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正文內(nèi)容

年產(chǎn)500噸多晶硅16000噸三氯氫硅項目建議書可研報告-文庫吧資料

2025-07-04 15:13本頁面
  

【正文】 102)、還原主車間二(103)、三氯氫硅車間(104)、精餾車間(105)、尾氣回收車間(106)、氫氣氣柜(201)、乙類倉庫一(202)、乙類倉庫二(203)、貯罐區(qū)(204)、貯罐區(qū)泵房(205)、熱水池及泵房(301)、機(jī)修車間(302)、車庫(303)、發(fā)配電間(304)、循環(huán)(消防)水池(305)、循環(huán)(消防)水池泵房(306)、輔助車間(307)、事故應(yīng)急池(308)、污水處理系統(tǒng)(309)、地磅一(310)、地磅二(311)、綜合辦公樓(401)、研發(fā)樓(402)、門衛(wèi)一(403)、門衛(wèi)二(404)、門衛(wèi)三(405)。(4)結(jié)合地形、地質(zhì)、氣象等自然條件布置并符合豎向布置和綠化的要求。(2)符合生產(chǎn)工藝要求,保證生產(chǎn)過程中的連續(xù)性,使生產(chǎn)作業(yè)線最短、物料流向合理,管線短捷、避免反復(fù)運(yùn)輸和交叉作業(yè)。綜上所述,所選廠址是適宜的。廠址附近無自然景觀和人文景觀,無縣級以上重點(diǎn)文物保護(hù)對象,無特別需要保護(hù)的生物物種,項目生產(chǎn)區(qū)對區(qū)域環(huán)境質(zhì)量影響較小,符合規(guī)劃要求。本項目擬在**鹽化化工業(yè)基地的280畝土地上進(jìn)行項目建設(shè)。 廠址方案本項目選址在鹽化基地,該基地位于城區(qū)東南約6公里的新基山,東西長約2802米,南北長約3760米。(4)供汽:本項目年用蒸汽17280噸。(3)供電:供電為雙回路10KV 13000KVA容量的專用供電系統(tǒng)接入,一路是從***化工的110 KV變電站接入,另一路是從新建鹽化基地220 KV變電站接入。(2)排水:本項目排水為生活污水、工藝廢水。廠區(qū)采用DN150的給水管道為全廠生產(chǎn)、生活和消防供水。廠區(qū)附近已經(jīng)敷設(shè)DN300的自來水管,本工程從該市政給水管上將自來水接入廠區(qū)即可,接入管管徑DN150。鹽化基地位于城區(qū)西南約2公里的福城工業(yè)園。鹽化基地位于城區(qū)東南約6公里的新基山,東西長約2802米,南北長約3760米。(3)地震烈度根據(jù)《中國地震動參數(shù)區(qū)劃圖》(GB183062001),**地區(qū)抗震設(shè)防烈度小于6度,為非抗震設(shè)防區(qū)。,贛江洪水位標(biāo)高21m,廠址受北部大堤保護(hù),大堤面標(biāo)高23~24m,故不受洪水威脅。 水文地質(zhì)及地震烈度(1)水文該地區(qū)水文地質(zhì)條件較為簡單,自上而下有兩個含水巖組,一是松散巖孔隙含水巖組,地下水賦存于砂礫卵石層,厚度一般8~10m,最厚達(dá)12m以上,地下水埋深5~7m。**是**“大十字架”生產(chǎn)力布局的天心地膽之地,境內(nèi)有“二鐵二高二國道一航道”的交通樞紐優(yōu)勢。市區(qū)位于橫穿**的浙贛鐵路和縱貫**的贛江交叉點(diǎn)上,市域東鄰豐城、南接新干、西毗新余、北連高安。49′07″至28176。06′33″至115176。**市地處**中部,鄱陽湖平原南緣,跨贛江中游兩岸,自古有“八省通衢之要沖,贛中工商之鬧市”之稱,水陸交通運(yùn)輸十分便利,浙贛鐵路穿境而過,京九鐵路和105國道縱穿南北,贛粵高速公路和滬瑞高速公路橫貫東西,**港與南昌、九江港并稱為贛江三大港口。生產(chǎn)所需輔料主要有氮?dú)庾灾乒┥a(chǎn)使用。