電網(wǎng)絡(luò)chppt課件(2)-文庫吧資料
2025-01-21 05:11本頁面
【正文】 技術(shù)研究所 Research Centre of Electrical Engineering amp。 12 六、小結(jié) ? 基本二端代數(shù)元件 ： ? 電阻元件：用 u和 i之間的代數(shù)關(guān)系表征 ? 電容元件：用 u和 q之間的代數(shù)關(guān)系表征 ? 電感元件：用 ψ和 i之間的代數(shù)關(guān)系表征 ? 憶阻元件：用 ψ和 q之間的代數(shù)關(guān)系表征 ? 基本二端代數(shù)元件具有獨(dú)立性和封閉性。 12 五、獨(dú)立電源 (Independent Sources) Page 39 / 60 電工新技術(shù)研究所 Research Centre of Electrical Engineering amp。 12 四、憶阻元件 (Memristor) a) 金屬電極浸在電解液中 b) ψ q特性 Page 38 / 60 電工新技術(shù)研究所 Research Centre of Electrical Engineering amp。 12 四、憶阻元件 (Memristor) Page 37 / 60 電工新技術(shù)研究所 Research Centre of Electrical Engineering amp。 New Technology 在線性情況下 ? ? ? ?1 dtCCu t iC ????? ?Mq??d dqMdt dt? ? u Mi???? ?Mq??? ? ? ?d M q dqu M q id q d t ?? ? ??與線性電阻等價(jià)。 New Technology 定義：賦定關(guān)系為 Ψ和 q之間的代數(shù)關(guān)系的元件 ? ?( , ) : ( , ) 0MMq f q? ? ? ?R－＋ui分類： （ 1）荷控憶阻 （ 2）鏈控憶阻 （ 3）單調(diào)憶阻 （ 4）多值憶阻 建議電路符號(hào) 167。 2022年，托馬斯博士研制的憶阻器被內(nèi)置于比人頭發(fā)薄 600倍的芯片中，利用這種憶阻器作為人工大腦的關(guān)鍵部件，他的研究結(jié)果將發(fā)表在 《 物理學(xué)學(xué)報(bào) D輯：應(yīng)用物理學(xué) 》 雜志上。由 17條鉑納米線與另一條線及夾在每個(gè)交界處的二氧化鈦薄塊相交構(gòu)成。 R. S. Williams. The Missing Memristor Found. Nature, 2022,453(1 May):8083 167。 New Technology （ 3）惠普公司實(shí)驗(yàn)室的研究人員最近證明憶阻器的確存在（憶阻現(xiàn)象在納米尺度的電子系統(tǒng)中確實(shí)是天然存在的，成功設(shè)計(jì)出一個(gè)能工作的憶阻器實(shí)物模型，研究論文在 2022年 5月 1日的 《 自然 》 期刊上發(fā)表 。 潛在應(yīng)用： 通過控制電流的變化可改變其阻值，如果把高阻值定義為“ 1” ，低阻值定義為“ 0” ，則這種電阻就可以實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的功能。蔡教授原先的想法是：憶阻器的電阻取決于多少電荷經(jīng)過了這個(gè)器件。 L. O. Chua. Memristor—the missing circuit element. IEEE Trans. On Circuit Theory, 1971, 18(5): 507 – 519 167。 New Technology 發(fā)展概況 （ 1） 1971年，菲律賓出生的美籍華人、著名的國(guó)際電路理論 科學(xué)家 L. O. Chua（蔡少棠）作為“丟失的電路元件”提出了憶阻器，提供了憶阻器的原始理論架構(gòu) ，并用有源元件進(jìn)行了模擬。 ?i0? ?i ? ? ?167。 New Technology （ 2）鏈控電感 ?? KIi s in0?i0（ 3）單調(diào)電感 約夫遜結(jié) (Josephson Junction) （ 4）多值電感 絕大多數(shù)線圈的電感模型 屬于此類，且具有飽和特性。 New Technology 定義：賦定關(guān)系為 i和 Ψ之間的代數(shù)關(guān)系的元件 ? ?0),(:),( ????? ifi LLLi??Lui －＋d i d Lu L id t d t??diuLdt?? ?Li??