點缺陷及位錯ppt課件-在線瀏覽
2025-06-22 02:10本頁面
【正文】 ottky）空位； 點缺陷 點缺陷的形成 第三章 晶體缺陷 二是擠人點陣的間隙位置，而在晶體中同時形成數(shù)目相等的空位和間隙原子，則稱為 弗蘭克爾（ Frenkel）缺陷； 第三章 晶體缺陷 點缺陷 點缺陷的形成 三是跑到其他空位中，使空位消失或使空位移位。 點缺陷 點缺陷的平衡濃度 第三章 晶體缺陷 對點缺陷的平衡濃度如何來理解？從熱力學(xué)的觀點：點缺陷平衡濃度是矛盾雙方的統(tǒng)一。 (2)另一方面，由于點缺陷的形成，增加了點陣排列的混亂度，系統(tǒng)的微觀狀態(tài)數(shù)目發(fā)生變化，使體系的組態(tài)熵增加，引起自由能下降。因為系統(tǒng)都具有最小自由能的傾向，由此確定的點缺陷濃度即為該溫度下的平衡濃度。 ：利用某些手段使晶體中形成的點缺陷濃度超過了熱平衡濃度，此時的點缺陷濃度成為過飽和點缺陷。 點缺陷 過飽和點缺陷的形成 第三章 晶體缺陷 某些手段： ? 高溫淬火 — 高溫時產(chǎn)生大量的空位，急劇冷卻時被保留下來 ? 冷加工 — 位錯交割 ? 高能輻照 — 原子被撞擊，產(chǎn)生大量的空位和間隙原子。） （ 2）性能變化： 力學(xué)性能 — 影響較小 屈服強度提高 物理性能 —— 影響較大 密度減小 —— 空位的產(chǎn)生使體積增大 電阻率增大 —— 缺陷區(qū)域?qū)﹄娮赢a(chǎn)生散射 比熱容 —— 形成點缺陷需要向晶體提供附加的能量 第三章 晶體缺陷 線缺陷 位錯 位錯的提出 “位錯”這個概念是在 1934年提出的。隨著科學(xué)技術(shù)的發(fā)展，在二十世紀(jì)五十年代末科學(xué)家們已能從晶體生長情況判斷出位錯的存在（上圖），
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