小功率調(diào)頻發(fā)射機(jī)的設(shè)計(jì)任務(wù)書-文庫(kù)吧資料
2025-06-10 22:45本頁(yè)面
【正文】 容三點(diǎn)式振蕩器， V1為共基組態(tài)， C1 為基級(jí)耦合電容。將受到調(diào)制信號(hào)控制的可變電抗與諧振回路連接，就可以使振 蕩頻率按調(diào)制信號(hào)規(guī)律變化，實(shí)現(xiàn)直接調(diào)頻。 R 1 8R E S 2R 1 9R E S 2R8R E S 2R 1 0R E S 2R9R E S 2R6R E S 2R7R E S 2R1P O T 2C 1 0C A PC5C A PC6C A PC4C A PC3C A PQ1N P NC7C A PC 1 2C A PC 1 1C A PL1I N D U C T O R 1L2I N D U C T O R 1D1D I O D EV1S O U R C E V O L T A G E 圖 33 調(diào)頻振蕩器電路 高頻電子線路課程設(shè)計(jì) (報(bào)告 ) 10 LC 調(diào)頻振蕩器是直接調(diào)頻電路，是利用調(diào)制信號(hào)直接線性地改變載波瞬時(shí)頻率。發(fā)射機(jī)的頻率穩(wěn)定度由該級(jí)決定。 元件清單 C8=20pF C9= ??kR 109 R10=1kΩ Rw2為 1kΩ的電位器 晶體管為 3DG100 、調(diào)頻振蕩器設(shè)計(jì) 調(diào)頻振蕩電路的作用是產(chǎn)生頻率 MHZf 6? 的高頻振蕩信號(hào)。 高頻電子線路課程設(shè)計(jì) (報(bào)告 ) 9 ???? kIVVR BQBQcc 取標(biāo)稱值 R8= 。 根據(jù)已知條件選取 ICQ=4mA,， VCEQ==6V，則 ???????? kmAVVcVRR EQccw 612IIV CQCQEQ210 (2)R Rw2： 取 R10=1kΩ， Rw2為 1kΩ的電位器。 表 43 3DG100 參數(shù)表 PCM ICM VCES hfe fT AP 100mW 30mA 30~200 ≥ 150MHz β0=60。 高頻電子線路課程設(shè)計(jì) (報(bào)告 ) 8 R 1 3R E S 2R 1 1R E S 2R 1 2R E S 2R2P O T 2R4P O T 2C8C A PQ2N P N 圖 42 射極輸出器電路 估算偏置電路元件 (1)已知條件： Vcc=+12V，負(fù)載電阻 RL=325Ω(寬帶放大器輸入電阻 )，輸出電壓振幅等于高頻寬帶放大器輸入電壓振幅，即 Uom=，晶體管為 3DG100（ 3DG6）。如圖 42所示。 電路形式 由于待傳輸信號(hào)是高頻調(diào)頻波，主要考慮的是輸入抗高，傳輸系數(shù)大且工作穩(wěn)定。一般盡可能從低阻抗點(diǎn)取出信號(hào)，并加入隔離、緩沖級(jí)如射極輸出器，以減弱外接負(fù)載對(duì)振蕩器幅度、波形以及頻率穩(wěn)定度 的影響。還可在輸出變壓器次級(jí)與負(fù)載之間插入 LC 濾波器，以改善負(fù)載輸出波形。 此外 ,還可以在直流電源 VCC 支路上加高頻電源去耦濾波網(wǎng) 絡(luò) ,通常采用 LC 的 Π型低通濾波器。 (3)高頻旁路電容 C10=。bbr 30?) 若取交流 負(fù)反饋電阻為 10Ω ，則 高頻電子線路課程設(shè)計(jì) (報(bào)告 ) 7 ??325iR (8)本級(jí)輸入電壓振幅 Uim VPRiiim **325*223?? ? 計(jì)算電路靜態(tài)工作點(diǎn) (1)BQV、I RIV CQEQ 313 ???? ? VVEQBQ ?? mAII CQ ??? (2)R1 R12 (I1=5~10 倍 IBQ ) 若取基極偏置電路的電流 I1=5BQ=5*=，則 ???? kmAVIVR BQBQ 取標(biāo)稱值 R12=3kΩ 。 (5)發(fā)射極直流負(fù)反饋電阻 R13 ???????? mA VI VUcmVccR CQ CES 取標(biāo)稱值 360Ω (6)功放輸入功率 Pi 本級(jí)功放采用 3DG130 晶體管，若取功率增益 AP=13dB(20 倍 )，則輸入功率 mWAPoPi ?? (7)功放輸入阻抗 Ri 交負(fù)交負(fù) RRrbbi *302539。 2H 約為 (4)高頻變壓器匝數(shù)比 N1/N2 339。即 PH=25mW RH=86Ω (2)實(shí)際輸出功率 PO 設(shè)高頻變壓器的效率 η=80%，則 Po= PH/η= (3)集電極電壓振幅 Ucm與等效負(fù)載電阻H39。 3DG130 的參數(shù)如表 32 所示。 (4)可變電容 CT=(5~20)pF。 基極偏置電路 (1)發(fā)射極電阻 R14 由公式 可得， VUUV obmonBB ???????? ? VII ceBB 140140 ?????? ? 取標(biāo)稱值?2021 (2)高頻旁路電容 C12=。 則 ， 需要指出的是，變壓器的匝數(shù) N N N5 的計(jì)算值只能作為參考值，由于分布參數(shù)的影響，與設(shè)計(jì)值可能相差較大。 若采用外徑 *內(nèi)徑 *高度 =Φ10mm*Φ6mm*Φ5mm 的 NXO100 環(huán)來(lái)繞制輸出耦合變壓器，由公式 式中，?=100H/m 為磁導(dǎo)率； N 為變壓器初級(jí)線圈匝數(shù)； A=25mm2 為磁芯截面積；l=25mm為平均磁路長(zhǎng)度。 (2) 諧振回路電容 C11=100pF (3) 諧振回路電感 L uHCfL 1010*100*)10*5**2( 1)2( 1 12261120 ??? ?? (4)輸出變壓器初級(jí)線圈總匝數(shù)比 N=N3+N4 ????? )(122P )V(VRp 2O 2C E SCC高頻電子線路課程設(shè)計(jì) (報(bào)告 ) 5 高頻變壓器及高頻電感的磁芯應(yīng)采用鎳鋅 (NXO)鐵氧體，而不能采用硅鋼鐵芯，因其在高頻工作時(shí)鐵損耗過(guò)大。 高頻電子線路課程設(shè)計(jì) (報(bào)告 ) 4 表 31 3DA1 參數(shù)表 PCM ICM VCES hfe fT AP 1W 750mA ≥ ≥ 10 ≥ 70MHz 13dB (1) 最佳匹配負(fù)載 ?? (2)由 Po== Ucm2/(2 RP)可得：集電極最大輸出電壓 Ucm= (3)集電極基波電流振幅： Icm1= (4)集電極電流最大值 Icm= Icm1/α1(700)=
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