【正文】 E RC UBE USB =2V時： 9 m 70?????BBESBB RUUI 12 ????CSCBS RUIb167。 雙級型晶體三極管 臨界飽和點 ????? BECBC E S UUU?CCCCCESCCCS RURUUI ????用電流 判斷飽和 BSCSC III b??（ 一定） BICCCCCESCCBSB RURUUIIbb ???? （ 一定） CI(198) 例 3： b = 50， USC =12V， RB = 70k?， RC =6k? 當(dāng) USB = 2V， 2V， 5V時 ， 晶體管的直流 (靜態(tài) )工作 點 Q位于哪個區(qū) ？ 當(dāng) USB = 2V 時 ： IC UCE IB USC RB USB C B E RC UBE IB= 0 ， IC = 0 Q位于截止區(qū) 解： 167。 167。 6V A 12V 5V B 6V 0V C 167。 167。 飽和狀態(tài)：反射結(jié) 正 偏，集電結(jié) 正 偏。 雙級型晶體三極管 (191) BCE III ??BC II b?BE II )1( b??重點 1：三極管的放大作用（電流分配） 167。 雙級型晶體三極管 (190) ? 半導(dǎo)體三極管的型號 （補充） 國家標(biāo)準(zhǔn)對半導(dǎo)體三極管的命名如下 ： ? 3 D G 110 B 用字母表示同一型號中的不同規(guī)格 ? 用數(shù)字表示同種器件型號的序號 ? 用字母表示器件的種類 ? 用字母表示材料 ? 三極管 ? 第二位： A表示鍺 PNP管 、 B表示鍺 NPN管 、 C表示硅 PNP管 、 D表示硅 NPN管 ? 第三位： X表示低頻小功率管、 D表示低頻大功率管、 G表示高頻小功率管、 A表示高頻小功率管、 K表示開關(guān)管 。 PC?PCM 167。 167。 雙級型晶體三極管 (187) 5. 集 射極反向擊穿電壓 當(dāng)集 射極之間的電壓 UCE超過一定的數(shù)值時，三極管就會被擊穿。 三極管的溫度特性較差 。 雙級型晶體三極管 (186) 4. 集電極最大電流 ICM 集電極電流 IC 上升會導(dǎo)致三極管的 b值的下降，當(dāng) b 值下降到正常值的三分之二時的集電極電流即為 ICM。 根據(jù)放大關(guān)系，由于 IBE的存在，必有電流 b IBE。 雙級型晶體三極管 (184) 3. 集 射極反向截止電流 ICEO ?A ICEO 167。 2 4 雙級型晶體三極管 (183) 2. 集 基極反向截止電流 ICBO ?A ICBO ICBO是集電結(jié)反偏由少子的漂移形成的反向電流，受溫度的變化影響。 雙級型晶體三極管 (182) 例： UCE = 6V時 ： IB = 40?A, IC = ； IB = 60 ?A, IC = 。 即： UCE?UBE ， bIBIC， (3) 截止區(qū)： UBE 死區(qū)電壓， IB=0 ， IC=ICEO ?0 臨界飽和時： uCES = uBE 深度飽和時： V (硅管 ) UCE(SAT)= V (鍺管 ) 167。 雙級型晶體三極管 (180) 輸出特性三個區(qū)域的特點 : (1)放大區(qū)： 發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏。 雙級型晶體三極管 (179) IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 此區(qū)域中 : IB=0,IC=ICEO,UBE 死區(qū)電壓，稱為截止區(qū)。 雙級型晶體三極管 (178) IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 此區(qū)域中 UCE?UBE,集電結(jié)正偏，bIBIC， UCE?稱為飽和區(qū)。 當(dāng) UCE大于一定的數(shù)值時，IC只與 IB有關(guān) ，IC=bIB。 0CE ?uV 1CE ?u 特性基本重合 (電流分配關(guān)系確定 ) 特性右移 (因集電結(jié)開始吸引電子 ) 167。 雙級型晶體三極管 (176) UCE ?1V IB(?A) UBE(V) 20 40 60 80 工作壓降：硅管UBE?~,鍺管 UBE?~。 B C CBO B CBO C BE CE I I I I I I I I ? ? ? ? b ?BJT三種不同接法的電流放大倍數(shù)討論 (共發(fā)射極 ) 167。 雙級型晶體三極管 IB=IBEICBO?IBE IB (173) IB=IBEICBO?IBE IB B E C N N P EB RB Ec IE ICBO ICE IC=ICE+ICBO ?ICE IBE ＝ IC＋ IB 共發(fā)射極 167。 ICBO 從基區(qū)擴散來的電子作為集電結(jié)的少子，漂移進入集電結(jié)而被收集，形成ICE。 共發(fā)射極 167。 IE 基區(qū)空穴向發(fā)射區(qū)的擴散可忽略。 雙級型晶體三極管 (170) BJT的電流放大作用 1. 三極管放大的條件 內(nèi)部 條件 發(fā)射區(qū)摻雜濃度高 基區(qū)薄且摻雜濃度低 集電結(jié)面積大 外部 條件 發(fā)射結(jié)正偏 集電結(jié)反偏 ui uo C E B E C B ui uo 共集電極 共基極 E C B ui uo 共發(fā)射極 167。 