產(chǎn)1000噸太陽能多晶硅項目建議書-文庫吧資料
2025-01-21 00:49本頁面
【正文】 由日本三菱公司推薦國外進口設備生產(chǎn)工廠和進口設備目錄，并提供數(shù)名技術(shù)人員指導。2℃的環(huán)境條件中，相對濕度、空氣凈度也相應嚴格要求。按要求進行產(chǎn)成品包裝，經(jīng)驗收合格入庫。對硅片進行質(zhì)量檢驗。用鉬絲鋸去鑄錠粗糙不合格部分后，進行表面酸洗，再用切片機根據(jù)市場要求規(guī)格地切成硅片。 鑄錠爐分析化驗后，將四周不合格部分除去，進入第五工序。工序四⑷進行鑄錠。工序二⑵將液體硅水注入加溫后的真空熔煉爐，同時加入水離子蒸汽，并使用10%比例的重質(zhì)碳酸鈣進行溶煉，每2小時除渣一次，共計五次工序，取液體樣分析磷含量達到內(nèi)控技術(shù)指標要求后，進入第三工序。工序一將金屬硅原材料進行破碎后酸洗（要求20—50mm粒度），投入到加溫的真空熔煉爐中，提高溫度至1450℃—1470℃進行溶煉，抽真空達到要求范圍后，升溫進行真空溶煉。目前日本規(guī)模化和產(chǎn)業(yè)化使用此工藝技術(shù)的公司有三菱硅、JFE、住友等大型多晶硅生產(chǎn)企業(yè)。針對上述缺點，日本很早就開始對太陽能電池等級多晶硅的規(guī)?；a(chǎn)為化生產(chǎn)進行研究，并于2004年開始啟動使用物理法規(guī)?；?、產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)太陽能電池等級多昌硅。由于上述原因，導致當前國內(nèi)外太陽能電池等級的多晶硅基本采用單晶硅純度稍低的頭尾料或單晶爐的鍋底剩料，進一步熔煉去雜，勾兌并再次熔鑄造錠而成?；瘜W提純法通常使用美國UCC公司開發(fā)的硅烷(SiH4)法，此法的特點是：熱分解溫度較低，耗電相對較少；但缺點是硅烷具有強爆炸性，易造成事故，不安全，僅在特殊工藝中少量運用。 目前中國尚未掌握多晶硅生產(chǎn)的成熟技術(shù)，同時一個多晶硅生產(chǎn)廠的建設需要投資數(shù)十億元以及數(shù)年的建設周期，所以目前巨大的多晶硅缺口不可能在短時期內(nèi)得到改善，市場需求極為迫切。2
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