【正文】 X5045不能完成非易失性寫操作，但是在其他方面工作正常。片選（/CS） 當/CS為高電平時,X5043/45被檢測,SO輸出引腳處于高阻抗狀態(tài)，除非內(nèi)部寫操作在進行中的時候，X5045將處于后備電源模式。串行輸入（SI）SI是串行數(shù)據(jù)輸入引腳，所有的操作碼，字節(jié)，地址及數(shù)據(jù)都通過這個引腳寫入存儲器，串行時鐘脈沖上升沿時，數(shù)據(jù)被鎖存。輸出復位高電平有效，直至VCC=1V復位信號仍有效l SPI接口方式，最高可達1MHZ的串行時鐘頻率l 512*8位串行EEPROMl 低功耗CMOS，3mA工作電流，10uA備用電流l 電源電壓：l 分塊鎖定，可保護1/4，1/2或所有EEPROM列l(wèi) 防止偶然性寫保護l 高可靠性，數(shù)據(jù)可保存100年，每字節(jié)可擦除次數(shù)可達到10萬次l 可編程的復位門限。FLASH存儲器編程時，該引腳加上+12V的編程允許電源Vpp，當然這必須是該器件是使用12V編程電壓Vpp。需注意的是：如果加密位LB1被編程，復位時內(nèi)部會鎖存EA端狀態(tài)。PSEN——程序儲存允許（PSEN）輸出是外部程序存儲器的讀選通信號，當AT89C52由外部程序存儲器取指令（或數(shù)據(jù)）時，每個機器周期兩次PSEN有效，即輸出兩個脈沖，在此期間，當訪問外部數(shù)據(jù)存儲器，將跳過兩次PSEN信號。該位置位后，只有一條MOVX和MOVC指令才能將ALE激活。對FLASH存儲器編程期間，該引腳還用于輸入編程脈沖（PROG）。一般情況下，ALE仍以時鐘振蕩頻率的1/6輸出固定的脈沖信號，因此它可對外輸出時鐘或用于定時目的。當振蕩器工作時，RST引腳出現(xiàn)兩個機器周期以上高電平將是單片機復位。P3口除了作為一般的I/O口線外，更重要的用途是它的第二功能，如下表所示：端口引腳第二功能RXD(串行輸入口)TXD(串行輸出口)INTO(外中斷0)INT1(外中斷1)TO(定時/計數(shù)器0)T1(定時/計數(shù)器1)WR(外部數(shù)據(jù)存儲器寫選通)RD(外部數(shù)據(jù)存儲器讀選通)此外，P3口還接收一些用于FLASH閃存編程和程序校驗的控制信號。對P3口寫入“1”時，它們被內(nèi)部上拉電阻拉高并可作為輸入端口。P3口——P3口是一組帶有內(nèi)部上拉電阻的8位雙向I/O口。在訪問8位地址的外部數(shù)據(jù)存儲器（如執(zhí)行MOVXRI指令）時，P2口輸出P2鎖存器的內(nèi)容。對端口P2寫“1”，通過內(nèi)部的上拉電阻把端口拉到高電平，此時可作輸入口，作輸入口使用時，因為內(nèi)部存在上拉電阻，某個引腳被外部信號拉低時會輸出一個電流。FLASH編程和程序校驗期間，P1接收低8位地址。作輸入口使用時，因為內(nèi)部存在上拉電阻，某個引腳被外部信號拉低時會輸出一個電流。P1口——P1口是一個帶內(nèi)部上拉電阻的8位雙向I/O口，P1的輸出緩沖級可驅動（吸收或輸出電流）4個TTL邏輯門電路。在訪問外部數(shù)據(jù)存儲器或程序存儲器時，這組口線分時轉換地址（低8位）和數(shù)據(jù)總線復用，在訪問期間激活內(nèi)部上拉電阻。AT89C52的芯片管腳圖如圖31 圖31引腳功能說明：VCC——電源電壓GND——地P0口——P0口是一組8位漏極開路型雙向I/O口，也即地址/數(shù)據(jù)總線復用口?？臻e方式停止CPU工作，但允許RAM，定時/計數(shù)器，串行通信口及中斷系統(tǒng)繼續(xù)工作。單 片 機電源電路自動復位電路繼電器電路顯示電路電鈴電路 圖22第三章 硬件設計3. 1 單片機部分 AT89C52特點：● 與MCS51產(chǎn)品指令和引腳完全兼容● 8K字節(jié)可重擦寫FLASH閃存● 1000次擦寫周期● 全靜態(tài)操作：0Hz24MHz● 三級加密程序存儲器● 256X8字節(jié)內(nèi)部RAM● 32個可編程I/O口線● 3個16位定時/計數(shù)器● 8個中斷源● 可編程串行UART通道● 低功耗空閑和掉電模式功能特性概述：AT89C52提供以下標準功能：8K字節(jié)FLASH閃存，256字節(jié)內(nèi)部RAM，32個I/O口線，3個16位定時/計數(shù)器，一個6向量兩級中斷結構，一個全雙工串行通信口，片內(nèi)振蕩器及時鐘電路。2. 2總體設計及系統(tǒng)原理經(jīng)比較我們選定單片機芯片為AT89C52，存儲器芯片為X5045。正因為如此，國家有關部門已明文規(guī)定從1997年起新產(chǎn)電梯不得使用繼電器控制電梯，改用PLC微電腦控制電梯。