【摘要】第八章專用集成電路和可編程集成電路???????、標(biāo)準(zhǔn)單元與可編程集成電路的比較?專用集成電路(ASIC)被認(rèn)為是用戶專用電路(customspecificIC),即它是根據(jù)用戶的特定要求.能以低研制成本、短交貨周期供貨的集成電路。它最主要的優(yōu)點(diǎn)在于:?(1)
2025-01-23 09:42
【摘要】第二章電力電子變頻器及PWM控制原理山東大學(xué)三相SPWM專用集成電路?SPWM專用集成電路芯片用一片集成電路加上少量的外圍器件生成SPWM波形,大大簡(jiǎn)化了電路和設(shè)計(jì)成本。?SA4828?SM2021一、SA4828及其應(yīng)用SA4828是一種新型三相SPWM芯片。
2025-05-18 21:38
【摘要】大連東軟信息學(xué)院1專用集成電路設(shè)計(jì)——項(xiàng)目實(shí)訓(xùn)2022年8月22日嵌入式系統(tǒng)工程系張永鋒大連東軟信息學(xué)院2內(nèi)容提綱?項(xiàng)目概況?項(xiàng)目設(shè)計(jì)?項(xiàng)目成果?項(xiàng)目考核?小結(jié)大連東軟信息學(xué)院3
2025-01-10 19:25
【摘要】實(shí)驗(yàn)3/4反相器的特性姓名:學(xué)號(hào):班級(jí):指導(dǎo)老師:1、實(shí)驗(yàn)?zāi)康?。。。?、實(shí)驗(yàn)內(nèi)容1.畫(huà)出一個(gè)雙阱工藝反相器的版圖示意圖(不嚴(yán)格
2024-08-01 22:46
【摘要】第一章專用集成電路概念及設(shè)計(jì)流程專用集成電路概念?通用集成電路:–CPU,DSP,DRAM,TTL系列(數(shù)字電路)–運(yùn)放OA,基準(zhǔn)源,ADC/DAC,DC/DC(模擬電路)市場(chǎng)上能買到的電路?專用集成電路–玩具電路,燈具電路,工業(yè)控制電路,等等,市場(chǎng)上買不到的電路(數(shù)字的、模擬的、混合的)2
2025-03-03 02:23
【摘要】集成電路工藝原理第七章離子注入原理(上)1集成電路工藝原理集成電路工藝原理第七章離子注入原理(上)2大綱第一章前言第二章晶體生長(zhǎng)第三章實(shí)驗(yàn)室凈化及硅片清洗第四章光刻第五章熱氧化第六章
2025-01-12 11:13
【摘要】?復(fù)旦大學(xué)微電子研究院?包宗明?半導(dǎo)體物理、器件和工藝導(dǎo)論(第一部分)半導(dǎo)體物理和半導(dǎo)體器件物理本課程的目的?為后繼課程的學(xué)習(xí)打基礎(chǔ);?提高工作中分析問(wèn)題和解決問(wèn)題的能力;?提高今后工作中繼續(xù)學(xué)習(xí)和研究的能力。主要參考書(shū):《雙極型與MOS半導(dǎo)體器件原理》黃均鼐湯庭鰲編著其他參考書(shū):
2025-05-05 05:36
【摘要】微電子學(xué)概論第三章大規(guī)模集成電路基礎(chǔ)(FundamentalsofLargeScaleIntergratedCircuit)?導(dǎo)論?半導(dǎo)體集成電路概述?CMOS集成電路基礎(chǔ)?半導(dǎo)體存儲(chǔ)器集成電路參考書(shū)第三章大規(guī)模集成電路基礎(chǔ)
2024-08-02 05:00
【摘要】第四章集成電路設(shè)計(jì)集成電路中的無(wú)源元件與互連線雙極和MOS集成電路比較集成電路中的無(wú)源元件與互連線集成電路中的電阻模型集成電路互連線l集成電路的無(wú)源元件主要包括電阻、電容和電感(一般很少用)。無(wú)源元件在集成電路中所占面積一般都比有源元件(如雙極晶體管、MOSFET等)要大。因此
2024-12-31 20:50
【摘要】下一頁(yè)上一頁(yè)集成電路制造工藝——雙極集成電路制造工藝下一頁(yè)上一頁(yè)上一次課的主要內(nèi)容?CMOS集成電路工藝流程N(yùn)型(100)襯底的原始硅片NMOS結(jié)構(gòu)PMOS結(jié)構(gòu)P阱(well)隔離閾值調(diào)整注入柵氧化層和多晶硅柵NMOS管源漏注入PMOS管源漏注入接觸和互
2025-05-21 02:13
【摘要】第七章雙極型晶體管?基本結(jié)構(gòu)?載流子流動(dòng)情況及工作原理?理想晶體管的直流輸入輸出特性?二級(jí)效應(yīng)?擊穿特性?高頻特性?開(kāi)關(guān)特性?晶體管模型雙極型晶體管的結(jié)構(gòu)n+pnEBC發(fā)射區(qū)基區(qū)集電區(qū)p+npEBC發(fā)射區(qū)基區(qū)集電區(qū)
2025-05-05 05:33
【摘要】第五章結(jié)?平衡態(tài)PN結(jié);?PN結(jié)的伏安特性;?PN結(jié)的電容;?PN結(jié)的擊穿特性;?PN結(jié)二極管的開(kāi)關(guān)特性;?金-半肖特基接觸和歐姆接觸;?異質(zhì)結(jié):半導(dǎo)體器件的基本結(jié)構(gòu)-PN結(jié)、金半結(jié)和異質(zhì)結(jié)PN結(jié)空間電荷區(qū)?由于PN結(jié)兩邊載流子濃度不同造成載流子擴(kuò)散運(yùn)動(dòng),載
2025-05-05 05:53
【摘要】第四章集成電路設(shè)計(jì)?集成電路中的無(wú)源元件與互連線???雙極和MOS集成電路比較集成電路中的無(wú)源元件與互連線????集成電路中的電阻模型?集成電路互連線?集成電路的無(wú)源元件主要包括電阻、電容和電感(一般很少用)。無(wú)源元件在集成電路中所占面積一般都比有源元件(如
2025-01-25 18:41
【摘要】青島農(nóng)業(yè)大學(xué)理學(xué)與信息科學(xué)學(xué)院電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化及專用集成電路課程設(shè)計(jì)報(bào)告設(shè)計(jì)題目一、設(shè)計(jì)一個(gè)二人搶答器二、密碼鎖學(xué)生專業(yè)班級(jí)學(xué)生姓名(學(xué)號(hào))指導(dǎo)
2024-08-02 02:14
【摘要】第八章MOSFET?MOSFET的類型?閾值電壓?直流輸出特性?跨導(dǎo)?擊穿?高頻特性?開(kāi)關(guān)特性?倒相器?二級(jí)效應(yīng)MOSFET結(jié)構(gòu)示意圖()pn或耗盡型增強(qiáng)型增強(qiáng)型:柵極不加電壓時(shí)表面沒(méi)有溝道,源和漏之間不導(dǎo)通。柵極加
2025-05-18 23:29