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正文內(nèi)容

基于單片機(jī)的作息時(shí)間控制系的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)畢業(yè)論文-文庫(kù)吧資料

2025-07-03 19:10本頁(yè)面
  

【正文】 I= H 表示DB7~DB0 為顯示數(shù)據(jù)D/I= L表示DB7~DB0 為顯示指令數(shù)據(jù)5R/WH/LR/W= H E= H 數(shù)據(jù)被讀到DB7~DB0R/W= L E= H L 數(shù)據(jù)被寫(xiě)到IR 或DR 6EH/LR/W= L E 信號(hào)下降沿鎖存DB7~DB0R/W= H E= H DDRAM 數(shù)據(jù)讀到DB7~DB0 7DB0H/L數(shù)據(jù)線8DB1H/L數(shù)據(jù)線9DB2H/L數(shù)據(jù)線10DB3H/L數(shù)據(jù)線11DB4H/L數(shù)據(jù)線12DB5H/L數(shù)據(jù)線13DB6H/L數(shù)據(jù)線14DB7 H/L數(shù)據(jù)線15CS1H/LH:選擇芯片(右半屏)信號(hào)16CS2 H/LH:選擇芯片(左半屏)信號(hào)17RETH/L復(fù)位信號(hào),低電平復(fù)位18VEE10VLCD 驅(qū)動(dòng)負(fù)電壓19ELAC背光板電源20ELAC背光板電源指令表: 指令指令碼功能R/WD/ID7D6D5D4D3D2D1D0顯示ON/OFF0000111111/0控制顯示器的開(kāi)關(guān)不影響DDRAM中數(shù)據(jù)和內(nèi)部狀態(tài)顯示起始行0011顯示起始行0 63指定顯示屏從DDRAM中哪一行開(kāi)始顯示數(shù)據(jù)設(shè)置X地址0010111X 0 7設(shè)置DDRAM中的頁(yè)地址(X地址)設(shè)置Y地址0001Y地址 0 63設(shè)置地址(Y地址)讀狀態(tài)10BUSY0ON/OFFRST0000讀取狀態(tài)RES 1:復(fù)位0:正常ON/OFF 1:顯示開(kāi)0:顯示關(guān)BUSY 0:READY 1:IN OPERATION寫(xiě)顯示數(shù)據(jù)01顯示數(shù)據(jù)將數(shù)據(jù)線上的數(shù)據(jù)DB7 DB0寫(xiě)入DDRAM讀顯示數(shù)據(jù)11顯示數(shù)據(jù)將DDRAM上的數(shù)據(jù)讀入線數(shù)據(jù)DB7 DB01)顯示開(kāi)關(guān)控制(DISPLAY ON/OFF) 代碼R/WD/IDB7DB6DB5DB4DB3DB2DB1DB0形式000011111DD=1:開(kāi)顯示(DISPLAY ON)意即顯示器可以進(jìn)行各種顯示操作D=0:關(guān)顯示(DISPLAY OFF)意即不能對(duì)顯示器可以進(jìn)行各種顯示操作2)設(shè)置顯示起始行代碼R/WD/IDB7DB6DB5DB4DB3DB2DB1DB0形式0011A5A4A3A2A1A0顯示起始行是由Z 地址計(jì)數(shù)器控制的,A5~A0 的6 位地址自動(dòng)送入Z 地址計(jì)數(shù)器起始行的地址可以是0~63 的任意一行。7)Z 地址計(jì)數(shù)器Z 地址計(jì)數(shù)器是一個(gè)6 位計(jì)數(shù)器,此計(jì)數(shù)器具備循環(huán)記數(shù)功能,用于顯示行掃描同步,當(dāng)一行掃描完成此地址計(jì)數(shù)器自動(dòng)加1,指向下一行掃描數(shù)據(jù),RST 復(fù)位后Z 地址計(jì)數(shù)器為0。