mosfet概念深入ppt課件-文庫吧資料

【摘要】第12章MOSFET概念的深入?12．1非理想效應(yīng)?12．2MOSFET按比例縮小理論?12．3閾值電壓的修正?12．4附加電學(xué)特性?12．5輻射和熱電子效應(yīng)*1非理想效應(yīng)亞閾值電流:定義亞閾值電流TGVV?區(qū)半導(dǎo)體表面處于弱反型fpsfp???2??2

2025-05-07 23:38

mosfet放大電路ppt課件-文庫吧資料

【摘要】MOSFET放大電路MOSFET放大電路1.直流偏置及靜態(tài)工作點的計算2.圖解分析3.小信號模型分析*帶PMOS負載的NMOS放大電路MOSFET放大電路1.直流偏置及靜態(tài)工作點的計算（1）簡單的共源極放大電路（N溝道）共源極放大電路直流通路MOSFET放大電路1.

2025-05-11 18:16

mosfet的閾電壓ppt課件-文庫吧資料

【摘要】MOSFET的閾電壓定義：使柵下的硅表面處開始發(fā)生強反型時的柵電壓稱為閾電壓（或開啟電壓），記為VT。定義：當(dāng)硅表面處的少子濃度達到或超過體內(nèi)的平衡多子濃度時，稱為表面發(fā)生了強反型。在推導(dǎo)閾電壓的表達式時可近似地采用一維分析，即認為襯底表面下耗盡區(qū)及溝道內(nèi)的空間電荷完全由柵極與

2025-05-11 18:16

mosfet基本原理ppt課件-文庫吧資料

【摘要】5-5MOSFET基本原理?5-5-1基本特性?5-5-2MOSFET的線性壓?5-5-3線性區(qū)電流討論5-5-1基本特性：?當(dāng)柵極無外加偏壓時源到漏柵電極之間可視為兩個背對背相接的PN結(jié)，而由源極流向漏極的電流有反向漏電流。?當(dāng)外加一足夠大的正電壓于柵極上時，MOS結(jié)構(gòu)均將被反型

2025-05-11 18:16

功率mosfet雪崩擊穿問題分析-文庫吧資料

【摘要】功率MOSFET雪崩擊穿問題分析摘要：分析了功率MOSFET雪崩擊穿的原因，以及MOSFET故障時能量耗散與器件溫升的關(guān)系。和傳統(tǒng)的雙極性晶體管相比，反向偏置時MOSFET雪崩擊穿過程不存在“熱點”的作用，而電氣量變化卻十分復(fù)雜。寄生器件在MOSFET的雪崩擊穿中起著決定性的作用，寄生晶體管的激活導(dǎo)通是其雪崩擊穿的主要原因。在MOSFET發(fā)生雪崩擊穿時，器件內(nèi)部能量的耗散會使器件溫度急劇升高

2025-06-13 17:00

額定功率實際功率ppt課件-文庫吧資料

【摘要】實際功率實際電壓：用電器工作時實際兩端所加的電壓為實際電壓,一般用Ｕ實表示額定電壓：用電器正常工作時的電壓叫做額定電壓用Ｕ額表示實際功率：用電器在實際電壓下工作時的功率叫實際功率,用Ｐ實表示額定功率：用電器在額定電壓下正常工作時的功率叫額定功率,用Ｐ額表示額定電壓和額定功率

2025-05-13 12:02

大功率電源中mosfet熱設(shè)計-文庫吧資料

【摘要】電源工程師指南：大功率電源中MOSFET功耗的計算摘要：功率MOSFET是便攜式設(shè)備中大功率開關(guān)電源的主要組成部分。此外，對于散熱量極低的筆記本電腦來說，這些MOSFET是最難確定的元件。本文給出了計算MOSFET功耗以及確定其工作溫度的步驟，并通過多相、同步整流、降壓型CPU核電源中一個30A單相的分布計算示例，詳細說明了上述概念。?也許，今天的便攜式電源設(shè)計者所面臨

2025-07-05 23:25

153功率ppt課件-文庫吧資料

【摘要】一樓有一桶水，需要運到三樓，我們可以采用幾種方法運上去？導(dǎo)入新課這兩種方法做的有用功一樣多嗎？有什么區(qū)別？有一批磚，準備運到新建的樓房上去，有哪些方法？方法1：搬運工分批搬，需3h；方法2：用一臺起重機提升，用時1min；方法3：用兩臺起重機提升，用時30s。以上

