掌二極管全面解析ppt課件-文庫吧資料
2025-01-20 18:37本頁面
【正文】 工作狀態(tài)的 通用曲線模型 ? 便于計算機輔助分析的 數(shù)學(xué)模型 直流簡化電路模型 交流小信號電路模型 ? 電路分析時采用的 晶體二極管的模型 ?數(shù)學(xué)模型 —伏安特性方程式 )1e( TS ?? VVII理想模型： 修正模型： )1e( T SS ???nVIrVIIrS — 體電阻 + 引線接觸電阻 + 引線電阻 其中： n —非理想化因子 I 正常時 : n ?1 I 過小或過大時 : n?2 注意： 考慮到阻擋層內(nèi)產(chǎn)生的自由電子空穴對及表面漏電流的影響，實際 IS??理想 IS。 ? 勢壘電容 Cb ? 擴散電容 Cd 阻擋層外（ P區(qū)和 N區(qū)）貯存的非平衡電荷量 ,隨外加電壓變化產(chǎn)生的電容效應(yīng)。 在電子設(shè)備中，常把反偏的 PN結(jié)作壓控電容器使用 (變?nèi)荻O管）。 返回穩(wěn)壓管 返回反向擊穿特性 四、 PN結(jié)的電容特性 二極管（ PN結(jié)）除具有單向?qū)щ?、反向擊穿特性外，?dāng)加在二極管上的電壓發(fā)生變化時，由于 PN結(jié)中儲存的電荷量也隨之發(fā)生變化，因此它還有一定的電容效應(yīng)，二極管的電容效應(yīng)包括兩部分，即 擴散電容 Cd 和 勢壘電容 Cb 。 額定功耗 PZ : PZ ＝ UZ IZM 返回反向擊穿特性 ? 使用穩(wěn)壓管組成電路時需注意的幾個問題： 某原因 UO? ? IZ?? ? I ? 限流電阻 R： 保證穩(wěn)壓管工作在 Izmin~ Izmax之間 穩(wěn)壓原理： UO? ? UR? UO= UZ 輸出 電壓： D + + R RL IL UI UO IZ I 應(yīng)該給穩(wěn)壓管加反偏電壓，以保證工作于反向擊穿區(qū) 穩(wěn)壓管應(yīng)與負(fù)載電阻并聯(lián)以使 輸出電壓穩(wěn)定。 穩(wěn)定電流 IZ :是使穩(wěn)壓管正常工作時的參考電流，一般說來工作電流較大時穩(wěn)壓性能較好。 穩(wěn)壓管 ? 穩(wěn)壓二極管 UZ ID(mA) U(V) IZmin IZmax + UZ ? 利用 PN結(jié) 的 反向擊穿特性 ，可 制成穩(wěn)壓二極管。 V(BR) ID(mA) V(V) 反向擊穿時， PN結(jié)上電流過大，若 時間過長而產(chǎn)生過熱就會產(chǎn)生 熱擊穿 而燒壞管子。 溫度每升高 1℃ ， VD(on)約減小 。 正偏時 ： TSVVeII ?反偏時 ： SII ??分析方法 返回 PN結(jié) —— 伏安特性曲線 ID(mA) V(V) VD(on) IS Si Ge VD(on)= IS=(109~1016)A 硅 PN結(jié) VD(on)= 鍺 PN結(jié) IS=(106~108)A V VD(on)時 隨著 V ? 正向 R很小 I ?? PN結(jié)導(dǎo)通 ； V VD(on)時 IR很小 (IR? IS) 反向 R很大 PN結(jié)截止 。 即正向?qū)?，反向截止? 溫度 T ? 電流 IS?? IS PN結(jié)呈大電阻特性，理想情況下相當(dāng)于 開關(guān)斷開 。 PN結(jié)的單向?qū)щ娦?（即正向?qū)?，反向截止? 一、正偏特性 E外 I PN結(jié)正偏 阻擋層變薄 內(nèi)建電場減弱 多子擴散 少子漂移 多子擴散形成 較大的正向電流 I PN結(jié)導(dǎo)通 電壓 V ? 電流 I ?? PN結(jié)呈小電阻特性，理想情況下相當(dāng)于 開關(guān)閉合
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