freepeople性欧美熟妇, 色戒完整版无删减158分钟hd, 无码精品国产vα在线观看DVD, 丰满少妇伦精品无码专区在线观看,艾栗栗与纹身男宾馆3p50分钟,国产AV片在线观看,黑人与美女高潮,18岁女RAPPERDISSSUBS,国产手机在机看影片

正文內(nèi)容

ch制造工藝ppt課件-文庫(kù)吧資料

2025-05-11 12:03本頁(yè)面
  

【正文】 2/6/2 29 曝光系統(tǒng) (下圖 ): 點(diǎn)光源產(chǎn)生的光經(jīng)凹面鏡反射得 發(fā)散光束,再經(jīng)透鏡變成平行光束,經(jīng) 45?折射后投射到工作臺(tái)上。 四 、 烘干 : 將顯影液和清潔液全部蒸發(fā)掉 。 三 、 顯影 : 晶圓用真空吸盤吸牢 , 高速旋轉(zhuǎn) ,將顯影液噴射到晶圓上 。 圖 青島科技大學(xué) ? VLSI 2022/6/2 27 光刻 步驟二、三、四 二 、 曝 光 : 光源可以是 可見光 ,紫外線 , X射線和電子束 。 ? 光刻 膠 對(duì)大部分可見光靈敏 , 對(duì)黃光不靈敏 , 可在黃光下操作 。 ? 正性膠適合作窗口結(jié)構(gòu) , 如接觸孔 , 焊盤等 , 而負(fù)性膠適用于做長(zhǎng)條形狀如多晶硅和金屬布線等 。 ? 光刻 膠有兩種:正性 (positive)與負(fù)性 (negative)。 目的是防止水汽引起光刻膠薄膜出現(xiàn)缺陷 。 其作用是把掩膜上的圖型轉(zhuǎn)換成晶圓上的器件結(jié)構(gòu) 。 青島科技大學(xué) ? VLSI 2022/6/2 22 電子束掃描法 (續(xù) ) ? 電子束掃描裝置的用途 : 制造掩膜和直寫光刻。 3) 顯影 : 用二甲苯。 分辨率極高 。X射線可提高分辨率 , 但問題是要想控制好掩膜版上每一小塊區(qū)域的扭曲度是很困難的 。 Xray掩膜版的襯底材料與光學(xué)版不同 , 要求對(duì) X射線透明 , 而不是可見光或紫外線 , 它們常為 Si或 Si的碳化物 。 圖 青島科技大學(xué) ? VLSI 2022/6/2 18 3. X射線制版 ?由于 X射線具有較短的波長(zhǎng) 。 青島科技大學(xué) ? VLSI 2022/6/2 13 早期掩膜制作方法: ?人們先把版圖 (layout)分層畫在紙上 , 每一層mask一種圖案 . 畫得很大 , 50?50 cm2 或100?100cm2, 貼在墻上 , 用照相機(jī)拍照 . 然后縮小 10? 20倍 , 變?yōu)?5 ?5? cm2 或10?10?5?5 cm2的精細(xì)底片 . 這叫初縮 . ?將初縮版裝入步進(jìn)重復(fù)照相機(jī) , 進(jìn)一步縮小到2?2 cm2或 ? cm2, 一步一幅印到鉻 (Cr)板上 , 形成一個(gè)陣列 . 青島科技大學(xué) ? VLSI 2022/6/2 14 IC、 Mask amp。 這樣的掩膜上的圖案僅對(duì)應(yīng)著基片上芯片陣列中的一個(gè)單元 。這種掩膜在一次曝光中 , 對(duì)應(yīng)著一個(gè)芯片陣列的所有電路的圖形都被映射到基片的光刻膠上 。 稱之為鉻板 , Cr mask。 青島科技大學(xué) ? VLSI 2022/6/2 11 什么是掩膜? ?掩膜是用石英玻璃做成的均勻平坦的薄片 , 表面上涂一層 600?800197。 工藝流程中需要的一套掩膜必須在工藝流程開始之前制作出來 。 青島科技大學(xué) ? VLSI 2022/6/2 9 英國(guó) VG Semi公司型號(hào)為 V80SSi的 MBE設(shè)備關(guān)鍵部分照片 青島科技大學(xué) ? VLSI 2022/6/2 10 掩膜 (Mask)的制版工藝 1. 掩膜制造 ? 從物理上講 ,任何半導(dǎo)體器件及 IC者是一系列互相聯(lián)系的基本單元的組合 ,如導(dǎo)體 ,半導(dǎo)體及在基片上不同層上形成的不同尺寸的隔離材料等 .要制作出這些結(jié)構(gòu)需要一套掩膜 。 經(jīng)過 MBE法 , 襯底在垂直方向上的結(jié)構(gòu)變化具有特殊的物理屬性 。MBE幾乎可以在 GaAs基片上生長(zhǎng)無限多的外延層 。 ? MOVPE與其它 VPE不同之處在于它是一種冷壁工藝 , 只要將襯底控制到一定溫度就行了 。 青島科技大學(xué) ? VLSI 2022/6/2 6 Si基片的鹵素生長(zhǎng)外延 ?在一個(gè)反應(yīng)爐內(nèi)的 SiCl4/H2系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn):在水平的外延生長(zhǎng)爐中 , Si基片放在石英管中的石墨板上 , SiCl4, H2及氣態(tài)雜質(zhì)原子通過反應(yīng)管 。用這種方法外延生長(zhǎng)的基片,可制作出很多種器件,如 GaAs,GaAsP, LED管。在不同的 VPE技術(shù)里,鹵素 (Halogen)傳遞生長(zhǎng)法在制作各種材料的沉淀薄層中得到大量應(yīng)用。 原因在
點(diǎn)擊復(fù)制文檔內(nèi)容
教學(xué)課件相關(guān)推薦
文庫(kù)吧 www.dybbs8.com
備案圖鄂ICP備17016276號(hào)-1