【摘要】模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)第1章常用半導(dǎo)體器件。(l)在本征半導(dǎo)體中加入(A)元素可形成N型半導(dǎo)體,加入(C)元素可形成P型半導(dǎo)體。B.四價(jià)C.三價(jià)(2)當(dāng)溫度升高時(shí),二極管的反向飽和電流將(A)。
2025-06-30 01:03
【摘要】(第一章)第一章二進(jìn)制到十六進(jìn)制、十進(jìn)制(1)(10010111)2=(97)16=(151)10(3)()2=()16=()10十進(jìn)制到二進(jìn)制、十六進(jìn)制(1)(17)10=(10001)2=(11)16100216(2)(1101101)2=(6D)16=(109)10(4)()2=()16=()10(2)(1
2024-10-31 15:00
【摘要】一、填空題:(每空3分,共15分)1.邏輯函數(shù)有四種表示方法,它們分別是()、()、()和()。2.將2004個(gè)“1”異或起來(lái)得到的結(jié)果是()。3.由555定時(shí)器構(gòu)成的三種電路中,()和()是脈沖的整形電路。4.TTL器件輸入腳懸空相當(dāng)于輸入(
2025-06-06 12:19
【摘要】第1章電力電子器件1.使晶閘管導(dǎo)通的條件是什么?答:使晶閘管導(dǎo)通的條件是:晶閘管承受正向陽(yáng)極電壓,并在門極施加觸發(fā)電流(脈沖)?;颍簎AK0且uGK0。2.維持晶閘管導(dǎo)通的條件是什么?怎樣才能使晶閘管由導(dǎo)通變?yōu)殛P(guān)斷?答:維持晶閘管導(dǎo)通的條件是使晶閘管的電流大于能保持晶閘管導(dǎo)通的最小電流,即維持電流。要使晶閘管由導(dǎo)通變?yōu)殛P(guān)斷,可利用外加電壓和
2025-06-24 13:41
【摘要】evaluationofscientificdevelopment.Naturesecuritytype--naturesecurityistomaintenancepeopleofhealthvaluefortarget,throughstrengtheningsecuritybasedmana
2024-11-02 13:00
【摘要】第一章電力電子器件圖1-43中陰影部分為晶閘管處于通態(tài)區(qū)間的電流波形,各波形的電流最大值均為Im,試計(jì)算各波形的電流平均值Id1、Id2、Id3與電流有效值I1、I2、I3。解:a)Id1=I1=b)Id2=I2=c)
2025-06-29 20:12
【摘要】模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)第四版清華大學(xué)電子學(xué)教研組編童詩(shī)白華成英主編自測(cè)題與習(xí)題解答山東大學(xué)物理與微電子學(xué)院目錄第1章常用半導(dǎo)體器件‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥3第2章基本放大電路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥14第3章多級(jí)放大電路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥31第4章集成運(yùn)算放大電路‥‥‥‥‥‥‥‥‥41第5章放
【摘要】模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)第1章常用半導(dǎo)體器件1選擇合適答案填入空內(nèi)。(l)在本征半導(dǎo)體中加入(A)元素可形成N型半導(dǎo)體,加入(C)元素可形成P型半導(dǎo)體。B.四價(jià)C.三價(jià)(2)當(dāng)溫度升高時(shí),二極管的反向飽和電流將(A)。
2024-08-23 21:43
【摘要】模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)第1章常用半導(dǎo)體器件。(l)在本征半導(dǎo)體中加入(A)元素可形成N型半導(dǎo)體,加入(C)元素可形成P型半導(dǎo)體。(2)當(dāng)溫度升高時(shí),二極管的反向飽和電流將(A)。(3)工作在放大區(qū)的某三極管,如果當(dāng)IB從12uA增大到22uA時(shí),IC從
2024-08-22 18:47
【摘要】模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)自測(cè)題與習(xí)題解答第1章常用半導(dǎo)體器件自測(cè)題一、判斷下列說(shuō)法是否正確,用“×”和“√”表示判斷結(jié)果填入空內(nèi)。(1)在N型半導(dǎo)體中如果摻入足夠量的三價(jià)元素,可將其改型為P型半導(dǎo)體。(√)(2)因?yàn)镹型半導(dǎo)體的多子是自由電子,所以它帶負(fù)電。(×)(3)PN結(jié)在無(wú)光照、無(wú)外加電
2025-06-06 18:04
【摘要】第1章常用半導(dǎo)體器件自測(cè)題一、判斷下列說(shuō)法是否正確,用“×”和“√”表示判斷結(jié)果填入空內(nèi)。(1)在N型半導(dǎo)體中如果摻入足夠量的三價(jià)元素,可將其改型為P型半導(dǎo)體。(√)(2)因?yàn)镹型半導(dǎo)體的多子是自由電子,所以它帶負(fù)電。(×)(3)PN結(jié)在無(wú)光照、無(wú)外加電壓時(shí),結(jié)電流為零。(√)(4)處于放大狀態(tài)的晶體管,集電極電流是多子
2025-03-31 04:55
【摘要】第三章多級(jí)放大電路內(nèi)容提要本章首先介紹以單管放大電路為單元電路所組成的多級(jí)放大電路的耦合方式及分析方法,然后闡明直接耦合放大電路的溫漂問(wèn)題,以及組成直接耦合多級(jí)放大電路的輸入級(jí)——差分放大電路。第三章目錄多級(jí)放大電路的耦合方式多級(jí)放大電路的分析方法直接耦合放大電路在第二章我們介紹了單管基本
2025-01-26 02:11
【摘要】第9章功率放大電路功率放大電路概述互補(bǔ)功率放大電路功率放大電路概述一.在多級(jí)放大電路的末級(jí)是功率放大級(jí),對(duì)功率放大電路的基本要求是:(1)輸出功率盡可能大功率放大電路的特點(diǎn)最大基本不失真輸出功率:Pom不產(chǎn)生截止失真和飽和失真最大
2025-01-26 02:09
【摘要】目錄第1章電力電子器件·················
2024-10-26 13:09
【摘要】第一章半導(dǎo)體二極管一.半導(dǎo)體的基礎(chǔ)知識(shí)---導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體和絕緣體之間的物質(zhì)(如硅Si、鍺Ge)。---光敏、熱敏和摻雜特性。----純凈的具有單晶體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體。----帶有正、負(fù)電荷的可移動(dòng)的空穴和電子統(tǒng)稱為載流子。----在本征半導(dǎo)體中摻入微量雜質(zhì)形成的半導(dǎo)體。體現(xiàn)的是半導(dǎo)體的摻雜特性。*P
2024-11-02 11:37