襯底制備ppt課件-文庫吧資料
2025-05-09 06:28本頁面
【正文】 向的方法 （ 參考李乃平 ） ① 腐蝕：要定向的晶面經(jīng)研磨 、 腐蝕 ， 晶面上出現(xiàn)許多由低指數(shù)小平面圍成 、 與晶面具有一定對應(yīng)關(guān)系的小腐蝕坑； ②光照：利用這些小腐蝕坑的宏觀對稱性，正入射平行光反映出不同的圖像，從而確定晶面 。 單晶的制備 水平區(qū)熔法 （布里吉曼法） GaAs單晶 襯底制備 ? 襯底制備包括：整形、晶體定向、晶面標(biāo)識(shí)、晶面加工。 第一章 襯底制備 單晶的制備 直拉法 （ CZ法 ） 構(gòu)成： ① 爐體 ② 拉晶裝置 ③ 環(huán)境控制 ④ 電子控制及電源系統(tǒng) 柴可拉斯基拉晶儀 ① 爐體 ? 石英坩堝：盛熔融硅液； ? 石墨基座：支撐石英坩堝；加熱坩堝； ? 旋轉(zhuǎn)裝置：順時(shí)針轉(zhuǎn)； ? 加熱裝置： RF線圈； ② 拉晶裝置 ? 籽晶夾持器：夾持籽晶 （ 單晶 ） ； ? 旋轉(zhuǎn)提拉裝置：逆時(shí)針； ③ 環(huán)境控制 ? 真空系統(tǒng)： ? 氣路系統(tǒng)：提供惰性氣體； ? 排氣系統(tǒng)： ④電子控制及電源系統(tǒng) 例 ， 3英寸硅單晶制備 ① 熔硅 ? 調(diào)節(jié)坩堝位置；注意事項(xiàng)：熔硅時(shí)間不易長； ② 引晶 （ 下種 ） ? 籽晶預(yù)熱：位置 熔硅上方； 目的 避免對熱場的擾動(dòng)太大； ? 與熔硅接觸：溫度太高 籽晶熔斷； 溫度太低 過快結(jié)晶； 合適溫度 籽晶與熔硅可長時(shí)間接 觸 ， 既不會(huì)進(jìn)一步融化 ， 也不會(huì)生長；
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