【正文】 (f)所示各電路在深度負(fù)反饋條件下的電壓放大倍數(shù)。解：(a)電壓并聯(lián)負(fù)反饋；(b) 電壓串聯(lián)負(fù)反饋；(e)電流并聯(lián)負(fù)反饋；(f)電流串聯(lián)負(fù)反饋。 (d)~(h)所示各電路中引入了哪種組態(tài)的交流負(fù)反饋，并計(jì)算它們的反饋系數(shù)。圖(e) 引入了交、直流負(fù)反饋。圖(c) 所示電路中通過RS引入直流負(fù)反饋；通過RS、C2和Rl、R2并聯(lián)引入交流負(fù)反饋；通過CRg引入交流正反饋。圖(c)所示電路中引入了直流負(fù)反饋。(a) (b) (c) (d) (e) (f) (g) (h) 解：圖(a)所示電路中引入了直流負(fù)反饋。( ) 所示各電路中是否引入了反饋，是直流反饋還是交流反饋，是正反饋還是負(fù)反饋。( )(3)反饋量僅僅決定于輸出量。(1)只要在放大電路中引入反饋,就一定能使其性能得到改善。 (4)交流負(fù)反饋是指( C )。 而所謂閉環(huán)是指( B ) (2)在輸入量不變的情況下，若引入反饋后( D )，則說明引入的反饋是負(fù)反饋。第6章 放大電路中的反饋習(xí)題。試分別求出電路的和，并畫出波特圖。補(bǔ)充1 (a)所示電路中，若β＝100 , rbe =1kΩ，Cl = C2= Ce=100μF ，則下限頻率=?解：由于所有電容容量相同，而Ce所在回路等效電阻最小，所以下限頻率決定于Ce所在回路的時(shí)間常數(shù)。 解：(1)決定電路下限頻率的是Ce ，因?yàn)樗诨芈返牡刃щ娮枳钚?。試定性分析下列問題，并簡述理由。解：(1)電壓放大倍數(shù)的表達(dá)式： (2)和分別為：； ∵，∴ (3)根據(jù)電壓放大倍數(shù)的表達(dá)式可知，中頻電壓放大倍數(shù)為104 ，增益為80dB 。解： 。 解：、和的表達(dá)式分析如下： (a)所示電路中，已知，；場效應(yīng)管的 , 。，已知,。增大。減小。(2)求解CC2的容量和下限頻率 ； ； (a)所示電路中，若Ce突然開路，則中頻電壓放大倍數(shù)、和各產(chǎn)生什么變化（是增大、減小、還是基本不變）？為什么？解：將減小。(3)高頻特性最差即上限頻率最低的電路是( c )。(a) (b) (c) (d) (1)低頻特性最差即下限頻率最高的電路是( a )。已知：晶體管的β、均相等，所有電容的容量均相等，靜態(tài)時(shí)所有電路中晶體管的發(fā)射極電流IEQ均相等。 (2) 所示。解：(1) 變換電壓放大倍數(shù)的表達(dá)式，求出、和。(2)。解：(1)變換電壓放大倍數(shù)的表達(dá)式，求出、和。故電路的表達(dá)式為： 所示，試問：(1)該電路的耦合方式；(2)該電路由幾級放大電路組成；(3)當(dāng)f =104HZ時(shí)，附加相移為多少？當(dāng)f =105HZ時(shí)，附加相移又約為多少？（4）該電路的上限頻率為多少？解：(1)因?yàn)橄孪藿刂诡l率為0 , 所以電路為直接耦合電路；(2)因?yàn)樵诟哳l段幅頻特性為?60dB／十倍頻，所以電路為三級放大電路； (3)當(dāng)f =104Hz時(shí)，；當(dāng)f =105Hz時(shí)。 解：觀察波特圖可知，中頻電壓增益為40dB ，即中頻放大倍數(shù)為?100 。 解：設(shè)電路為基本共射放大電路或基本共源放大電路。(2)在空載情況下，若be 間等效電容為，則上限頻率的表達(dá)式( )；當(dāng)RS 為零時(shí)，將( ① )；當(dāng)Rb 減小時(shí), gm 將( ① ), 將( ① ), 將( ③ )。