點(diǎn)缺陷及位錯(cuò)ppt課件-展示頁(yè)
2025-05-14 02:10本頁(yè)面
【正文】 條件下可以相互轉(zhuǎn)化。 （ 4）體缺陷 如沉積相、孔洞、氣泡等 體缺陷在三維空間各方向上的尺寸都很大，所以也稱為三維缺陷。 （ 2） 線缺陷 即位錯(cuò) 線缺陷在兩個(gè)方向上的尺寸都很小，在另一個(gè)方向上延伸較長(zhǎng)，也稱為一維缺陷。 如果晶格中某格點(diǎn)上的原子空缺了，則稱為 空位 ，這是晶體中最重要的點(diǎn)缺陷。對(duì)于這些原子或離子排列上的缺陷，我們必須用一分為二的觀點(diǎn)來(lái)對(duì)待它。晶體缺陷有其不可避免性。第三章 晶體缺陷 第一章講的晶體學(xué)基礎(chǔ)，都是假設(shè)晶體完全處于理想狀態(tài)，即晶體嚴(yán)格地按周期性的有規(guī)則的排列。 然而，對(duì)于現(xiàn)實(shí)中使用的材料來(lái)說(shuō)，其原子或離子的排列不可能是完全規(guī)則的，即存在著晶體缺陷。晶體缺陷的存在對(duì)于材料性能的影響是 有利有弊 的，有時(shí)人們要盡量避免、減少缺陷的存在；有時(shí)人們又要有目的地引入某種缺陷以改進(jìn)材料的性能。 晶體缺陷的分類 第三章 晶體缺陷 按照缺陷區(qū)相對(duì)于晶體的大小，將晶體缺陷分為 4類： （ 1） 點(diǎn)缺陷 典型代表有 空位與間隙原子等 點(diǎn)缺陷在三維空間各方向上的尺寸都很小，所以也稱為零維缺陷。脫位原子有可能擠入格點(diǎn)的間隙位置，形成 間隙原子 。 （ 3）面缺陷 如晶界、相界、孿晶界、堆垛層錯(cuò)等 面缺陷在兩個(gè)方向上的尺寸都很大，在另一個(gè)方向上尺度較小，也稱為二維缺陷。 這些缺陷在晶體中的濃度很低，但是對(duì)晶體性質(zhì)的影響卻很大。 晶體缺陷的分類 第三章 晶體缺陷 點(diǎn)缺陷是最簡(jiǎn)單的晶體缺陷，它是在結(jié)點(diǎn)上或鄰近的微觀區(qū)域內(nèi)偏離晶體結(jié)構(gòu)的正常排列的一種缺陷。 空位和間隙原子是由于原子的熱運(yùn)動(dòng)而產(chǎn)生的，屬于 熱力學(xué)平衡缺陷 。 點(diǎn)缺陷 點(diǎn)缺陷的形成 第三章 晶體缺陷 點(diǎn)缺陷 點(diǎn)缺陷的形成 一是遷移到晶體表面或內(nèi)表面的正常結(jié)點(diǎn)位置上，而使晶體內(nèi)部留下空位，稱 為肖脫基（ Sch
教學(xué)課件相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號(hào)-1