2..4 雙級型晶體三極管 (168) B E C IB IE IC NPN型三極管 B E C IB IE IC PNP型三極管 167。 發(fā)射區(qū)：摻雜濃度較高，作用是發(fā)射載流子 167。 雙級型晶體三極管 B E C N N P 基極 發(fā)射極 集電極 NPN型 P N P 集電極 基極 發(fā)射極 B C E PNP型 BJT的結(jié)構(gòu)及類型 emitter base collector 167。 雙級型晶體三極管 BJT的結(jié)構(gòu)及類型 BJT的電流放大作用 BJT的特性曲線 BJT的主要參數(shù) 溫度對 BJT的特性及參數(shù)的影響 (Semiconductor Transistor) BJT的電路模型 167。 mA10m i n ???LZWz RUIi101080 ???? RUiRu. zWi ——方程 2 聯(lián)立方程 2， 可解得 ： ??? k50V7518 .R,.u i第二章 半導(dǎo)體器件 uo iZ DZ R iL i ui RL (162) 光電二極管 反向電流隨光照強度的增加而上升。 mA25m a x ???LZWz RUIi102521 ???? RUiRu. zWi——方程 1 負載電阻 要求當(dāng)輸入電壓由正常值發(fā)生 ?20%波動時，負載電壓基本不變。 第二章 半導(dǎo)體器件 (159) 例 1： 有 2個穩(wěn)壓管，穩(wěn)定電壓分別是 5v、 2v, 串聯(lián)和并聯(lián)有幾種方式？ 對應(yīng)的穩(wěn)定電壓是多少？ (外加電壓足夠大） 第二章 半導(dǎo)體器件 (160) 例 2： 穩(wěn)壓二極管的應(yīng)用舉例 uo iZ DZ R iL i ui RL 5 m A 2 0 m A , V,10 m i nm a x ??? zzzW IIU已知 穩(wěn)壓管參數(shù) : ?? k2LR解： 令輸入電壓達到上限時，流過穩(wěn)壓管的電流為 Izmax 。 3. 最大工作電流 IZM 最大耗散功率 PZM P ZM = UZ IZM 4. 動態(tài)電阻 rZ 越小穩(wěn)壓效果越好 。 第二章 半導(dǎo)體器件 I (157) 1. 穩(wěn)定電壓 UZ 流過規(guī)定電流時穩(wěn)壓管兩端的反向電壓值。 + 第二章 半導(dǎo)體器件 工作條件： 反向擊穿 符號 (155) I UZ IZ IZmax IZmin (156) 特點： 1）工作于反向擊穿狀態(tài)。 (154) 167。 按理想模型有： O t ui / V 15 RL D1 D2 D3 D4 ui B A uO O t uO/ V 15 第二章 半導(dǎo)體器件 解 ： 正半周 負半周 (151) 例 5： 畫出 uo的波形 R RL ui uR uo t t t ui uR uo 第二章 半導(dǎo)體器件 (152) RL ui uo ui uo t t 例 6： 二極管半波整流。 解 ： 假設(shè)二極管斷開 UP = 15 V ( V) 9 12 31 3N ????UUP UN 二極管導(dǎo)通 等效為 V 的恒壓源 UO = VDD1 ? UD(on)= 15 ? = (V) IO = UO / RL= / 3 = (mA) I2 = (UO ? VDD2) / R = ( ? 12) / 1 = (mA) I1 = IO + I2 = + = (mA) 第二章 半導(dǎo)體器件 (149) 例 3： 二極管構(gòu)成 “ 門 ” 電路 ， 設(shè) D D2 均為理想二極管 ， 當(dāng)輸入電壓 UA、 UB 為低電壓 0 V 和高電壓 5 V 的不同組合時 ， 求輸出電壓 UO 的值 。 ( 5 ) 二極管的極間電容 同 PN結(jié) 第二章 半導(dǎo)體器件 (146) 例 1： 下圖電路中 ， 硅二極管 ， R = 2 k?， 分別用二極管理想模型和近似模型求出 VDD = 2 V 和 VDD = 10 V 時 IO 和 UO 的值 。下面介紹兩個交流參數(shù)。硅管的反向電流較小，鍺管的反向電流要大幾十到幾百倍。反向電流大，說明管子的單向?qū)щ娦圆睿虼朔聪螂娏髟叫≡胶?。手冊上給出的最高反向工作電壓 VRWM一般是 VBR的一半。 （ 2）反向擊穿電壓 VBR 二極管反向擊穿時的電壓值。 (擊穿電壓 6 V，正 溫度系數(shù) ) 擊穿電壓在 6 V 左右時，溫度系數(shù)趨近零。 — PN 結(jié)未損壞，斷電即恢復(fù)。 第二章 半導(dǎo)體器件 2sio陽極 陰極 P型 (134) P N 符號 型號 字母 D表示 鍺 2AP* 2AK* 硅 2CP* 2CK* 第二章 半導(dǎo)體器件 (135) 1. （ 4） 第二章 半導(dǎo)體器件 ?半導(dǎo)體二極管的型號 (補充 ) ?國家標(biāo)準(zhǔn)對半導(dǎo)體器件型號的命名舉例如下： ? 2 A P 9 ? 用數(shù)字代表同類型器件的不同型號 ? 用字母代表器件的類型， P代表普通管 ? 用字母代表器件的材料， A代表 N型 Ge ? B代表 P型 Ge， C代表 N型 Si， D代表 N型 Si ? 2代表二極管 ， 3代表三極管 1. （ 4） P15表 (13