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高頻課程設計報告(1)-文庫吧資料

2025-01-24 23:52本頁面
  

【正文】 標稱值20pF低頻調制信號的耦合支路電容及電感對VQ提供通路,一般的頻率為幾十赫至幾十千赫茲,故取,(固定電感)??梢韵热=,然后再調試。 已知,若取,則 最好用10kΩ電阻與47kΩ電位器的串聯組合,以便調整靜態(tài)偏壓VQ隔離電阻R3應遠大于、取R3=150kΩ。電容、由反饋系數F及電路條件, 決定,若取=510pF,由F=,則取=3600pF,取耦合電容??蛇m當調整的圈數或的值。若取=100pF,由因 RB2=VBQ/IB2≈因 VEQ=ICQ*RE=2V 參數計算與分析 LC調頻振蕩器(1)計算振蕩回路元件參數值振蕩器的靜態(tài)工作點取ICQ=2mA,VCEQ=7V,已知晶體管=60。當放大器的輸入信號Vi為正弦波時,集電極的輸出電流ic為余弦脈沖波。RF為交流負反饋電阻,可以提高放大器的輸入阻抗,穩(wěn)定增益。但是設計要求總效率,故選用丙類功率放大器較好,因此選用如圖4所示電路: 圖4 高頻功率放大級電路原理圖(2)電路原理分析由晶體管3DG12組成的寬帶功率放大器工作在甲類狀態(tài)。高頻功率放大級(1) 將前級送來的信號進行功率放大,使負載(天線)上獲得滿足要求的發(fā)射功率。輸入電壓Vi為為減小射隨器對前級振蕩器的影響,耦合電容C1不能太大,一般為數十皮法。//βRL39。所以,圖中所示射極輸出器具有輸入阻抗高、輸出阻抗低、電壓放大倍數近似等于1的特點。電壓放大倍數AV為 ,式中,gm—晶體管的跨導,一般情況下gmRL39。=(RE1+RE2)//RL,RB39。//βRL39。如果忽略晶體管基極電阻rb39。進行設計時,為減小級間相互影響,通常在中間插入緩沖隔離級。將振蕩級與功放級隔離,以減小功放級對振蕩級的影響。變容二極管Cj通過Cc部分接入振蕩回路,有利于提高主振頻率f0的穩(wěn)定性,減小調制失真。電阻R3稱為隔離電阻,常取R3》R2,R3》R1,以減小調制信號VΩ對VQ的影響。如果選C1《C2,C1《C3,則回路的諧振頻率f0主要由C1決定。當AVOF=1時,振蕩器滿足振幅平衡條件,電路的起振條件為AVOF1。LC1與CC3組成并聯諧振回路,其中C3兩端的電壓振蕩器的反饋電壓VBE,以滿足相位平衡條件。小功率振蕩器的靜態(tài)工作電流ICQ一般為1—4mA。由于對主振頻率f0要求不高,但對頻率穩(wěn)定度要求較高,故選用圖2所示的LC調頻振蕩器電路。由于本題要求的發(fā)射功率PA不大,工作中心頻率f0也不高,因此晶體管的參量影響及電路的分布參數的影響不會很大,整機電路可以設計得簡單些,組成框圖如圖1所示,各組成部分的作用是:圖1 發(fā)射機組成方框圖 單元電路設計 LC調頻振蕩級(1) LC調頻振蕩
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