光刻工藝bppt課件-文庫(kù)吧資料
2025-05-12 03:51本頁(yè)面
【正文】 ，無(wú)底膜； f. 圖形 套刻準(zhǔn)確 。 影響因素 ：膠自身性質(zhì)和存儲(chǔ)條件。 影響因素 ：膠自身性質(zhì)；光刻工藝條件。 影響因素 ： 膠自身性質(zhì)；環(huán)境潔凈度。 影響因素 ：膠自身性質(zhì)；襯底的性質(zhì)及其表面狀態(tài)。由于膠 的頂層被曝光后變成更透 明，使下層的曝光更徹底、 更均勻。 a太小 : 需很長(zhǎng)曝光時(shí)間。 ■ 光刻的一個(gè)任務(wù)就是調(diào)節(jié)光刻膠的工藝過(guò)程，使 γ 最 大而光刻速度維持在一個(gè)可接受的水平。 b. 對(duì)比度 c. 影響因素 ： 顯影過(guò)程、前烘、后烘、曝光輻照的波長(zhǎng)、硅片表面 的反射率等。 d. 留膜率 : 曝光顯影后的 非溶性膠膜厚度 與曝光前的膠膜厚 度之 比 . 3）對(duì)比度 γ ? Df： 全部光刻膠被去掉 (正膠 ) 或保留 (負(fù)膠 )所需的 最低 曝光劑量 。 ■ H的定義： c. 敏感度： 光刻膠發(fā)生完全光化學(xué)反應(yīng)的 最小曝光劑量 —— 靈敏度 影響因素 ： ? 膠自身性質(zhì) ； ? 光刻工藝條件 ：膠膜厚度 ,曝光劑量，前烘溫度， 顯影液成分等。 a. 是表征光刻膠對(duì)光線 敏感程度 的性能指標(biāo)。 則 : R=1/W (條線 /毫米 ） 最小分辨線寬 w/2， ■ 影響因素 2）感光度和敏感度 ? 正膠 ： 顯影后感光部分的膜厚為零時(shí)的 最小曝光劑量 。 (1) 雙疊氮型交聯(lián)劑進(jìn)行 光化學(xué)分解 反應(yīng)： 基體樹(shù)脂 (聚對(duì)羥基苯乙烯或甲酚醛樹(shù)脂 ),交聯(lián)劑 (六甲氧基 甲基三聚氰氨基ＨＭＭＭ ),光敏產(chǎn)酸物 (PAG，鎓鹽 ). （ 3） 深紫外 248nm負(fù)性化學(xué)放大光刻膠的組成： 光刻膠的性能指標(biāo) 膠自身性質(zhì)： 正膠 負(fù)膠； 光刻工藝： 曝光源、時(shí)間； 膠膜厚度；顯影條件， 硅片平整度等。 聚肉桂酸酯類、聚烴類－雙疊氮系光刻膠等。 ■ 深紫外 248nm曝光，采用負(fù)性化學(xué)放大光刻膠已能獲得與 正膠類似的具有亞微米圖形的精度。 ■ 通常在加工 線寬 2181。顯影時(shí)圖形線寬展寬，烘烤后恢復(fù)，但線 條變形。 ：感光 速度高 ，粘附性和耐腐蝕性強(qiáng)，工藝易于控制， 成本低 。酸催化反應(yīng)數(shù)量遠(yuǎn)大于光 化學(xué)反應(yīng)的數(shù)量。 III 催化劑在反應(yīng)中可以循環(huán)使用 ,酸催化反應(yīng)數(shù)量遠(yuǎn)大于光化 反應(yīng)的數(shù)量。 II)化學(xué)放大過(guò)程： 一個(gè)光子觸發(fā)許多化學(xué)反應(yīng)，靈敏 度大增。
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