光刻工藝appt課件-文庫(kù)吧資料
2025-05-12 03:51本頁(yè)面
【正文】 都不是一個(gè)固定值。 光刻技術(shù)的主體： 光刻機(jī)（曝光機(jī) + 對(duì)準(zhǔn)機(jī)） 它是將掩膜版上的圖形與前次工序中已刻在硅片上的圖形 對(duì)準(zhǔn) 后，再對(duì)硅片表面的光刻膠進(jìn)行 曝光 實(shí)現(xiàn)圖形復(fù)制 的設(shè)備。 套刻精度約為分辨率的 1/3。極限分辨率為 λ /2。 三、光刻機(jī) 光刻機(jī)的三個(gè)主要 性能指標(biāo) : (1) 分辨率 ： 是可以曝光出來(lái)的 最小特征尺寸 。 任何不希望有的鉻可 用激光燒化剝離 。 掩模版的基本結(jié)構(gòu) a. 圖形尺寸準(zhǔn)確 ， 符合設(shè)計(jì)要求； b. 整套掩膜版中的各塊版應(yīng)能 依次套準(zhǔn) ，套準(zhǔn)誤差應(yīng)盡可能??； c. 圖形黑白區(qū)域之間的 反差要高 ； d. 圖形邊緣要光滑陡直， 過(guò)渡區(qū)小 ； e. 圖形及整個(gè)版面上 無(wú) 針孔、小島、劃痕等 缺陷 ； f. 堅(jiān)固 耐用 ，不易變形。 (2) 基版材料： 玻璃、石英。 a. 作用 ： 有選擇的遮擋照射到硅片表面光刻膠膜上的光。 ： 與玻璃粘附力強(qiáng)，針孔小，易加工成圖形，機(jī)械 強(qiáng)度與化學(xué)穩(wěn)定性好 ,分辨率高。m以上 圖形的制造。 說(shuō)明 將電路設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)化為物理圖形的裝置 (3) 驅(qū)動(dòng)和控制圖形發(fā)生器，以一定的間距和布局， 將 掩膜圖形 印制于 掩膜材料 上 ，進(jìn)而制備出批量生產(chǎn) 用的 掩膜版 。 說(shuō)明 層次索引 接觸孔（ 14） 第一層金屬（ 15） 有源區(qū)（ 3） 柵（ 10） 接觸孔尺寸（固定） ?m ?m 最小接觸孔間距 ?m 最小有源區(qū)對(duì)接觸孔覆蓋 ?m 最小接觸孔與柵間距 ?m 最大接觸孔與柵間距 ?m 對(duì)于標(biāo)準(zhǔn)器件性能文件 等等 一組典型的設(shè)計(jì)規(guī)則的例子 (1) 繪制版圖 (2) 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換成 圖形發(fā)生器 的 專用文件 （ CIF文件、 PG 文件等） 制版程序： a. 根據(jù)使用的光刻機(jī)，掩膜可以與最后完成的芯片上的圖形 有 同樣的尺寸 或是該 尺寸的整數(shù)倍 ，后者在曝光時(shí)掩膜上 的圖形被縮小。 基本概念 （概念、版圖設(shè)計(jì)、制版程序、基本結(jié)構(gòu)） (1) 掩膜版： 包含著預(yù)制造集成電路特定層 圖形信息 的模板 . ■ 對(duì)于每一層版圖 ，版圖 設(shè)計(jì)規(guī)則規(guī)定 ： 允許的最小特征尺 寸 、 最小間隔 、該層圖形與其它層圖形的 最小覆蓋 ，與它 下面層圖形的 最小間隔 等。 (3) 掩膜版的版圖 。 b. 決定了組成集成電路芯片每一層的橫向結(jié)構(gòu)與尺寸。這 樣光刻膠就可以用作 刻蝕 下面薄膜時(shí)的 掩蔽膜 或用作離 子 摻雜注入 的 掩蔽膜 。
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