Y 地址計(jì)數(shù)器具有循環(huán)記數(shù)功能,各顯示數(shù)據(jù)寫(xiě)入后 Y 地址自動(dòng)加1, Y地址指針從0 到63。XY 地址計(jì)數(shù)器實(shí)際上是作為DDRAM 的地址指針,X地址計(jì)數(shù)器為DDRAM 的頁(yè)指針,Y地址計(jì)數(shù)器為DDRAM 的Y 地址指針。DDF 的狀態(tài)是指令DISPLAY ON/OFF 和RST 信號(hào)控制的。利用STATUS READ 指令可以將BF 讀到數(shù)據(jù)總線從而檢驗(yàn)?zāi)K之工作狀態(tài)。1)指令寄存器(IR) IR 是用于寄存指令碼,與數(shù)據(jù)寄存器數(shù)據(jù)相對(duì)應(yīng),當(dāng)D/I=0 時(shí)在E 信號(hào)下降沿的作用下指令碼寫(xiě)入IR2)數(shù)據(jù)寄存器(DR) DR 用于寄存數(shù)據(jù),與指令寄存器寄存指令相對(duì)應(yīng),當(dāng)D/I=1 時(shí)在下降沿作用下,圖形顯示數(shù)據(jù)寫(xiě)入DR,或在E 信號(hào)高電平作用下,由DR 讀到DB7~DB0 數(shù)據(jù)總線,DR 和DDRAM 之間的數(shù)據(jù)傳輸是模塊內(nèi)部自動(dòng)執(zhí)行的。主要技術(shù)參數(shù)和性能:1)電源VDD +5V 模塊內(nèi)自帶10V 負(fù)壓用于LCD 的驅(qū)動(dòng)電壓2)顯示內(nèi)容128(列) 64(行)點(diǎn)3)全屏幕點(diǎn)陣4)七種指令5)與CPU 接口采用8 位數(shù)據(jù)總線并行輸入輸出和8 條控制線6)占空比1/64 7)工作溫度10 +55 存儲(chǔ)溫度20 +60模塊主要硬件構(gòu)成說(shuō)明(結(jié)構(gòu)框圖)ICIC2 為列驅(qū)動(dòng)器,IC1 控制模塊的右半屏,IC2 控制模塊的左半屏, IC3 為行驅(qū)動(dòng)器。本設(shè)計(jì)采用內(nèi)置控制器、不帶字庫(kù)的圖形點(diǎn)陣液晶顯示模塊,點(diǎn)陣數(shù)為12864。顯示可用LED數(shù)碼管或LCD顯示,LCD顯示器具有顯示豐富、功耗低、低閃爍和低幅射等特點(diǎn)。所以在每走一步后,程序必須延時(shí)一段時(shí)間。若勵(lì)磁信號(hào)反向傳送,則步進(jìn)電動(dòng)機(jī)反轉(zhuǎn)。因分辨率提高,且運(yùn)轉(zhuǎn)平滑,每送一勵(lì)磁信號(hào)可走9度,故亦廣泛被采用。若勵(lì)磁信號(hào)反向傳送,則步進(jìn)電動(dòng)機(jī)反轉(zhuǎn)。因其轉(zhuǎn)矩大,振動(dòng)小,故為目前使用最多的勵(lì)磁方式,每送一勵(lì)磁信號(hào)可走18度。若勵(lì)磁信號(hào)反向傳送,則步進(jìn)電動(dòng)機(jī)反轉(zhuǎn)。消耗電力小,精確度良好,但轉(zhuǎn)矩小,振動(dòng)較大,每送一勵(lì)磁信號(hào)可走18度。因此,依序不斷送出脈沖信號(hào),即可步進(jìn)電動(dòng)機(jī)連續(xù)轉(zhuǎn)動(dòng)。圖為步進(jìn)電動(dòng)機(jī)的控制等效電路,適應(yīng)控制A、B、/A、/B的勵(lì)磁信號(hào),即可控制步進(jìn)電動(dòng)機(jī)的轉(zhuǎn)動(dòng)。若每旋轉(zhuǎn)一圈以20個(gè)勵(lì)磁信號(hào)來(lái)計(jì)算,則每個(gè)勵(lì)磁信號(hào)前進(jìn)18度,其旋轉(zhuǎn)角度與脈沖數(shù)成正比,正、反轉(zhuǎn)可由脈沖順序來(lái)控制。