半導體物理學課程教學大綱-文庫吧資料
2025-06-13 17:11本頁面
【正文】 理論，側重于實際的半導體表面。第八章 半導體表面與MIS結構第一節(jié) 表面態(tài)第二節(jié) 表面電場效應第三節(jié) MIS結構的CV特性第四節(jié) 硅二氧化硅系統(tǒng)的性質第五節(jié) 表面電導及遷移率第六節(jié) 表面電場對pn結特性的影響（一）教學方法與學時分配課堂講授，大約4學時。本章的重點包括金屬和半導體接觸的能帶彎曲過程分析及簡圖畫法。（二）內容及基本要求本章主要討論金屬半導體接觸。難點為IV特性，結電容。通過學習要求掌握pn結的物理特性、能帶結構以及接觸電勢差的計算；掌握IV特性、結電容的推導；了解pn結的擊穿機制和隧道效應。第六章 pn結第一節(jié) pn結及其能帶圖第二節(jié) pn結電流電壓特性第三節(jié) pn結電容第四節(jié) pn結擊穿第五節(jié) pn結隧道效應（一）教學方法與學時分配課堂講授，大約67學時。本章重點包括非平衡載流子的產生、復合，非平衡載流子壽命，載流子的擴散和漂移運動，連續(xù)性方程運用等。（二）內容及基本要求本章主要討論非平衡載流子的產生、復合及其運動規(guī)律。第五章 非平衡載流子第一節(jié) 非平衡載流子的注入與復合第二節(jié) 非平衡載流子的壽命第三節(jié) 準費米能級第四節(jié) 復合理論第五節(jié) 陷阱效應第六節(jié) 載流子的擴散運動第七節(jié) 載流子的漂移運動，愛因斯坦關系式第八節(jié) 連續(xù)性方程式第九節(jié) 硅的少數載流子壽命與擴散長度（一）教學方法與學時分配課堂講授，大約10學時。本章重點包括電導率、遷移率概念及相互關系，遷移率、電阻率隨溫度和雜質濃度的變化規(guī)律，強電場效應。（二）內容及基本要求本章主要討論載流子在外加電場作用下的漂移運動，討論半導體的遷移率、電導率隨溫度和雜質濃度的變化規(guī)律。第四章 半導體的導電性第一節(jié) 載流子的漂移運動和遷移率第二節(jié) 載流子的散射第三節(jié) 遷移率與雜質濃度和溫度的關系第四節(jié) 電阻率及其與雜質濃度和溫度的關系第五節(jié) 玻耳茲曼方程、電導率的統(tǒng)計理論第六節(jié) 強電場下的效應、熱載流子第七節(jié) 多能谷散射、耿氏效應（一）教學方法與學時分配課堂講授，大約78學時。本章重點包括波矢空間的量子態(tài)分布、半導體導帶底、價帶頂附近的狀態(tài)密度計算，費米分布函數和玻耳茲曼分布函數及其物理意義，本征半導體、雜質半導體載流子濃度的計算。（二）內容及基本要求本章主要討論半導體中載流子濃度隨溫度的變化規(guī)律，解決如何計算一定溫度下半導體中熱平衡載流子濃度的問題。第三章 半導體中載流子的統(tǒng)計分布第一節(jié) 狀態(tài)密度第二節(jié) 費米能級和載流子的統(tǒng)計分布第三節(jié) 本征半導體
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