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[計算機硬件及網(wǎng)絡(luò)]ch4_lpc2000系列arm硬件結(jié)構(gòu)-免費閱讀

2025-02-14 22:38 上一頁面

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【正文】 使用IOxPIN實現(xiàn):0x??Data數(shù)據(jù)輸出線:0x??0x00Data與前者對比:55 向量中斷控制器 ARM7TDMI內(nèi)核具有兩個中斷輸入,分別為IRQ中斷和FIQ中斷。(4) Data變量中為1的位將輸出高電平0x??0x00Data數(shù)據(jù)輸出線:54define DataBus 0xFF PINSEL0 amp。 ...C代碼:PINSEL0IO0DIR IO0CLRIO0PINIO0SETinout10n GPIO應(yīng)用示例——(1) 設(shè)置引腳連接模塊,(2) ,設(shè)置為輸入(3) 從IO0PIN讀取引腳狀態(tài)IO0PIN53define DataBus 0xFF PINSEL0 amp。 IO0DIR |= 0x00000001。寫入‘0’無效。IOxSET[0] … IOxPIN[31] 0 當(dāng)引腳設(shè)置為GPIO輸出模式時,可使用該寄存器從引腳輸出高電平。所以芯片存在多少個端口,就有多少個IOxPIN分別與之對應(yīng)。該寄存器控制引腳輸出高電平。7]控制OE CS0008位GPIO D[7:0] BLS0 GPIO OE CS011無GPIO GPIO GPIO GPIO GPIO GPIO 引腳連接模塊43 引腳連接模塊應(yīng)用示例:PINSEL0 = 0x05 16。地址重映射地址重映射35 系統(tǒng)啟動代碼介紹 ARM微處理器在上電或復(fù)位后首先運行Boot Block中的一段代碼,這段代碼稱為“引導(dǎo)代碼”,由芯片廠商固化在芯片中。 注意:除了“用戶片內(nèi)Flash 模式”外,其它模式下都無法訪問片內(nèi)Flash的0x0000~0x003F區(qū)域。 一個異常向量表實際上包含了8個字的異常入口和8個字的跳轉(zhuǎn)目標(biāo)地址,占用了16個字(64字節(jié))的存儲單元。此時,邏輯地址Addr1和Addr2可以訪問同一實際物理存儲單元。 a 片內(nèi)靜態(tài)RAM與外部存儲器之間保留給片內(nèi)存儲器的地址空間。( 2M = 128個Dev x 16K/Dev ) 注意:外設(shè)寄存器的地址都是字對齊;AHB和VPB外設(shè)區(qū)域中不管是字還是半字,都是一次性訪問。實際應(yīng)用中,使用16位總線寬度的存儲器可以獲得較好的性價比。片內(nèi)FLASH程序存儲器9 片內(nèi)存儲器(FLASH 、SRAM)? 片內(nèi)Flash編程方法1. 使用JTAG仿真/調(diào)試器,通過芯片的JTAG接口下載程序; 2. 使用在系統(tǒng)編程技術(shù)(即ISP),通過UART0接口下載程序;(即IAP),在用戶程序運行時對Flash Flash進行擦除和/或編程操作,實現(xiàn)數(shù)據(jù)的存儲和固件的現(xiàn)場升級。 7. 定時器0和定時器1216。第4章 LPC2022系列ARM硬件結(jié)構(gòu)1216。 8. UART(0、1)216。ARM7處理器核外設(shè)控制器 RAMBootBlockFLASH串口并口JTAGJTAGUART010 片內(nèi)存儲器? 片內(nèi)Flash編程方法(小結(jié))2. 使用在系統(tǒng)編程技術(shù)(即ISP),通過UART0接口下載程序;3. 使用在應(yīng)用編程技術(shù)(即IAP),在用戶程序運行時對Flash Flash進行擦除和/或編程操作,實現(xiàn)數(shù)據(jù)的存儲和固件的現(xiàn)場升級。14 片外存儲器? 片外Flash編程方法 Flash的擦寫操作需要配合一段符合Flash編程時序的代碼,這段代碼稱為裝載程序,一般由用戶編寫。例如不可能對一個字寄存器的某字節(jié)執(zhí)行單獨的“讀”或“寫” 操作。 b 外部存儲器區(qū)域中無法通過外部存儲器控制器(EMC)來訪問的地址空間。227 存儲器重映射及引導(dǎo)塊? 