在接收管處為增加輸出信號(hào)強(qiáng)度和減少噪聲影響,輸出端也加一拉電阻R11,阻值為10K,由于本設(shè)計(jì)是利用單片機(jī)中斷以做出及時(shí)響應(yīng),在這里輸出需加一反向器然后再送入單片才能達(dá)到控制功能,在這里我采用74LS04。 紅外發(fā)射二極管的額定電流為550mA在這里我選取限流電阻R10 470Ω,而從PCF8563產(chǎn)生的信號(hào)比較微弱,須加上拉電阻,在這里選取R8 10K的上拉電阻。為保證紅外接收模塊接收的準(zhǔn)確性,要求發(fā)送端載波信號(hào)的頻率應(yīng)盡可能接近38kHz,因此在設(shè)計(jì)脈沖振蕩器時(shí),要選用精密元件并保證電源電壓穩(wěn)定。然后,通過(guò)帶通濾波器和進(jìn)行濾波,濾波后的信號(hào)由解調(diào)電路進(jìn)行解調(diào)。該接收模塊是一個(gè)三端元件,使用單電源+5V電源,具有功耗低、抗干擾能力強(qiáng)、輸入靈敏度高、對(duì)其它波長(zhǎng)(950nm以外)的紅外光不敏感的特點(diǎn),其內(nèi)部結(jié)構(gòu)框圖如圖2所示。若傳送的波特率設(shè)為1200bps,則每個(gè)數(shù)位“0”對(duì)應(yīng)32個(gè)載波脈沖調(diào)制信號(hào)的時(shí)序,如圖1所示。紅外發(fā)送器的工作原理為:串行數(shù)據(jù)由單片機(jī)的串行輸出端DATA送出并驅(qū)動(dòng)Q1管,數(shù)位“0”使Q1管導(dǎo)通,通過(guò)Q2管調(diào)制成38kHz的載波信號(hào),并利用紅外發(fā)射管Q3以光脈沖的形式向外發(fā)送。紅外發(fā)送器電路包括脈沖振蕩器、驅(qū)動(dòng)管Q1和Q紅外發(fā)射管Q3等部分。紅外通信是利用950nm近紅外波段的紅外線作為傳遞信息的媒體,即通信信道。復(fù)位要求主CPU將數(shù)據(jù)線下拉500微秒,然后釋放,DS18B20收到信號(hào)后等待16~60微秒左右,后發(fā)出60~240微秒的存在低脈沖,主CPU收到此信號(hào)表示復(fù)位成功。在DS18B20出廠時(shí)該位被設(shè)置為0,用戶不要去改動(dòng)。第九個(gè)字節(jié)是冗余檢驗(yàn)字節(jié)。第三個(gè)和第四個(gè)字節(jié)是TH、TL的易失性拷貝,第五個(gè)字節(jié)是結(jié)構(gòu)寄存器的易失性拷貝,這三個(gè)字節(jié)的內(nèi)容在每一次上電復(fù)位時(shí)被刷新。溫度數(shù)據(jù)輸出(二進(jìn)制)數(shù)據(jù)輸出(十六進(jìn)制)+125℃0000 0111 1101 000007D0h+85℃0000 0101 0101 00000550h+℃0000 0001 1001 00010191h+℃0000 0000 1010 001000A2h+℃0000 0000 0000 10000008h0℃0000 0000 0000 00000000h℃1111 1111 1111 1000FFF8h℃1111 1111 0101 1110FF5Eh℃1111 1110 0110 1111FE6Fh55℃1111 1100 1001 0000FC90hDS18B20溫度傳感器的存儲(chǔ)器DS18B20溫度傳感器的內(nèi)部存儲(chǔ)器包括一個(gè)高速暫存RAM和一個(gè)非易失性的可電擦除的E2RAM,后者存放高溫度和低溫度觸發(fā)器TH、TL和結(jié)構(gòu)寄存器。