它具有可靠性高，抗干擾性強，功能齊全，體積小，靈活可擴，軟件直接、簡單，維護方便，外形美觀等優(yōu)點；以往繼電器控制的電梯有幾百個觸點控制電梯的運行。可編程控制器簡稱作PLC。 是直接代替雙金屬片式熱繼電器的更新?lián)Q代的先進電子產(chǎn)品。 　　除了傳統(tǒng)的繼電器之外，繼電器的技術還應用在其他的方面，比如說電機智能保護器是根據(jù)三相交流電動機的工作原理，分析導致電動機損壞的主要原因研制的，它是一種設計獨特，工作可靠的多功能保護器，在故障出現(xiàn)時，能及時切斷電源，便于實現(xiàn)電機的檢修與維護，該產(chǎn)品具有缺相保護，短路、過載保護功能，適用于各類交流電動機，開關柜，配電箱等電器設備的安全保護和限電控制，是各類電器設備設計安裝的優(yōu)選配套產(chǎn)品。此外還有電流繼電器用來限制電流、電壓繼電器用來控制電壓、靜態(tài)電壓繼電器、相序電壓繼電器、相序電壓差繼電器、頻率繼電器、功率方向繼電器、差動繼電器、接地繼電器、電動機保護繼電器等等?？蓮V泛應用于電力拖動系統(tǒng)，自動程序控制系統(tǒng)及在各種生產(chǎn)工藝過程的自動控制系統(tǒng)中起時間控制作用。 　　最常見的繼電器要數(shù)熱繼電器，通常使用的熱繼電器適用于交流50Hz、60Hz、額定電壓至660V、額定電流至80A的電路中，供交流電動機的過載保護用。繼電器的開關特性在很多的控制系統(tǒng)尤其是離散的控制系統(tǒng)中得到廣泛的應用。擦/寫禁止指令（EWDS）使用該指令可對寫入的數(shù)據(jù)進行保護，操作步驟與擦/寫允許指令相同。芯片寫指令（WRAL）該指令可將命令中指定的數(shù)據(jù)寫入整個存貯器陣列，其它功能與地址寫指令相同。為防止出錯，建議在讀指令結束后，再輸出23個CLK脈沖。地址讀指令（READ）讀指令用于從指定的單元中把數(shù)據(jù)從高位到低位輸出至DO端，但邏輯“0”位先于數(shù)據(jù)位輸出。當DI端輸出最后一個數(shù)據(jù)位后，在CLK時鐘的下一個上升沿以前，CS必須為低，且需至少保持250ns，然后將CS置為高電平。故該指令必須在所有編程模式前執(zhí)行，一旦該指令執(zhí)行后，只要外部沒有斷電就可以對芯片進行編程。DO為“0”，表示編程正在進行；DO為“1”，表示該指定地址的寄存器單元已擦完，可以執(zhí)行下一條指令。指令及時序地址擦指令（ERASE）該指令用于強迫指定地址中所有數(shù)據(jù)位都為“1”。ORG：存貯器構造配置端。VSS：接地。DO：串行數(shù)據(jù)輸出。DI：串行數(shù)據(jù)輸入。在CLK的上升沿，操作碼、地址和數(shù)據(jù)位進入器件或從器件輸出。在連續(xù)的指令之間，CS信號必須持續(xù)至少250ns的低電平，才能保證芯片正常工作。引腳功能CS：片選信號。它采用CMOS技術和Fairchild Semiconductor公司的MicroWire工業(yè)標準3線串行接口，具有1Kb/2kB/4kB的容量，并可通過ORG管腳配置成128*8/256*8/512*8或64*16/128*16256*16等結構。低VCC檢測電路可以保護系統(tǒng)免受低電壓的影響，同時X5045是串行EEPROM 具有簡單的三總線工作的串行外設接口，是一種有獨特功能的高性能價格比存儲器件。這種組合降低了系統(tǒng)的成本并減少了對電路板空間的要求。經(jīng)過比較選擇，最終選用了XICOR公司的X5045。 為了改善主CPU的資源與時序的分配，我們對AT89C51進行串行數(shù)據(jù)存儲器的擴展。在該狀態(tài)下，不管MAX7219處于什么模式，全部LED將按最大亮度接通顯示。停機寄存器（地址：*CH）當位D0=0時，MAX7219處于停機狀態(tài)；當D0=1時，處于正常工作狀態(tài)。小數(shù)點不譯碼，它由顯示數(shù)據(jù)的D7位控制。當高電平時選擇BCDB碼譯碼模式，當?shù)碗娖綍r選擇不譯碼模式。MAX7219內(nèi)部顯示RAM及特殊功能寄存器顯示RAM（地址*1—*8）地址為*1H的RAM數(shù)據(jù)控制接D0引腳的顯示器，地址為*2H的RAM數(shù)據(jù)控制接D1引腳的顯示器。在LOAD的上升延，8位數(shù)據(jù)D0—D7寫入以4位二進制數(shù)D8—D11位地址的RAM或特殊功能寄存器中。數(shù)據(jù)裝載16位接收寄存器將收到的D0—D7位數(shù)據(jù)寫入RAM或特殊功能寄存器是在數(shù)據(jù)裝載信號控制下完成的。為了有選擇的將數(shù)據(jù)寫入8個顯示RAM或6個特殊功能寄存器，D0—D