達(dá)員工技能培訓(xùn)-開關(guān)電源基本原理與設(shè)計(jì)-文庫吧資料
2025-01-13 01:35本頁面
【正文】 Q2關(guān)斷 ,續(xù)流二極管 D導(dǎo)通 ,輸出電流全部通過 D續(xù)流 ,電感電流 =0,電容電壓 =0. 工作過程分析 . fL ff CL ? LRLri crv時(shí)刻 ,以零電壓零電流方式完成關(guān)斷過程 . 從上述工作原理可看出 ,在 ZCSPWM電路中 ,所有開關(guān)管及二極體都是在零電壓或零電流下完成通斷的 .同時(shí) ,電路可以以恆定頻率通過調(diào)節(jié)輸出脈寬占空比來調(diào)節(jié)輸出電壓 . 各時(shí)間段的電路拓補(bǔ)圖 主要電量波形 半橋式轉(zhuǎn)換器介紹 ? 雙輸入電壓半橋式轉(zhuǎn)換器 二個(gè)主要優(yōu)點(diǎn) ,第一點(diǎn)就是它能在數(shù)放交流電壓 115V或 230Vac的工作情況下 ,不需使用到高壓晶體管 .第二點(diǎn)就是我們只需使用到簡單的方法就能來平衡每一轉(zhuǎn)換晶體管的伏特 秒 (voltsenconds)區(qū)間 ,而功率變壓器不需有間隙且不需使用到價(jià)格高的對(duì)稱修正電路 , 雙輸入電壓半橋式轉(zhuǎn)換器 在半橋式轉(zhuǎn)換器結(jié)構(gòu)中 ,功率變壓器有一端點(diǎn)連接到由串聯(lián)電容器 C1與 C2所産生的浮點(diǎn)電壓值端點(diǎn) ,其浮點(diǎn)電壓值爲(wèi) Vin/2,所以在標(biāo)準(zhǔn)的輸入電壓下 ,其值爲(wèi) 聯(lián)電容器 C3連接到 Q1的射極與 Q2的集極接頭處 ,當(dāng) Q1電晶體 ON時(shí) ,此處變壓器端點(diǎn)會(huì)産生正的 160V電壓脈波 ,當(dāng) Q1電晶體 OFF,Q2電晶體 ON時(shí) ,變壓器的初級(jí)圈會(huì)極性反轉(zhuǎn) ,因此 ,會(huì)産生負(fù)的 160V電壓脈波 ,在這 Q1與 Q2電晶體 ONOFF動(dòng)作中 ,其産生的峰對(duì)方波電壓值爲(wèi)320V,經(jīng)由變器轉(zhuǎn)換降低爲(wèi)次級(jí)電壓 ,再經(jīng)過整流 ,濾波而得到直流輸出電壓 . 工作原理 RCC(Ringing choke converter)電路 ? RCC電路的工作原理 以 DPS180KB1 D 的 STANDBY電路為例 如圖所示 ,Q902的控制極 (G極 )由 R914A~R914C得到啟動(dòng)電壓后 ,Q902開始導(dǎo)通 ,電流經(jīng)過 T901的 8,10腳 ,Q902的漏源極和 R906到地 ,同時(shí) T901開始儲(chǔ)能 ,R906的電壓也同時(shí)升高 ,當(dāng) R906的電壓達(dá)到一定值的時(shí)候 ,Q901導(dǎo)通 ,使得Q902的 G極電壓拉低 ,Q902截止 .在 Q902截止的期間內(nèi) ,由開關(guān)變壓器 T901向負(fù)載提供能量 ,在 T901次級(jí)繞組的電流經(jīng)過 LC濾波后得到直流輸出 .當(dāng) Q901由導(dǎo)通變?yōu)榻刂箷r(shí) ,Q902再次導(dǎo)通 ,如此反復(fù)的循環(huán) ,形成自激振蕩 . RCC電路舉例 Input EMI Section ? EMI的定義 ? EMI 的 產(chǎn)生和傳播及處理方式 ? 在 SPS中的架構(gòu)模型 ? EMI的處理及量測裝置 ? LISN的原理與使用 ? 開關(guān)電源的雜訊分析 ? EMI濾波器的組成元件 EMI的定義 ?EMI:Electromagic interference 電磁干擾 ?EMI包括傳導(dǎo) (conduction)和輻射 (radiation)兩個(gè)部分 . ?傳導(dǎo) EMI是待測物經(jīng)由導(dǎo)線 (電源線 )所傳遞出來的雜訊 . ?輻射 EMI是直接由開放空間傳遞的 . Input EMI Section 架構(gòu) EMI的 產(chǎn)生傳播及處理方式 噪聲傳遞的主要方式為 ﹕ （ 1）傳導(dǎo)耦合 ﹒2 ）公共阻抗耦合 ﹒ （ 3）輻射耦合 ﹒ 根據(jù)電磁干擾的傳播途徑 ﹐ 開關(guān)電源中的電磁干擾可以分為輻射干擾和傳導(dǎo)干擾 ﹐ 兩種干擾可以相互轉(zhuǎn)換 ﹒ 傳導(dǎo)干擾可以分為共模（ Common Mode－ CM）干擾和差模（ Differential Mode－ DM）干擾 ﹒ 由于寄生參數(shù)的存在以及開關(guān)電源中開關(guān)器件的高頻開通和關(guān)斷 ﹐ 使得開關(guān)電源在其輸入端（即交流電網(wǎng)側(cè)）產(chǎn)生較大的共模干擾和差模干擾 ﹒ 傳導(dǎo) EMI經(jīng)由介質(zhì)進(jìn)行傳導(dǎo) ﹒ 因此 ﹐ 在電路上經(jīng)常是加濾波器的方式抑制雜訊 ﹒ 但是輻射 EMI不經(jīng)由介質(zhì) ﹐ 雜訊可以 bypass EMI而影響其他系統(tǒng) ﹒因此其處理方式多為屏蔽（ shielding）接地（ grounding）濾波等 ﹒ 開關(guān)電源的雜訊分析 ? 由 LISN所取得的雜訊中 ,都包含有 CM雜訊 (monmode noise)及 DM雜訊 (differentialmode noise)兩個(gè)分量 ? CM雜訊由 CM雜訊電流產(chǎn)生 ,DM雜訊有 DM雜訊電流產(chǎn)生 .其中CM雜訊電流 ICM是 L,N相對(duì)于接地線共同的雜訊 ,而 DM雜訊電流IDM是直接經(jīng) L,N而不經(jīng)過接地線的雜訊分量 .此兩分量用數(shù)學(xué)表示如下 : DMCMto ta l III??? ??totalI? 為總雜訊電流 ,它是流經(jīng) LISN的 50ohm阻抗所產(chǎn)生的雜訊電壓 50*to ta lto ta l IV ?? ?開關(guān)電源的雜訊分析 CM雜訊電流與 DM雜訊電流由什么造成的 ? 根據(jù)前人的實(shí)驗(yàn)結(jié)果 ,發(fā)現(xiàn) CM雜訊主要是由 Power MOSFET及變壓器上的寄生電容及雜散電容造成的 .而 D
法律信息相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號(hào)-1