LS Byte:Bit7Bit6Bit5Bit4Bit3Bit2Bit1Bit02322212021222324MS Byte:Bit15Bit14Bit13Bit12Bit11Bit10Bit9Bit8SSSSS262524這是12位轉(zhuǎn)化后得到的12位數(shù)據(jù),存儲(chǔ)在18B20的兩個(gè)8比特的RAM中,二進(jìn)制中的前面5位是符號(hào)位,如果測(cè)得的溫度大于0,這5位為0,;如果溫度小于0,這5位為1。光刻ROM的作用是使每一個(gè)DS18B20都各不相同,這樣就可以實(shí)現(xiàn)一根總線上掛接多個(gè)DS18B20的目的。光刻ROM中的64位序列號(hào)是出廠前被光刻好的,它可以看作是該DS18B20的地址序列碼。DS18B20內(nèi)部結(jié)構(gòu)DS18B20內(nèi)部結(jié)構(gòu)主要由四部分組成:64位光刻ROM、溫度傳感器、非揮發(fā)的溫度報(bào)警觸發(fā)器TH和TL、配置寄存器。C。C范圍內(nèi),精度為177。C~+125176。與前一代產(chǎn)品不同,新的產(chǎn)品支持3V~,使系統(tǒng)設(shè)計(jì)更靈活、方便?,F(xiàn)場(chǎng)溫度直接以“一線總線”的數(shù)字方式傳輸,大大提高了系統(tǒng)的抗干擾性。 本模塊電路簡(jiǎn)單,只須將三地址端和寫(xiě)保護(hù)接地就可以了。當(dāng)字地址計(jì)數(shù)達(dá)到內(nèi)存地址的極限時(shí),則字地址會(huì)產(chǎn)生覆蓋,順序讀將繼續(xù)進(jìn)行。 執(zhí)行順序讀時(shí),首先執(zhí)行現(xiàn)行讀或隨機(jī)讀的有關(guān)過(guò)程,在讀出第一個(gè)資料之后,單片機(jī)輸出“0”應(yīng)答信號(hào)ACK。它和現(xiàn)行地址讀。 應(yīng)該注意:在隨機(jī)讀的第二個(gè)步驟是執(zhí)行現(xiàn)行地址讀的,由于第一個(gè)步驟時(shí)芯片接收了字地址,故現(xiàn)行地址就是所送入的字地址。 當(dāng)EEPROM芯片接收了器件地址及字地址時(shí),在芯片產(chǎn)生應(yīng)答信號(hào)ACK之后,單片機(jī)必須再產(chǎn)生一個(gè)起始狀態(tài),執(zhí)行現(xiàn)行地址讀,這時(shí)單片機(jī)再發(fā)出器件地址并且令R/W=1,則EEPROM應(yīng)答器件地址并行輸出被讀數(shù)據(jù)。 第一,執(zhí)行偽寫(xiě)入——把字地址送入EEPROM,以選擇需讀的字節(jié)。而在現(xiàn)行地址讀操縱中,地址的循環(huán)覆蓋是在最后頁(yè)面的最后一個(gè)字節(jié)讀出之后,再行讀出才覆蓋第一個(gè)頁(yè)面的第一個(gè)字節(jié)?,F(xiàn)行地址讀會(huì)產(chǎn)生地址循環(huán)覆蓋現(xiàn)象,但和寫(xiě)操縱的循環(huán)覆蓋不同。一旦器件地址選中EEPROM芯片,并且有R/W=1,則在芯片的應(yīng)答信號(hào)ACK之后把讀出的現(xiàn)行地址的資料送出。芯片內(nèi)部字地址計(jì)數(shù)器會(huì)加1,產(chǎn)生現(xiàn)行地址。下面分別說(shuō)明它們的工作過(guò)程。和寫(xiě)操縱不同的就是信號(hào)為時(shí)執(zhí)行讀操作。 ④讀操作:讀操作的啟動(dòng)是和寫(xiě)操作類(lèi)同的。單片機(jī)是通過(guò)發(fā)送起始狀態(tài)及器件地址進(jìn)行應(yīng)答查詢的。 應(yīng)答查詢:應(yīng)答查詢是單片機(jī)對(duì)EEPROM各種狀態(tài)的一種檢測(cè)。 之所以可以連續(xù)向芯片發(fā)送1個(gè)頁(yè)面資料,是因?yàn)樽值刂返牡?~4位在EEPROM芯片內(nèi)部可實(shí)現(xiàn)加1,字地址的高位不變,用于保持頁(yè)面的行地址。