分類： 線性電感 時(shí)變 時(shí)不變 非線性電感 （ 1）流控電感 線性電感 非線性電感 167。如變?nèi)荻O管： （ 4）多值電容 以鐵電物質(zhì)為介質(zhì)的電容器呈現(xiàn)滯回現(xiàn)象 167。 12 三、電容元件 (Capacitor) Page 30 / 60 電工新技術(shù)研究所 Research Centre of Electrical Engineering amp。 12 二、電阻元件 (Resistor) 幾種理想二端電阻元件符號(hào)及伏安特性 a) 凹電阻 b) 凸電阻 c) 絕對(duì)值電阻 d) 符號(hào)電阻 e) 零器 f) 泛器 Page 29 / 60 電工新技術(shù)研究所 Research Centre of Electrical Engineering amp。 12 二、電阻元件 (Resistor) Page 28 / 60 電工新技術(shù)研究所 Research Centre of Electrical Engineering amp。 New Technology 任何時(shí)刻 t, 元件上的電壓 u和電流 i都是任意值 u＝任意值 , i＝任意值 2R－＋ ui非口器 (Norator) ui0或者 (u－ x)(i－ y)＝ 0 作用：可視為一個(gè)具有任意值的電阻元件 ,它的伏安特性曲線布滿整個(gè) u～ i平面 ,即平面上任一點(diǎn)都是非口器的容許信號(hào)偶 注： 非口器不提供方程。 病態(tài)元件 (Pathological Elements)零口器和非口器 167。 VAR: 或者 作用：相當(dāng)于同時(shí)開路和短路，伏安特性在 u～ i平面上對(duì)應(yīng)于原點(diǎn) ,即只有平面上的原點(diǎn)是零口器的容許信號(hào)偶。 12 二、電阻元件 (Resistor) Page 26 / 60 電工新技術(shù)研究所 Research Centre of Electrical Engineering amp。 12 二、電阻元件 (Resistor) Page 25 / 60 電工新技術(shù)研究所 Research Centre of Electrical Engineering amp。 12 二、電阻元件 (Resistor) Page 24 / 60 電工新技術(shù)研究所 Research Centre of Electrical Engineering amp。 12 二、電阻元件 (Resistor) Page 23 / 60 電工新技術(shù)研究所 Research Centre of Electrical Engineering amp。 12 Page 22 / 60 電工新技術(shù)研究所 Research Centre of Electrical Engineering amp。 12 一、基本代數(shù)二端元件 Page 21 / 60 電工新技術(shù)研究所 Research Centre of Electrical Engineering amp。 12 一、基本代數(shù)二端元件 Page 20 / 60 電工新技術(shù)研究所 Research Centre of Electrical Engineering amp。 12 基本代數(shù)二端元件 ? 電阻元件 ? 電容元件 ? 電感元件 ? 憶阻元件 ? 獨(dú)立電源 Page 19 / 60 電工新技術(shù)研究所 Research Centre of Electrical Engineering amp。 Page 18 / 60 電工新技術(shù)研究所 Research Centre of Electrical Engineering amp。 New Technology (3) 線性與 非線性（ Linear and Nonlinear） 對(duì)于元件的任意兩組容許信號(hào)偶 ? ?)(,)( 11 tt iu ? ?)(,)( 22 tt iu? ?)()(),()( 2121 tttt iiuu ???? ?? 注： 線性特性包含了 齊次性 和 疊加性 兩種性質(zhì) 及任意兩個(gè)實(shí)常數(shù) α 和 β ,如果 6. 網(wǎng)絡(luò)及其元件的分類依據(jù) 167。 u＝ 10i 6. 網(wǎng)絡(luò)及其元件的分類依據(jù) 167。 New Technology (2) 時(shí)變性與時(shí) 不變性（ Timevary
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