引導(dǎo)塊(Boot Block)及其重映射 引導(dǎo)塊(Boot Block)是芯片設(shè)計廠家在LPC2022系列微控制器內(nèi)部固化的一段代碼,用戶無法對其修改或刪除。 存儲器重映射及引導(dǎo)塊n 異常向量表概述31 存儲器重映射及引導(dǎo)塊? ARM異常入口地址 異常0x0000 0000 復(fù)位0x0000 0004 未定義指令0x0000 0008 軟件中斷0x0000 000C 預(yù)取指中止(從存儲器讀取指令出錯)0x0000 0010 數(shù)據(jù)中止(訪問存儲器數(shù)據(jù)出錯)0x0000 0014 保留 * (0xb9205f80用戶程序使能)0x0000 0018 IRQ0x0000 001C FIQ 該位置被Boot裝載程序用作“用戶程序”有效的檢測標(biāo)志。 34? 來自不同區(qū)域的異常向量表0x0000 00000x0000 003F0x4000 00000x4000 003F0x7FFF E000保留給片內(nèi)SRAM保留給片內(nèi)Flash保留給片外存儲器0xFFFF FFFF保留0xE000 00000x7FFF E03F0x8000 00000x8000 003F片內(nèi)Flash片內(nèi)SRAMBoot Block外部存儲器 AHB外設(shè) VPB外設(shè)異常向量表異常向量表異常向量表異常向量表異常向量表地址重映射 復(fù)位后,首先運行Boot Block程序,需將Boot Block內(nèi)0x7FFF E000~0x7FFF E03F的異常向量表重映射到0x0000~0x003F地址(硬件電路自動強制)以允許處理異常并在Boot裝載過程中使用中斷。 此后,在正式運行用戶main函數(shù)之前,還需要運行一段大部分由匯編指令構(gòu)成的代碼,這段代碼稱為“啟動代碼”(),由用戶添加。 、RxD1 通過查閱PINSE0寄存器設(shè)置表,的控制位為PINSEL0[19:16],當(dāng)該域設(shè)置為[0101] (0x05)時選擇 RxD1和 TxD1。只寫0x00000000IOCLRGPIO輸出置位寄存器。寫該寄存器會將值保存到輸出寄存器。向某位寫入‘1’使對應(yīng)引腳輸出高電平。注意:讀取該寄存器無效,不能讀回輸出寄存器的值。 IO0SET = 0x00000001。= 0xFFFF0000。= 0xFFFF0000。但是芯片內(nèi)部有許多中斷源,最多可以有32個中斷輸入請求。 ~。 ~。 PinStat = IO0PIN。= 0xFFFFFFFC。向某位寫入‘1’使對應(yīng)引腳輸出低電平。48PINSELxIOxDIR IOxCLRIOxPINIOxSETinout10? GPIO相關(guān)寄存器描述——IOxSETIOxSET 描述 復(fù)位值31 : 0 輸出置位。IOxPIN中的x對應(yīng)于某一個端口,如P1口對應(yīng)于IO1PIN。只讀NAIOSETGPIO輸出置位寄存器。22]控制D[15:0] D[7:0] BLS0 BLS1 PINSEL2[6。 此時需將外部存儲器0x8000 0000~0x8000 003F的向量表重映射到0x0000~0x003F地址空間。為了能讓ARM內(nèi)核通過訪問0x0000~0x003F地址訪問到其他存儲區(qū)域的向量表,向量表必須進行重映射。通常在每個異常入口放置一條ARM 跳轉(zhuǎn)指令,其跳轉(zhuǎn)目標(biāo)地址放在0x0020~0x0003F地址空間,即異常服務(wù)函數(shù)(ISR)的入口地址。1 實際物理存儲單元通過存儲器管理部件進行存儲器重映射,獲得邏輯地址Addr2。未定義區(qū)域2保留區(qū)域1abcd24 預(yù)取指中止和數(shù)據(jù)中止異常? 保留地址區(qū)域FlashSRAMBoot BlockVPBAHBEXMemoryabcd 片內(nèi)非易失性存儲器與片內(nèi)SRAM之間保留給片內(nèi)存儲器的地址空間。每個外設(shè)空間的規(guī)格都為16K字節(jié),這樣就簡化了每個外設(shè)的地址譯碼。最多可擴展4個Bank的存儲器組,每個存儲器組的尋址范圍最大16M字節(jié)。 片內(nèi)F
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