對(duì)于AT24C04/08/16,則共可發(fā)送1個(gè)頁(yè)面共16個(gè)字節(jié)(連第一個(gè)8位資料在內(nèi))。 當(dāng)芯片接受了第一個(gè)8位資料并產(chǎn)生應(yīng)答信號(hào)ACK之后,單片機(jī)可以連續(xù)向EEPROM芯片發(fā)送共為1頁(yè)面的資料。在起始狀態(tài),首先寫(xiě)入8位器件地址;待EEPROM答當(dāng)了“0”信號(hào)ACK之后,寫(xiě)入8位字地址;又待芯片應(yīng)答了“0”信號(hào)ACK之后,寫(xiě)入8位資料。頁(yè)面寫(xiě): 這種寫(xiě)入方式執(zhí)行含若干字節(jié)的1個(gè)頁(yè)面的寫(xiě)入。內(nèi)部寫(xiě)過(guò)程大約需要10ms時(shí)間。在EEPROM的內(nèi)部寫(xiě)周期中,其所有輸入被屏蔽,同時(shí)不響應(yīng)外部信號(hào)直到寫(xiě)周期完成。當(dāng)然在一個(gè)字節(jié)寫(xiě)過(guò)程結(jié)束時(shí),單片機(jī)應(yīng)以停止?fàn)顟B(tài)結(jié)束寫(xiě)過(guò)程。到此為止,完成了一個(gè)字節(jié)寫(xiě)過(guò)程,故應(yīng)在SDA端產(chǎn)生一個(gè)停止?fàn)顟B(tài),這是外部寫(xiě)過(guò)程。 在起始狀態(tài)中,首先寫(xiě)入8位的器件地址。 字節(jié)寫(xiě):這種寫(xiě)方式只執(zhí)行1個(gè)字節(jié)的寫(xiě)入。其以后的輸入,輸出情況視寫(xiě)入和讀出的內(nèi)容而定。 當(dāng)EEPROM芯片被選中時(shí),則輸出“0”;如果EEPROM芯片沒(méi)有被選中,則它回到備用方式。 第三部分:讀/寫(xiě)選擇位,器件地址字的最低位,并用R/W表示。在應(yīng)用時(shí),“A2,A1,A0”的內(nèi)容必須和EEPROM芯片的A2,A1,A0的硬布線情況,即邏輯連接情況相比較,如果一樣,則芯片被選中;否則,不選中。硬布線地址的3位有2種符號(hào):Ai(i=0~2),Pj(j=0~2)其中Ai表示外部硬布線地址位。這4位的內(nèi)容恒為”1010”,用于標(biāo)識(shí)EEPROM器件AT24C01A/02/04/08/16。第三部分是最低位,它是讀/寫(xiě)操作選擇位。 從圖中看出:器件地址字含有3個(gè)部分。 ② 芯片的操作地址 D7D6D5D4D3D2D1D01010A2A1A0R/W 用于內(nèi)存EEPROM芯片尋址的器件地址字如圖所示。在邏輯電路中的AT24CXX系列的5種芯片種,即AT24C01A/02/04/08/16中,如果和器件地址字相比較結(jié)果一致,則讀芯片被選中。下面分別介紹器件尋址,寫(xiě)操作和讀操作。在寫(xiě)操作中,它們有“字節(jié)寫(xiě)”,“頁(yè)面寫(xiě)”兩種不同的寫(xiě)入方法。在下面兩種情況中,EEPROM都會(huì)進(jìn)入備用方式:第一,芯片通電的時(shí)候;第二,在接到停止位和完成了任何內(nèi)部操作之后。ACK信號(hào)在第9個(gè)時(shí)鐘周期時(shí)出現(xiàn)。當(dāng)EEPROM接受完一個(gè)寫(xiě)入資料之后,會(huì)在SDA上發(fā)一個(gè)”0”應(yīng)答信號(hào)。 停止?fàn)顟B(tài):當(dāng)SCL處于高電平時(shí),SDA從低電平變到高電平則處于停止?fàn)顟B(tài)。起始狀態(tài):當(dāng)SCL為高電
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