中國醫(yī)科大學(xué)生理細胞-文庫吧資料
2025-06-01 01:04本頁面
【正文】 2. 局部興奮： 閾下剌激引起受刺激膜少量鈉通道開放所產(chǎn)生的、較小的局部去極化電位。 需要用閾刺激。 ： ① “ 全或無 ” all or none： 閾下刺激時不能引起，閾 (上 )刺激時 幅度不隨刺激強度增加而增大 ② 不減衰傳導(dǎo) ③ 鋒電位之間不發(fā)生融合或疊加， 因為有絕對不應(yīng)期。 ①升支 ： － 90 mV到 +30 mV， Na+內(nèi)流 去 極化 depolarization － 90 mV到 0 mV 反 極化 reversepolarization: 0 mV到 +30 mV ②降支 ： +30 mV到 Rp水平， K＋ 外流 復(fù) 極化 repolarization： 去極后向 RP恢復(fù) 超射值 overshoot： AP在零以上的電位值 ③ 鋒電位 spike potential ④ 后電位 負 后電位 negative afterpotential 正 后電位 positive afterpotential 刺激后 ,膜對 Na+通透 ↓ 膜內(nèi)外 Na+勢能貯備 ↓ Na+經(jīng)通道易化擴散 ↓ 擴散的 Na+抵消膜內(nèi) 負電位 ,形成正電位 ↓ 直至正電位增加到足以對抗由濃度差所致的Na+內(nèi)流 ENa ∴ AP的超射值 等于 Na+平衡電位 (+50~+70mV) 依據(jù)有： ①超射值與經(jīng) Nernst 公式計算所得 ENa 相近； ②改變細胞外液中 Na+ 濃度， Ap的幅度 改變； ③采用 Na+ 通道 的特異性 阻斷劑河豚毒 (tetrodotoxibn, TTX) 后 Ap不再產(chǎn)生； ④膜片鉗可觀察到 Ap與 Na+ 通道開放的 高度相關(guān)。 ： 脈沖樣的 主要部分即鋒電位和稍后的后電位（去極化和超極化后電位）。 影響 RP因素 ： ① 胞內(nèi)、外的 [K+]: ∵ [K+]o與 [K+] i的差值決定 EK， ∴ [K+]o ↑ → EK ↓ ② 膜對 K+、 Na+通透性 : K+的通透性 ↑,則 RP↑,更趨向于 EK Na+的通透性 ↑,則 RP↓,更趨向于 ENa ③ Na+K+泵的活動水平 二、動作電位 active potential, AP ：在 RP的 基礎(chǔ)上 可興奮細胞 受到有效刺激 后引起的 可擴布 、 快速 電位 倒轉(zhuǎn)和復(fù)原 。 87mV 2） 改變細胞外 K+濃度 將影響 Rp值 增加骨骼肌細胞外液中的 K+濃度， RP減小。 證明 RP是 K+ 外流形成的 依據(jù) ：
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