案2-1與信息電子電路中的二極管相比,電力二極管具有怎樣的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)才使得其具有耐受高壓和大電流的能力?答:,使得硅片中通過電流的有效面積增大,顯著提高了二極管的通流能力。P區(qū)和N區(qū)之間多了一層低摻雜N區(qū),也稱漂移區(qū)。低摻雜N區(qū)由于摻雜濃度低而接近于無摻雜的純半導(dǎo)體材料即本征半導(dǎo)體,由于摻雜濃度低,低摻雜N區(qū)就可以承受很高的電壓
2024-11-12 04:06
【摘要】第三部分習(xí)題與解答習(xí)題1客觀檢測(cè)題一、填空題1、在雜質(zhì)半導(dǎo)體中,多數(shù)載流子的濃度主要取決于摻入的雜質(zhì)濃度,而少數(shù)載流子的濃度則與溫度有很大關(guān)系。2、當(dāng)PN結(jié)外加正向電壓時(shí),擴(kuò)散電流大于漂移電流,耗盡層變窄。當(dāng)外加反向電壓時(shí),擴(kuò)散電流小于漂移電流,耗盡層變寬。3、在N型半導(dǎo)體中,電子為多數(shù)載流子,空穴為少數(shù)載流子。二.
2024-08-18 08:03
【摘要】模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)第1章常用半導(dǎo)體器件。(l)在本征半導(dǎo)體中加入(A)元素可形成N型半導(dǎo)體,加入(C)元素可形成P型半導(dǎo)體。B.四價(jià)C.三價(jià)(2)當(dāng)溫度升高時(shí),二極管的反向飽和電流將(A)。
2025-06-30 01:03
【摘要】1《數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)教程》習(xí)題與參考答案(2020.9)韋逸華第1章習(xí)題與參考答案【題1-1】將下列十進(jìn)制數(shù)轉(zhuǎn)換為二進(jìn)制數(shù)、八進(jìn)制數(shù)、十六進(jìn)制數(shù)。(
2024-10-28 09:56
【摘要】第1章習(xí)題及答案.=5V,V,二極管的正向壓降可忽略不計(jì),試分別畫出輸出電壓的波形。解:(a)圖:當(dāng)E時(shí),=E,當(dāng)E時(shí),。(c)圖:當(dāng)E時(shí),。(d)圖:當(dāng)E時(shí),;當(dāng)E時(shí),。畫出波形如圖所示。.有兩個(gè)穩(wěn)壓管DZ1和DZ2,,。,3V
2025-07-04 21:55
【摘要】《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》習(xí)題答案本文由cluo95貢獻(xiàn)pdf文檔可能在WAP端瀏覽體驗(yàn)不佳。建議您優(yōu)先選擇TXT,或下載源文件到本機(jī)查看。第1章習(xí)題及答案.在圖題所示的各電路圖中E=5V,ui?10sin?tV,二極管的正向壓降可忽略不計(jì),試分別畫出輸出電壓uo的波形。+
2024-11-05 08:14
【摘要】1第一章電路的基本概念和基本定律在題,各元件電壓為U1=-5V,U2=2V,U3=U4=-3V,指出哪些元件是電源,哪些元件是負(fù)載?解:元件上電壓和電流為關(guān)聯(lián)參考方向時(shí),P=UI;電壓和電流為非關(guān)聯(lián)參考方向時(shí),P=UI。P0時(shí)元件吸收功率是負(fù)載,P0時(shí),元件釋放功率,是電源。本題中元件1、2、
2024-11-03 10:22
【摘要】第三部分習(xí)題與解答習(xí)題1客觀檢測(cè)題一、填空題1、在雜質(zhì)半導(dǎo)體中,多數(shù)載流子的濃度主要取決于摻入的雜質(zhì)濃度,而少數(shù)載流子的濃度則與溫度有很大關(guān)系。2、當(dāng)PN結(jié)外加正向電壓時(shí),擴(kuò)散電流大于漂移電流,耗盡層變窄。當(dāng)外加反向電壓時(shí),擴(kuò)散電流小于漂移電流,耗盡層變寬。3、在
2024-11-12 06:14
2024-08-09 10:44
【摘要】第三章晶體管放大電路基礎(chǔ)。設(shè)晶體管的,,,。(1)試求時(shí)的、、及晶體管的集電極功耗的值;15V5Vui+-RbV1RcUo+-(2)若將圖中的晶體管換成另一只的管子,電路還能否正常放大信號(hào)?為什么?解:(1)由題有:(2)若換為的三極管,則此時(shí),BJT工作在飽和區(qū),不能正常發(fā)達(dá)信號(hào)。C
【摘要】第一章半導(dǎo)體基礎(chǔ)及二極管應(yīng)用電路(a)所示。(1)利用硅二極管恒壓源模型求電路的靜態(tài)工作電流ID和輸出電壓Uo;(2)在室溫下,利用二級(jí)管的小信號(hào)模型求Uo的變化范圍。解:(1)(b)所示,其中二極管用恒壓源模型代替。得 R1KWV2V1ED(10±1)V(a) UOR1KWED10V(b)
2025-06-29 22:24
【摘要】1模擬試題一一、選擇填空(每空1分,共20分)1.純凈的半導(dǎo)體叫()。摻入3價(jià)雜質(zhì)元素形成的半導(dǎo)體叫(),它主要靠導(dǎo)電()。A.空穴B.本征半導(dǎo)體C.P型半導(dǎo)體D.自由電子2.PN結(jié)正偏時(shí),多子的()運(yùn)動(dòng)較強(qiáng),PN結(jié)變薄,結(jié)電阻較()。A.?dāng)U散B.漂移C.小D.大3.三極管有()和()兩
2024-10-29 19:42
【摘要】1、工作在放大區(qū)的某三極管,如果當(dāng)IB從12μA增大到22μA時(shí),IC從1mA變?yōu)?mA,那么它的β約為?!尽緼.83B.91C.1002、已知圖所示電路中VCC=12V,RC=3kΩ,靜態(tài)管壓降UCEQ=6V;并在輸出端加負(fù)載電阻RL,其阻值為3kΩ。選擇一個(gè)合適的答案填入空內(nèi)。(1)該電路的
2025-07-04 20:13
【摘要】第1頁共69頁答案參見我的新浪博客:第一章常用半導(dǎo)體器件自測(cè)題一、判斷下列說法是否正確,用“√”和“×”表示判斷結(jié)果填入空內(nèi)。(1)在N型半導(dǎo)體中如果摻入足夠量的三價(jià)元素,可將其改型為P型半導(dǎo)體。()(2)因?yàn)镹型半導(dǎo)體的多子是自由電子,所以它帶負(fù)電。()
2024-11-02 11:36