2025-08-11 01:34

功率特性ppt課件-文庫吧資料

【摘要】1第四章雙極型晶體管的功率特性1P-N結(jié)2直流特性3頻率特性4功率特性5開關(guān)特性（6，7結(jié)型和絕緣柵場效應(yīng)晶體管）8噪聲特性大電流(大注入)高電壓(擊穿)大功率集電極最大允許工作電流ICM基區(qū)大注入效應(yīng)對電流放大系數(shù)的影響(基區(qū)電導(dǎo)調(diào)制)有

2025-05-12 12:06

電功率ppt課件-文庫吧資料

【摘要】自動感應(yīng)干手機在許多高級娛樂場所的洗手間里,都安裝有自動感應(yīng)干手機。只要手處于紅外線感應(yīng)范圍內(nèi)，就立即吹出熱風(fēng)，將手烘干。它的快捷、方便和舒適，深受大家的喜愛。自動感應(yīng)干手機你認為自動感應(yīng)干手機內(nèi)部有哪些主要的裝置？M電熱絲電動機自動感應(yīng)開關(guān)干手機工作時，是將電能轉(zhuǎn)化為什么形式的能？電能內(nèi)能機械能

2024-08-18 09:36

大功率的mosfet和igbt驅(qū)動芯片-文庫吧資料

【摘要】關(guān)鍵詞：IGBT；驅(qū)動與保護；IXDN404引言絕緣柵晶體管IGBT是近年來發(fā)展最快而且很有前途的一種復(fù)合型器件，并以其綜合性能優(yōu)勢在開關(guān)電源、UPS、逆變器、變頻器、交流伺服系統(tǒng)、DC/DC變換、焊接電源、感應(yīng)加熱裝置、家用電器等領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。然而，在其使用過程中，發(fā)現(xiàn)了不少影響其應(yīng)用的問題，其中之一就是IGBT的門極驅(qū)動與保護。目前國內(nèi)使用較多的有富士公司生產(chǎn)的EXB系列，三菱

2024-09-15 12:07

mosfet器件回顧與展望mosfethistoryperspective-文庫吧資料

【摘要】MOSFET器件:回顧與展望肖德元中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所中芯國際集成電路(上海)有限公司系統(tǒng)芯片研發(fā)中心2022年11月2日內(nèi)容?微電子技術(shù)成就?MOSFET器件發(fā)展歷程?典型CMOS工藝流程模塊?典型CMOS制作工藝流程?MOSFET器件面

2025-01-27 18:40

mosfet基礎(chǔ)2mosfet工作原理頻率cmos-文庫吧資料

【摘要】?MOS結(jié)構(gòu)?電流電壓關(guān)系——概念?電流電壓關(guān)系——推導(dǎo)?跨導(dǎo)?襯底偏置效應(yīng)1MOSFET原理MOSFET結(jié)構(gòu)N溝道增強型MOS場效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)示意圖BPGN+N+氮氮SDSiO2Ltox1.

2024-12-01 19:59

電功率復(fù)習(xí)ppt課件-文庫吧資料

【摘要】猜一猜6V12W問題：根據(jù)上面所給的信息再加上一個條件你又可以設(shè)計出多少問題？比比看，看誰設(shè)計的問題多！60V12W1、“6V12W”的含義是什么？2、該燈泡正常發(fā)光時的電流是多少？3、該燈泡正常發(fā)光時的電阻是多少？4、該燈泡正常發(fā)光1小時消耗的電能是多少？5、1千瓦時的電能可使該燈泡正常發(fā)光幾小時？電流

2024-12-14 05:14

功率分配元ppt課件-文庫吧資料

【摘要】§功率分配元件在微波系統(tǒng)中，需將功率進行分路或合成，即功率分配問題，其元件稱為功率分配器/合成器。主要有：定向耦合器、功率分配器、微波分支器件。1、定向耦合器定向耦合器P1P2P3P41234定向耦合器是一種具有定向傳輸特性的四端口元件①端口是輸入端口；

2025-05-12 12:06

功率mosfet應(yīng)用ppt課件-文庫吧在線文庫

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