中國(guó)醫(yī)科大學(xué)生理細(xì)胞-全文預(yù)覽
【正文】 超射值 overshoot： AP在零以上的電位值 ③ 鋒電位 spike potential ④ 后電位 負(fù) 后電位 negative afterpotential 正 后電位 positive afterpotential 刺激后 ,膜對(duì) Na+通透 ↓ 膜內(nèi)外 Na+勢(shì)能貯備 ↓ Na+經(jīng)通道易化擴(kuò)散 ↓ 擴(kuò)散的 Na+抵消膜內(nèi) 負(fù)電位 ,形成正電位 ↓ 直至正電位增加到足以對(duì)抗由濃度差所致的Na+內(nèi)流 ENa ∴ AP的超射值 等于 Na+平衡電位 (+50~+70mV) 依據(jù)有： ①超射值與經(jīng) Nernst 公式計(jì)算所得 ENa 相近； ②改變細(xì)胞外液中 Na+ 濃度， Ap的幅度 改變； ③采用 Na+ 通道 的特異性 阻斷劑河豚毒 (tetrodotoxibn, TTX) 后 Ap不再產(chǎn)生； ④膜片鉗可觀察到 Ap與 Na+ 通道開放的 高度相關(guān)。 影響 RP因素 ： ① 胞內(nèi)、外的 [K+]: ∵ [K+]o與 [K+] i的差值決定 EK， ∴ [K+]o ↑ → EK ↓ ② 膜對(duì) K+、 Na+通透性 : K+的通透性 ↑,則 RP↑,更趨向于 EK Na+的通透性 ↑,則 RP↓,更趨向于 ENa ③ Na+K+泵的活動(dòng)水平 二、動(dòng)作電位 active potential, AP ：在 RP的 基礎(chǔ)上 可興奮細(xì)胞 受到有效刺激 后引起的 可擴(kuò)布 、 快速 電位 倒轉(zhuǎn)和復(fù)原 。 證明 RP是 K+ 外流形成的 依據(jù) ： 1）與經(jīng) Nernst公式計(jì)算的 K+的平衡電位近似 。 膜外為零，膜內(nèi)負(fù)值。 閾值 ∝ 1/興奮性 閾刺激 ：達(dá)到閾強(qiáng)度的有效刺激 閾 上 刺激、閾 下 刺激 可興奮細(xì)胞 :神經(jīng)細(xì)胞、肌細(xì)胞、腺細(xì)胞 興奮 (excitation):可興奮細(xì)胞 或組織 在閾刺激作用下產(chǎn)生 Ap的 過程 。第三節(jié) 細(xì)胞的生物電現(xiàn)象 Bioelectrical phenomenon 中國(guó)醫(yī)科大學(xué) 生理學(xué)教研室 廖英俊 當(dāng)環(huán)境發(fā)生變化時(shí)，生物體內(nèi)的代謝及其外表活動(dòng)將發(fā)生相應(yīng)的改變 ，稱為生物機(jī)體的 反應(yīng) （ response）。 閾強(qiáng)度 threshold intensity(閾值 ) 在刺激作用時(shí)間和強(qiáng)度 時(shí)間的變化率 固定 不變的情況下， 能引起組織或細(xì)胞產(chǎn)生興奮 (產(chǎn)生 Ap)的 最小 刺激強(qiáng)度 ,是 衡量組織 興奮性 的指標(biāo)。 一. 概述 （一）生物電 ： 可興奮細(xì)
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