【正文】 ~ V VCE＝ VCC－ iCRc VCEO ≈ VCC 管壓降 且不隨 iB增加而增加 ic ≈ ?iB iC ≈ 0 集電極電 流 發(fā)射結(jié)和集電結(jié)均為正偏 發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏 發(fā)射結(jié)和集電結(jié)均為反偏 偏置情況 工作特點 iB iB≈0 條件 飽 和 放 大 截 止 工作狀態(tài) 0 iB ?CSI ?CSI BJT的開關(guān)時間 從截止到導(dǎo)通 開通時間 ton(=td+tr) 從導(dǎo)通到截止 關(guān)閉時間 toff(= ts+tf) BJT飽和與截止兩種狀態(tài)的相 互轉(zhuǎn)換需要一定的時間才能完成。 NMOS反向器 T2一直導(dǎo)通 電壓值由 T1和T2的電阻值之比決定。 NMOS邏輯門電路 vI為高時， T1導(dǎo)通，輸出 vO為低。 參數(shù) 系列 傳輸延遲時間 tpd/ns(CL=15pF) 功耗 (mW) 延時功耗積 (pJ) 4000B 75 1?(1MHz) 105 74HC 10 ? (1MHz) 15 74HCT 13 1? (1MHz) 13 BiCMOS ~ ~22 CMOS邏輯門電路的技術(shù)參數(shù) CMOS門電路各系列的 性能 比較 或非門的工作管都是并聯(lián)的 ,增加管子的個數(shù) ,輸出低電平基本穩(wěn)定。 ?5V +5V ?5V到 +5V ?GSN VTN, TN截止 ?GSP=5V ? (5V到 +5V)=(10到 0)V 開關(guān)斷開，不能轉(zhuǎn)送信號 ?GSN= 5V ? (－ 5V到 +5V)=(0到 10)V ?GSP0, TP截止 T P v I / v O T N v O / v I C C +5V ? 5V 1）當(dāng) c=0， c =1時 c=0（ 5V） ， c =1（ +5V） CMOS傳輸門 (雙向模擬開關(guān) ) C T P v O / v I v I / v O +5V – 5V T N C +5V ?5V ?GSP= ?5V ? (－ 3V~+5V) =?2V ~ ?10V ?GSN=5V ? (－ 5V~+3V)=(10~2)V b、 ?I=?3V~5V ?GSNVTN, TN導(dǎo)通 a、 ?I=?5V~3V TN導(dǎo)通， TP導(dǎo)通 ?GSP |VTP|, TP導(dǎo)通 c、 ?I=?3V~3V IO vv ?2）當(dāng) c=1， c =0時 CMOS傳輸門 (雙向模擬開關(guān) ) 傳輸門組成的數(shù)據(jù)選擇器 C=0 TG1導(dǎo)通 , TG2斷開 L=X TG2導(dǎo)通 , TG1斷開 L=Y C=1 傳輸門的應(yīng)用 CMOS傳輸門 (雙向模擬開關(guān) ) 雙向模擬開關(guān)CMOS邏輯集成器件發(fā)展使它的技術(shù)參數(shù)從總體上來說已經(jīng)達到或者超過 TTL器件的水平。 ≥ 1 1 EN A L 1 0 0 1 1 截止 導(dǎo)通 1 1 1 高阻 0 輸出 L 輸入 A 使能 EN 0 0 1 1 00 截止導(dǎo)通01 截止 X 1 邏輯功能：高電平有效的同相邏輯門 0 1 CMOS漏極開路（ OD）門和三態(tài)輸出門電路 三態(tài)輸出門電路主要用于總線傳輸 如圖計算機或微機系統(tǒng)的連接，可按一定順序?qū)⑿盘柗謺r送到總線上傳輸。 … 1 1 1 IIH（ total) IOZ（ total) 為使得高電平不低于規(guī)定的 VOH的最小值，則 Rp的選擇不能過大。 n … amp。 amp。 … k IIL（ total) IOL（ max) CMOS漏極開路（ OD）門和三態(tài)輸出門電路 當(dāng) VO=VOH +V DD RP amp。 n … amp。 amp。 當(dāng) VO=VOL ( m a x )( m i n )( m a x ) ( )D D O LpO L I L t o t a lVVRII???( m a x )( m a x ) ( )( m i n )D D O LO L I L t o t a lpVVIIR???+V DD IIL RP amp。但負(fù)載電容的充電時間常數(shù)亦愈大，開關(guān)速度因而愈慢。但功耗大 ,且可能使輸出電流超過允許的最大值 IOL(max） 。 （ 2）漏極開路門的結(jié)構(gòu)與邏輯符號 (c)可以實現(xiàn)線與功能 CDAB ??CDAB ??+VDD V SS T P1 T N1 T P2 T N2 A B L A B L 電路 A B L amp。 CMOS漏極開路（ OD）門和三態(tài)輸出門電路 +VDD T N1 T N2 A B +VDD A B 0 1 ）門和三態(tài)輸出門電路）門和三態(tài)輸出門電路）門和三態(tài)輸出門電路C D R P V DD L A B amp。 D2 分布式二極管 (iD大 ) V DD v I C N T P R s D 2 D 1 T N C P v O CMOS 邏輯門 BABAL ????（ 2） CMOS邏輯門的緩沖電路 輸入、輸出端加了反相器作為緩沖電路，所以電路的邏輯功能也發(fā)生了變化。 CMOS 邏輯門 （ 1）輸入保護電路 (1) 0 vI VDD + vDF (2) vI VDD + vDF 二極管導(dǎo)通電壓： vDF (3) vI ? vDF 當(dāng)輸入電壓不在正常電壓范圍時 ,二極管導(dǎo)通，限制了電容兩端電壓的增加 ,保護了輸入電路。 帶電容負(fù)載 CMOS 反相器 A B TN1 TP1 TN2 TP2 L 0 0 0 1 1 0 1 1 截止 導(dǎo)通 截止 導(dǎo)通 導(dǎo)通 導(dǎo)通 導(dǎo)通 截止 截止 導(dǎo)通 截止 截止 截止 截止 導(dǎo)通 導(dǎo)通 1 1 1 0 與非門 與 非門 vA +VDD +10V T P1 T N1 T P2 T N2 A B L vB vL A B amp。 MOS管工作在可變電阻區(qū) 相當(dāng)于開關(guān)“閉合” 輸出為低電平 MOS管截止， 相當(dāng)于開關(guān)“斷開” 輸出為高電平 當(dāng)輸入為低電平時： 當(dāng)輸入為高電平時： NMOS構(gòu)造的反相器 VDD I v O v P溝道 N溝道 要求： |) | ( TP TN DD V V V ? TN為工作管