b、設(shè)計標(biāo)準(zhǔn)及規(guī)定《爆炸和火災(zāi)危險環(huán)境電力裝置設(shè)計規(guī)范》 GB5005892《自動化儀表選型規(guī)定》 HG/T205072000《儀表供電設(shè)計規(guī)定》 HG/T205092000《儀表供氣設(shè)計規(guī)定》 HG/T205102000《信號報警、安全連鎖系統(tǒng)設(shè)計規(guī)定》 HG/T205112000 主要設(shè)備一覽表位號設(shè)備名稱規(guī)格材質(zhì)數(shù)量一三氯氫硅裝置1氯氣緩沖罐¢60018506Q235A12氯化氫合成爐¢120038508Q335A43氯化氫緩沖罐¢80021508Q435A24水環(huán)真空泵SZ2型組合件15真空緩沖罐¢60018506Q236A16硅粉干燥器¢600/¢4003820Q336A67沸騰爐¢1200/¢5008211Q436A68網(wǎng)袋過濾器¢1300/¢12002480Q137A69空冷器¢600/¢5002476Q237A610冷凝器¢5003200 F30m2Q337A611接受槽¢6001850 Q437A612粗品收集槽¢20004900 V13m3Q138A113氮?dú)饩彌_罐¢60018306Q238A114水噴射器¢80石棉酚醛115尾氣洗滌塔¢800/¢300010Q438A116精餾塔¢2731435010617前冷凝器¢7002200 F20m210618后冷凝器¢4002450 F7m210619過濾器¢1591830610620尾氣緩沖罐¢60018307Q140A121熱水槽¢6001830Q240A122熱水泵2B11組合件223接收槽¢80015506Q235A224接收槽¢80015506Q235A1225阻火器¢325650Q235A126氫氣緩沖罐¢60018506Q235A127阻火器¢219540Q235A228冷水冷凝器¢4002450 F7m210129干燥器¢60018506Q235A430除氧器¢325245010131塔釜加熱器  132螺旋冷凍機(jī)  233計量罐  634制氮機(jī)PSA10 135雷蒙磨機(jī)4R型 136三氯氫硅儲罐¢2400720020337四氯化硅儲罐¢24007200201二多晶硅裝置1原料水罐Ф12002800 V=Q23512電解槽外形尺寸:401016501747復(fù)合件13制氫裝置外形尺寸:360022004500復(fù)合件14礫石阻火器Dg500Q23525氫氣冷卻器Ф5302850 F=25m2Q23516緩沖罐Ф120033008Q23527阻火器Ф1593801018片堿干燥器Ф80038008Q23529活性碳吸附器Ф80046008Q235210除氧器Ф80027508Q235211冷卻器Ф6003400 F=25m2Q235212冷凍除水器Ф8003200 F=25m2Q235213硅膠干燥器Ф80046008Q235414加熱器Ф5302850 F=25m2Q235115阻火器Ф27345010216氫氣二次凈化器不銹鋼117螺旋板換熱器F=50m2不銹鋼218加熱器Ф100012008不銹鋼219高位槽Ф160018008Q235120磁力泵不銹鋼421高低沸儲罐Ф200058008Q235122揮發(fā)器Ф80015004Q235不銹鋼323氫氣過濾器Ф273800不銹鋼924還原爐Ф80021504還原爐Ф110026501025螺旋板換熱器不銹鋼226尾氣回收器Ф8002800Q235不銹鋼227噴淋水洗塔Ф82040008Q235襯PE228填料水洗塔Ф82045008Q235襯PE129絲網(wǎng)阻火器Dg350Q235230氫氣氣柜V=600m3131水環(huán)壓縮機(jī)SZ3232水洗 池400015001200133中和池800020001200134計量罐Ф80027006Q235235氮?dú)饩彌_罐Ф80012008不銹鋼136硅芯爐237純水裝置1m3/H138氮?dú)庋b置239無油空壓機(jī)2m3/min24035℃冷凍機(jī)組40萬大卡2 5 原材料、燃料及動力的供應(yīng) 主要原材料、燃料及動力的需求序號品 名主 要 規(guī) 格單位年用量備 注1工業(yè)硅≧98%t/a52802氫氣純度≧98%、含氧量≤%萬Nm3/a4703氯氣≧98%t/a164804氮?dú)猕R99%萬Nm3/a自產(chǎn)5三氯氫硅≧99%t/a15000自產(chǎn)6水萬m3/a7電380/280V,50Hz萬Kw 