【正文】 且復位后會被首先運行。227 存儲器重映射及引導塊? 引導塊（Boot Block）及其重映射 引導塊（Boot Block）是芯片設計廠家在LPC2022系列微控制器內(nèi)部固化的一段代碼，用戶無法對其修改或刪除。1 實際物理存儲單元通過存儲器管理部件進行存儲器重映射，獲得邏輯地址Addr2。Addr1程序所見存儲器...Addr2Addr1存儲器管理部件0x12340x1234實際物理存儲器0x1234 注意：存儲器重映射并不是對映射單元的內(nèi)容進行了復制，而只是將多個地址指向了同一個存儲單元，這種效果是通過芯片內(nèi)部的“存儲器管理部件”實現(xiàn)的。 d25 預取指中止和數(shù)據(jù)中止異常向量中斷控制器(AHB外設 1 AHB外設 125)未使用(AHB外設0)未使用(AHB外設126)未使用外部總線控制器……(VPB外設14VPB外設126)未使用系統(tǒng)控制模塊(VPB外設127)10位A/D(VPB外設13)看門狗定時器(VPB外設0)TIMER0(VPB外設1)AHB外設空間中未分配區(qū)域VPB外設空間中未分配區(qū)域? 未分配地址區(qū)域26 存儲器重映射及引導塊? 存儲器重映射 (Boot Block、中斷向量表) 將已經(jīng)過映射的存儲器再次映射的過程稱為存儲器重映射，它使同一物理存儲單元出現(xiàn)多個不同的邏輯地址。 b 外部存儲器區(qū)域中無法通過外部存儲器控制器（EMC）來訪問的地址空間。未定義區(qū)域2保留區(qū)域1abcd24 預取指中止和數(shù)據(jù)中止異常? 保留地址區(qū)域FlashSRAMBoot BlockVPBAHBEXMemoryabcd 片內(nèi)非易失性存儲器與片內(nèi)SRAM之間保留給片內(nèi)存儲器的地址空間。22。0x0000 00000x0002 00000x0004 00000x4000 00000x4000 20220x7FFF E0000x8000 00000x8100 00000x8200 00000x8300 00000x8400 00000xC000 00000xE000 0000256KB 片內(nèi)非失憶性存儲器（LPC2124/2214）128KB 片內(nèi)非失憶性存儲器（LPC2114/2212）16KB 片內(nèi)靜態(tài)RAM8KB Boot Block（片內(nèi)ROM存儲器重映射）16MB Bank0保留給片內(nèi)RAM存儲器保留給片內(nèi)FLASH存儲器16MB Bank116MB Bank216MB Bank3保留給片外存儲器0xF000 00000xFFFF FFFF2MB AHB外設2MB VPB外設保留0xE000 0000保留0xFFE0 0000AHB外設0xF000 00000xFFFF FFFF+2MBVPB外設保留0xE000 00000xE020 0000 存儲器映射19? AHB外設映射保留保留0xE000 0000+2MBVPB外設0xE020 00000xF000 00000xFFE0 0000 AHB外設0xFFFF FFFF0xFFE0 00000xFFE000000xFFE040000xFFFF80000xFFFFC000向量中斷控制器0xFFFFF0000xFFFFFFFF(AHB外設 1 AHB外設 125)未使用(AHB外設0)未使用(AHB外設126)未使用外部總線控制器 注：只有LPC2200系列微處理器有外部總線控制器 存儲器映射20? VPB外設映射保留保留+2MBAHB外設0xFFFF FFFF0xFFE0 00000xF000 00000xE020 0000VPB外設0xE000 0000+2MB 0xE020 0000……(VPB外設14VPB外設126)未使用系統(tǒng)控制模塊(VPB外設127)10位A/D(VPB外設13)看門狗定時器(VPB外設0)TIMER0(VPB外設1)0xE000 00000xE000 40000xE000 80000xE003 40000xE003 80000xE01F C0000xE01F FFFF 存儲器映射21ARM體系的異常復習n 異常向量表 (其每個表項對應一條ARM指令，LDR PC,lab_name)地址 異常 進入時的模式 進入時I的狀態(tài) 進入時F的狀態(tài)0x00000000 復位 管理 禁止 禁止0x00000004 未定義指令 未定義 I F0x00000008 軟件中斷異常 管理 禁止 F0x0000000C 中止（預?。?中止 I F0x00000010 中止（數(shù)據(jù)） 中止 I F0x00000014 保留 保留 － －0x00000018 IRQ 中斷 禁止 F0x0000001C FIQ 快速中斷 禁止 禁止注：表中的I和F表示不對該位有影響，保留原來的值。例如不可能對一個字寄存器的某字節(jié)執(zhí)行單獨的“讀”或“寫” 操作。每個外設空間的規(guī)格都為16K字節(jié)，這樣就簡化了每個外設的地址譯碼。 LPC2022 大部分存儲單元的地址已被廠家生產(chǎn)時確定，用戶只能認可使用無法修改。15? 概述 存儲器映射ARM芯片可以存在片內(nèi)和片外存儲器，這些單獨的（片內(nèi)/片外）存儲器本身不具有地址信息，它們在芯片中的地址是由芯片廠家或用戶分配的，那么給物理存儲器分配邏輯地址的過程稱為存儲器映射。14 片外存儲器? 片外Flash編程方法 Flash的擦寫操作需要配合一段符合Flash編程時序的代碼，這段代碼稱為裝載程序，一般由用戶編寫。最多可擴展4個Bank的存儲器組，每個存儲器組的尋址范圍最大16M字節(jié)。主要器件有ROM、Flash、SRAM等。 SRAM支持8位、16位和32位的讀寫訪問。ARM7處理器核外設控制器 RAMBootBlockFLASH串口并口JTAGJTAGUART010 片內(nèi)存儲器? 片內(nèi)Flash編程方法（小結(jié)）2. 使用在系統(tǒng)編程技術（即ISP），通過UART0接口下載程序；3. 使用在應用編程技術（即IAP），在用戶程序運行時對Flash Flash進行擦除和/或編程操作，實現(xiàn)數(shù)據(jù)的存儲和固件的現(xiàn)場升級。 片內(nèi)Flash 通過128位寬度的總線與ARM內(nèi)核相連，具有很高的速度，加上特有的存儲器加速功能，因此可以將程序直接放在Flash上運行。 n 簡介3 LPC2022系列簡介 LPC2022系列簡介n 器件信息器件 引腳數(shù) 片內(nèi)RAM 片內(nèi)Flash 10位AD通道數(shù) 備注LPC2114 64 16KB 128KB 4 －LPC2124 64 16KB 256KB 4 －LPC2210 144 16KB － 8帶外部存儲器接口LPC2220 144 64KB － 8LPC2212 144 16KB 128KB 8LPC2214 144 16KB 256KB 8關于LPC2022其它器件的詳細介紹請參考附錄14ARM7TDMISCPUAHB To VPB橋EMCVICI2C串行接口SPI串行接口UART 0amp。支持ARM和Thumb指令集，芯片內(nèi)集成豐富外設（片內(nèi)外設），而且具有非常低的功率消耗。 8. UART(0、1)216。 6. 向量中斷控制器216。 4. 引腳連接模塊216。 2. 引腳描述216。第4章 LPC2022系列ARM硬件結(jié)構(gòu)1216。 1. LPC2022系列簡介216。 3. 存儲器尋址216。 5. GPIO216。 7. 定時器0和定時器1216。 9. 最小系統(tǒng)第4章 LPC2022系列ARM硬件結(jié)構(gòu)2 LPC2022系列微控制器基于ARM7TDMIS