點(diǎn)缺陷及位錯(cuò)ppt課件-文庫吧資料
2025-05-11 02:10本頁面
【正文】 移區(qū)和未滑移區(qū)的分界線。 第三章 晶體缺陷 線缺陷 位錯(cuò) 位錯(cuò)的基本類型和性質(zhì) 類型的劃分依據(jù) —— 位錯(cuò)線與位錯(cuò)滑移方向之間的相互關(guān)系 （ 1）刃型位錯(cuò) — 位錯(cuò)線垂直于位錯(cuò)的滑移方向 刃型位錯(cuò)的基本特征： ① 存在一個(gè)對稱的半原子面 。 完整晶體塑性變形 ─滑移的模型 → 金屬晶體的理論強(qiáng)度 → 理論強(qiáng)度比實(shí)測強(qiáng)度高出幾個(gè)數(shù)量級（表） → 晶體缺陷的設(shè)想 ─ 線缺陷（位錯(cuò)）的模型 → 以位錯(cuò)滑移模型計(jì)算出的晶體強(qiáng)度，與實(shí)測值基本相符。是為了解釋晶體在切應(yīng)力作用下變形所受的力，實(shí)驗(yàn)值大大低于理論值這個(gè)現(xiàn)象。 點(diǎn)缺陷 點(diǎn)缺陷對晶體性能的影響 第三章 晶體缺陷 （ 1）結(jié)構(gòu)變化：晶格畸變（如空位引起晶格收縮，間隙原子引起晶格膨 脹，置換原子可引起收縮或膨脹。體系自由能高，晶體處于非熱平衡狀態(tài)。 點(diǎn)缺陷 過飽和點(diǎn)缺陷的形成 第三章 晶體缺陷 a. 熱平衡點(diǎn)缺陷：由熱起伏促使原子脫離點(diǎn)陣位置而形成的點(diǎn)缺陷，體系自由能最低。 當(dāng)這對矛盾達(dá)到統(tǒng)一時(shí)，系統(tǒng)就達(dá)到平衡。 (1)一方面，晶體中點(diǎn)缺陷的形成引起了點(diǎn)陣的畸變，使晶體的內(nèi)能增加，提高了系統(tǒng)的自由能。 另外，在一定條件下，晶體表面上的原子也可能跑到晶體內(nèi)部的間隙位置形成間隙原子 點(diǎn)缺陷 點(diǎn)缺陷的平衡濃度 第三章 晶體缺陷 點(diǎn)缺陷形成的驅(qū)動(dòng)力與溫度有關(guān)，在一定的溫度場下，能夠使原子離位形成點(diǎn)缺陷，那么點(diǎn)缺陷的數(shù)目會(huì)無限制增加嗎？ 從理論上分析可以知道： 一定溫度下，點(diǎn)缺陷的數(shù)目是一定的，這就是點(diǎn)缺陷的平衡濃度。 點(diǎn)缺陷與線、面缺陷的區(qū)別之一是后者為 熱力學(xué)不穩(wěn)定的缺陷 。晶體點(diǎn)缺陷包括 空位、間隙原子、雜質(zhì)或溶質(zhì)原子 ，以及由它們組成的 復(fù)雜點(diǎn)缺陷，如空位對、空位團(tuán)和空位 溶質(zhì)原子對 等。他們經(jīng)常共存，并相互聯(lián)系，相互制約，在一定的
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