多晶硅裝置自控技術(shù)a、主要技術(shù)方案本項目若實(shí)行全流程自動化控制投資較大,因此本裝置根據(jù)工藝和輔助,公用工程等的不同操作和特性,采用簡單調(diào)節(jié)、復(fù)雜調(diào)節(jié)和組合調(diào)節(jié),重要參數(shù)均為自動調(diào)節(jié)、集中控制、并按生產(chǎn)需要設(shè)置了一些溫度、壓力、流量、液位的報警和設(shè)備的連鎖,輔助生產(chǎn)裝置的參數(shù)就地檢測和操作,一般采用單參數(shù)調(diào)節(jié)。對生產(chǎn)過程的重要控制點(diǎn)設(shè)有報警系統(tǒng)并與相關(guān)動力進(jìn)行聯(lián)鎖。主要控制方案為:以常規(guī)數(shù)字顯示為主,根據(jù)工藝要求,設(shè)置兩個控制室,作為溫度集中顯示點(diǎn),流量以現(xiàn)場控制為主,報警系統(tǒng)也安裝在控制室里。該項目部分工段采用間歇性生產(chǎn),并以現(xiàn)場操作為主。 工藝流程方框圖三氯氫硅工藝流程方框圖 干燥 氫氣 脫氧 干燥 HCL合成爐 氯氣 硅粉 沸騰爐 過濾器 硅粉回收利用 空氣冷凝器 鹽水冷凝器 尾氣冷凝器 回收 粗三氯氫硅 淋洗塔 放空 精餾塔 檢驗 檢驗 三氯氫硅成品 副產(chǎn)品四氯化硅 H2儲氣柜凈化裝置加壓泵粗三氯氫硅儲槽鼓泡器精三氯氫硅還原爐多晶硅檢測切割包裝多晶硅產(chǎn)品尾氣回收HCl硅芯多晶硅芯爐硅芯純H2廢水排放中和處理H2冷凝液多晶硅H2+Cl2=2HClSi+3HCl=SiHCl3+H2 并伴隨有如下副反應(yīng):SiHCl3+HCl=SiCl4+H2SiHCl3+ H2=Si+3HCl并伴隨有如下副反應(yīng):4SiHCl3=3SiCl4+2H2+Si 原材料消耗定額及年消耗量序號名 稱規(guī)格單位單位定額(/t)年用量備注一三氯氫硅1硅粉≥98%t52802氫≥99%m33201043氯氣≥98%m3164804氮?dú)狻?8%m396000自產(chǎn)二多晶硅1三氯氫硅%t2010000自產(chǎn)2氫氣99%m32010000 自控方案 三氯氫硅裝置自控技術(shù)(1)自控設(shè)計范圍本設(shè)計適用于年產(chǎn)16000噸三氯氫硅項目裝置,項目裝置包括氯化氫合成、三氯氫硅合成、三氯氫硅提純、尾氣回收和洗滌吸收等工序;該控制系統(tǒng)將在生產(chǎn)裝置內(nèi)滿足本裝置的生產(chǎn)監(jiān)視、過程控制、參數(shù)報警、數(shù)據(jù)記錄及趨勢等項的功能要求,并能安全可靠運(yùn)行。精餾殘液(塔釜排液及輕組份液體)則送往高低沸物儲槽,裝車外賣。洗滌水則進(jìn)入中和池進(jìn)行處理。通過調(diào)節(jié)電流強(qiáng)度,控制載體溫度,使?fàn)t內(nèi)載體直徑變粗,達(dá)到供直拉單晶硅所需直徑要求的多晶硅。精餾的釜底殘液及輕組分三氯氫硅則進(jìn)入高低沸物槽,裝車外賣。二級全凝器的尾氣進(jìn)入尾氣緩沖罐,再經(jīng)尾氣洗滌塔洗滌達(dá)標(biāo)排空。(2)三氯氫硅精制工序自制的三氯氫硅放入三氯氫硅儲槽,再經(jīng)泵送往高位槽,經(jīng)控制流量后進(jìn)入精餾塔釜,從塔頂出來的氣相經(jīng)全凝器(二級)進(jìn)行冷凝得到的冷凝液再經(jīng)過濾器,一路返回精餾塔頂作為回流液,一路作為產(chǎn)品流入計量槽。該項目同時建設(shè)有電解水制氫系統(tǒng)。(4)尾氣吸收工序來自冷凝器的不凝性氣體進(jìn)入尾氣洗滌塔,經(jīng)循環(huán)泵送出的洗滌水在尾氣洗滌塔中五處噴淋洗滌,回收HCl溶液至20%濃度后外售;氣體達(dá)標(biāo)排放。在沸騰爐中,硅粉和氯化氫反應(yīng)生成三氯氫硅。合成的HC1氣體經(jīng)氯化氫緩沖罐純化去三氯氫硅合成工序。
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