(1)在空載情況下，下限頻率的表達(dá)式( )。第5章 放大電路的頻率響應(yīng)習(xí)題 ，已知晶體管的、。(3)消除交越失真。 通用型運(yùn)放F747 所示，試分析：(1)偏置電路由哪些元件組成？基準(zhǔn)電流約為多少？(2)哪些是放大管，組成幾級放大電路，每級各是什么基本電路？(3) T 19 、T 20 和R8組成的電路的作用是什么？ 解：(1)由T 10 、T 11 、T 9 、T 8 、T 12 、T 13 、R5 構(gòu)成。(3)為T 6設(shè)置靜態(tài)電流，且為T 6的集電極有源負(fù)載，增大共射放大電路的放大能力。解：(1) uI1為反相輸入端， uI2為同相輸入端。 解：T l為共射放大電路的放大管；T 2和T 3組成互補(bǔ)輸出級；T T R2組成偏置電路，用于消除交越失真。未過流時(shí)T5電流很?。贿^流時(shí)使, T 5更多地為T 3的基極分流。(3) 50μA電流源為T 3提供射極電流，在交流等效電路中等效為大阻值的電阻。(2) T 4截止。 (3) 50μA電流源的作用； (4) T 5與R的作用。 ，單電源供電。當(dāng)T 2導(dǎo)通時(shí)，未過流時(shí)較小，因小于開啟電壓使T 6截止；過流時(shí)因 大于開啟電壓使T 6導(dǎo)通，為T 2基極分流。在圖(b)所示電路中，T4 、T 5使T T 3微導(dǎo)通，可消除交越失真。當(dāng)T2導(dǎo)通時(shí)，, 未過流時(shí)較小，因小于開啟電壓使D3 截止；過流時(shí)因大于開啟電壓使D3導(dǎo)通，為T2基極分流。 (a) (b) 解：在圖(a)所示電路中，Dl 、D2使TT3 微導(dǎo)通，可消除交越失真。反相輸入端的輸入電流為，同相輸入端的輸入電流為。A ．增大輸入級的耐壓值 B ．增大放大能力 C ．增大帶負(fù)載能力(4) Tl和T2管的靜態(tài)壓降約為( A )。A ．共集共基接法 B ．共集共射接法 C ．共射共基接法(2)電路所采用的上述接法是為( C )。選擇合適的答案填入空內(nèi)。由于， , 因此，故。∴ 。(1)求解電壓放大倍數(shù)的表達(dá)式；(2)當(dāng)有共模輸入電壓時(shí)，簡述理由。 ，Tl和T2管的特性相同，所有晶體管的β均相同，Rcl 遠(yuǎn)大于二極管的正向電阻。Tl和T2 、T3和T4分別組成的復(fù)合管為放大管，T5和T6組成的鏡像電流源為有源負(fù)載。設(shè)各管β均相同。試求出電壓放大倍數(shù)的表達(dá)式。，Tl與T2管特性相同，它們的低頻跨導(dǎo)為gm 。試求解電壓放大倍數(shù)的表達(dá)式。 當(dāng)時(shí)。 解：因?yàn)門l 、TT3的特性均相同，且UBE 均相同，所以它們的基極、集電極電流均相等，設(shè)集電極電流為IC。 ,已知所有晶體管的特性均相同,。4. 2 所示，試分別說明它們各屬于哪種類型的運(yùn)放。80V的放大器，應(yīng)選用( ⑤)。(5)負(fù)載需5A電流驅(qū)動(dòng)的放大器，應(yīng)選用( ⑥ )。(4)作內(nèi)阻為100kΩ。(2)作寬頻帶放大器，應(yīng)選用( ③ )。第4章 集成運(yùn)算放大電路習(xí)題，將應(yīng)優(yōu)先考慮使用的集成運(yùn)放填入空內(nèi)。若R3開路，則Tl和T3組成復(fù)合管，等效, T3可能飽和，使得（直流）。已知電壓放大倍數(shù)為100 ，輸入電壓uI為正弦波，T2和T3管的飽和壓降UCES=1V 。 。