電功能材料課程論文-文庫吧資料
2025-01-23 00:35本頁面
【正文】 米技術(shù)的結(jié)合，在催化、光學器件、藥物轉(zhuǎn)移、微電子等方面有著巨大的潛在應用。它是以高分子材料為基體與各種導電填料均勻分散、復合、層疊復合而成?？晒诫s的共扼高聚物如前述，摻雜劑的種類也很多，如電子受體摻雜劑有、As、HF、HCl等，電子給體摻雜劑有K、Na、Li等。它們的導電機理是：由于共扼高分子鏈中有離域的”電子，只要在無阻共扼的條件下，這些共扼高聚物在電場作用下就會表現(xiàn)出半導電特性。導電高分子材料包括結(jié)構(gòu)型導電高分子材料和復合型導電高分子材料。l971年日本筑波大學白川英樹制成了聚乙炔的正、反兩種異構(gòu)體。微波法得到的樣品，其晶格參數(shù)的變化量是傳統(tǒng)方法得到的樣品的2倍，這可能是由于微波加熱從內(nèi)向外，整體加熱的特點使得更多的納米粒子進入B位發(fā)生替代，在晶體內(nèi)引起更多的位錯，這些摻雜的第二相粒子和由于摻雜引起的位錯都可以作為有效的釘扎中心，從而有效提高材料的超導電性。摻雜量從x=0變化到菇=0．1，晶格參數(shù)n總變化量為0．0107A，而傳統(tǒng)真空加熱法制備的納米SiC摻雜樣品E51在相同條件下。而當筇=0．10時n=0．30752nm?？梢园l(fā)現(xiàn)，隨著戈的增大，晶胞參數(shù)n、c都逐漸減小，其中。未摻雜樣品內(nèi)(戈=o．00)的晶胞參數(shù)o=0．30859nlTl，C=0．35263nm，這比標準卡(PDFNo．38—1369)上的值。隨著菇的增加，MgB：的衍射峰有向高角度偏移的趨勢，其中以(200)衍射峰最為為明顯。Si垅C垅的XRD圖譜(MgB：的特征峰已經(jīng)用晶面符號標注)。郭芳芳等人的研究，“納米SiC摻雜對微波合成MgB2超導體顯微結(jié)構(gòu)與超導電性的影響”，揭示了納米SiC的摻雜很大程度提高了材料的超導電性。根據(jù)在磁場中的不問特征，超導體可分為第一類超導體和第二類超導體兩種。表1給出了一些超導材料的臨界溫度(Tc)一些超導材料的臨界溫度Tc值材料Tc/K材料Tc/KMo體心立方0．920Nb2A118．80AI面心立方1．174Nb3Ge23．20Nb體心立方9．260YBa2Cu4O880Nb25TiR①Ba2Cu3O790Nb25Zr①R為T、La、Nb、Sn等。如果施加磁場給正處于超導態(tài)的超導體，當磁場大于Hc(T)時，會破壞超導態(tài)，使電阻恢復正常。除溫度外，足夠強的磁場也能破壞超導態(tài)。超導材料從正常的電阻態(tài)過渡到超導態(tài)(零電阻態(tài))的轉(zhuǎn)變稱為正常超導轉(zhuǎn)變，轉(zhuǎn)變時的溫度Tc稱為超導體的臨界溫度。2 超導材料:材料在一定
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