【摘要】廣東省軟件和集成電路設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)100強(qiáng)培育企業(yè)評(píng)選申報(bào)書申報(bào)單位(蓋章):企業(yè)法定代表人簽字:推薦單位(蓋章):
2025-07-06 03:34
【摘要】?2022/8/20東?南?大?學(xué)射?頻?與?光?電?集?成?電?路?研?究?所集成電路設(shè)計(jì)基礎(chǔ)王志功東南大學(xué)無(wú)線電系2022年?yáng)|?南?大?學(xué)射?頻?與?光?電?集?成?電?路?研?究?所?2022/8/202第六章M
2025-08-07 14:45
【摘要】2022/4/141《集成電路設(shè)計(jì)概述》2022/4/142目的?認(rèn)識(shí)集成電路的發(fā)展歷史、現(xiàn)狀和未來(lái)?了解集成電路設(shè)計(jì)工藝?熟悉集成電路設(shè)計(jì)工具?培養(yǎng)集成電路設(shè)計(jì)興趣2022/4/143主要內(nèi)容集成電路的發(fā)展集成電路的
2025-04-19 22:59
【摘要】55/55PLD設(shè)計(jì)問(wèn)答1.?答:SCF文件是MAXPLUSII的仿真文件,可以在MP2中新建.1.用Altera_Cpld作了一個(gè)186(主CPU)控制sdram的控制接口,發(fā)現(xiàn)問(wèn)題:要使得sdram讀寫正確,必須把186(主CPU)的clk送給sdram,而不能把clk經(jīng)cpld的延時(shí)送給sdram.兩者相差僅僅4ns.而時(shí)序通過(guò)邏輯分析儀
2025-07-15 12:48
【摘要】2022/2/61《集成電路設(shè)計(jì)概述》2022/2/62目的?認(rèn)識(shí)集成電路的發(fā)展歷史、現(xiàn)狀和未來(lái)?了解集成電路設(shè)計(jì)工藝?熟悉集成電路設(shè)計(jì)工具?培養(yǎng)集成電路設(shè)計(jì)興趣2022/2/63主要內(nèi)容集成電路的發(fā)展集成電路的分類
2025-01-15 14:11
【摘要】CMOS集成電路設(shè)計(jì)基礎(chǔ)-數(shù)字集成電路基礎(chǔ)對(duì)邏輯門的基本要求1)魯棒性(用靜態(tài)或穩(wěn)態(tài)行為來(lái)表示)靜態(tài)特性常常用電壓傳輸特性(VTC)來(lái)表示即輸出與輸入的關(guān)系),傳輸特性上具有一些重要的特征點(diǎn)。邏輯門的功能會(huì)因制造過(guò)程的差異而偏離設(shè)計(jì)的期望值。(2)噪聲容限:芯片內(nèi)外的噪聲會(huì)使電路的響應(yīng)偏離設(shè)計(jì)的期望值(電感、電容耦合,電源
2025-01-15 01:07
【摘要】第四章第四章集成電路設(shè)計(jì)第四章集成電路是由元、器件組成。元、器件分為兩大類:無(wú)源元件電阻、電容、電感、互連線、傳輸線等有源器件各類晶體管集成電路中的無(wú)源源件占的面積一般都比有源器件大。所以設(shè)計(jì)時(shí)盡可能少用無(wú)源元件,尤其是電容
2025-05-10 18:03
【摘要】....生產(chǎn)實(shí)習(xí)課程名稱模擬集成電路設(shè)計(jì)實(shí)習(xí)學(xué)生學(xué)院___材料與能源學(xué)院_專業(yè)班級(jí)____10微電子2班________學(xué)號(hào)3110007483學(xué)生姓名____何俊鑫_____
2025-07-06 05:59
【摘要】集成電路設(shè)計(jì)企業(yè)年審表申報(bào)企業(yè)(蓋章)所在地區(qū)申報(bào)日期年月日
2025-07-07 00:42
2025-07-21 18:10
【摘要】CMOS集成電路設(shè)計(jì)基礎(chǔ)-MOS器件MOS器件多晶硅GSD氧化層LeffLdrawnN+N+P型襯底LDWNMOS管的簡(jiǎn)化結(jié)構(gòu)制作在P型襯底上(P-Substrate,也稱bulk或body,為了區(qū)別于源極S,襯底以B來(lái)表示),兩個(gè)重?fù)诫sN區(qū)形成源區(qū)和漏區(qū),
2025-01-18 16:50
【摘要】集成電路設(shè)計(jì)基礎(chǔ)莫冰華僑大學(xué)電子工程系廈門市專用集成電路系統(tǒng)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室第四章集成電路器件工藝雙極型集成電路的基本制造工藝MESFET和HEMT工藝MOS工藝和相關(guān)的VLSI工藝BiCMOS工藝第四章集成電路器件工藝IC材料、工藝、器件和電路材料工藝器件
2025-01-13 01:54
【摘要】2022/2/41第二章IC制造材料結(jié)構(gòu)與理論了解集成電路材料半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)PN結(jié)與結(jié)型二極管雙極型晶體管基本結(jié)構(gòu)與工作原理MOS晶體管基本結(jié)構(gòu)與工作原理2022/2/42表集成電路制造所應(yīng)用到的材料分類
【摘要】大連理工大學(xué)電信學(xué)院1CMOS模擬集成電路設(shè)計(jì)巢明大連理工大學(xué)電信學(xué)院2課程背景?課程目的:?掌握構(gòu)成CMOS模擬集成電路的基本器件模型?理解運(yùn)算放大器的性能指標(biāo)?能夠正確使用仿真工具進(jìn)行分析,仿真和設(shè)計(jì)?了解CMOS集成電路的設(shè)計(jì)流程?完成一個(gè)兩級(jí)運(yùn)算放大器的設(shè)計(jì)和仿真
2025-01-24 02:36
【摘要】集成電路設(shè)計(jì)基礎(chǔ)莫冰華僑大學(xué)電子工程系廈門市專用集成電路系統(tǒng)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室第五章MOS場(chǎng)效應(yīng)管的特性MOS場(chǎng)效應(yīng)管MOS管的閾值電壓體效應(yīng)MOSFET的溫度特性MOSFET的噪聲MOSFET尺寸按比例縮小MOS器件的二階效應(yīng)MOS場(chǎng)效應(yīng)管
2025-01-13 01:55