解：Ad和Ri的近似表達(dá)式分別為 ； 所示，Tl ~T5的電流放大系數(shù)分別為β1~β5 , be間動(dòng)態(tài)電阻分別為rbe1~rbe5，寫出Au、Ri和Ro的表達(dá)式。 所示電路Ad和Ri的近似表達(dá)式。試求解差模放大倍數(shù)和輸入電阻。 解：Rw 滑動(dòng)端在中點(diǎn)時(shí)T1管和T2管的發(fā)射極靜態(tài)電流分析如下： ∵ ∴ 動(dòng)態(tài)參數(shù)Ad和Ri分析如下： ，T1和T2兩管的β均為140，均為4kΩ。解：在圖(c)所示電路中 ； ；； 在圖(e)所示電路中； ； ，晶體管的β均為100， 。 Q 點(diǎn)合適。在圖(b)所示電路中 ∵； ∴ ； (c)、(e)所示，晶體管的β均為200 , 均為。求解、和。 (a) (b) (c) (d) (e)解：(1)圖(d)、(e)所示電路的輸入電阻比較大； (2)圖(c)、(e)所示電路的輸出電阻比較??； (3)圖(e)所示電路的電壓放大倍數(shù)最大。由電路Ⅰ、Ⅱ組成的多級放大電路如圖(c)、(d)、(e)所示，它們均正常工作。 (a) (b) (c) (d)解：(1)。設(shè)圖中所有電容對于交流信號均可視為短路。(g)構(gòu)成NPN型管，上端為集電極，中端為基極，下端為發(fā)射極。(e)不能。(c)構(gòu)成NPN 型管，上端為集電極，中端為基極，下端為發(fā)射極。 (a) (b) (c) (d)(e) (f) (g) 解：(a)不能。（2）若想增大，就要增大漏極靜態(tài)電流以增大，故可增大R2或減小RRS。(2)求電壓放大倍數(shù)：∵， ∴ 所示。 (a) (b) 解：(1)求Q 點(diǎn)：根據(jù)電路圖可知。 ； ；(a)所示電路中場效應(yīng)管的轉(zhuǎn)移特性如圖(b)所示。(b)所示。(a)所示。(1)利用圖解法求解Q點(diǎn)；(2)利用等效電路法求解、和。(a) (b) (c) (d)解：(a)源極加電阻RS ； (b)漏極加電阻RD；(c)輸入端加耦合電容； (d)在Rg 支路加?VGG， +VDD 改為?VDD。 所示各電路中的錯(cuò)誤，使它們有可能放大正弦波電壓。(1)求解Q點(diǎn)、和(2)設(shè)Us = 10mV （有效值），問,若C3開路，則,解：(1) Q 點(diǎn)： 、和的分析：, , 。(1)求出Q點(diǎn)； (2)分別求出RL=∞和RL=3kΩ時(shí)電路的、和。 (3) Ce開路時(shí)，（減小）； （增大）； （不變）。故 ，晶體管β=100，=100Ω?？蛰d時(shí)，輸入信號增大到一定幅值，電路首先出現(xiàn)飽和失真。 ，設(shè)靜態(tài)時(shí)，晶體管飽和管壓降。(1)現(xiàn)已測得靜態(tài)管壓降UCEQ=6V，估算Rb；(2)若測得和的有效值分別為1mV和100mV，則負(fù)載電阻RL為多少？解：(1)，, ∴。 所示電路中的NPN管換成PNP管，其它參數(shù)不變，則為使電路正常放大電源應(yīng)作如何變化？ Q點(diǎn)、和變化嗎？如變化，則如何變化？若輸出電壓波形底部失真，則說明電路產(chǎn)生了什么失真，如何消除？解：由正電源改為負(fù)電源；Q點(diǎn)、和不會(huì)變化；輸出電壓波形底部失真對應(yīng)輸入信號正半周失真，對PNP管而言，管子進(jìn)入截止區(qū)，即產(chǎn)生了截止失真；減小Rb。分別計(jì)算和時(shí)的Q點(diǎn)、和。 (6) RC短路, 。(4) Rb2開路,無基極電流,。 (3) Rb1開路,臨界飽和基極電流，實(shí)際基極電流。在下列情況下，用直流電壓表測量晶體管的集電極電位，應(yīng)分別為多少？ (1)正常情況；(2)Rb1短路；