清華大學(xué)模擬電子技術(shù)課件第一章華成英-文庫吧資料
2025-05-23 01:24本頁面
【正文】 想開關(guān) 導(dǎo)通時(shí) UD＝ 0截止時(shí) IS＝ 0 導(dǎo)通時(shí) UD＝ Uon 截止時(shí) IS＝ 0 導(dǎo)通時(shí)△ i與△ u成線性關(guān)系 應(yīng)根據(jù)不同情況選擇不同的等效電路！ 1. 將伏安特性折線化 ？ 100V？ 5V？ 2V？ Si 華成英 2. 微變等效電路 DTDDd IUiur ????根據(jù)電流方程， Q越高， rd越小。A以下 鍺 Ge ~ 幾十 181。 平面型：結(jié)面積可小、可大，小的工作頻率高，大的結(jié)允許的電流大。 小功率二極管 大功率二極管 穩(wěn)壓 二極管 發(fā)光 二極管 華成英 一、二極管的組成 點(diǎn)接觸型：結(jié)面積小，結(jié)電容小，故結(jié)允許的電流小，最高工作頻率高。 dbj CCC ??結(jié)電容： 結(jié)電容不是常量！若 PN結(jié)外加電壓頻率高到一定程度，則失去單向?qū)щ娦裕? 華成英 討論 ? 為什么將自然界導(dǎo)電性能中等的半導(dǎo)體材料制成本征半導(dǎo)體，導(dǎo)電性能極差，又將其摻雜，改善導(dǎo)電性能？ ? 為什么半導(dǎo)體器件的溫度穩(wěn)定性差？是多子還是少子是影響溫度穩(wěn)定性的主要因素？ ? 為什么半導(dǎo)體器件有最高工作頻率？ 華成英 167。 PN 結(jié)的單向?qū)щ娦? 必要嗎？ 華成英 清華大學(xué) 華成英 四、 PN 結(jié)的電容效應(yīng) 1. 勢壘電容 PN結(jié)外加電壓變化時(shí)，空間電荷區(qū)的寬度將發(fā)生變化，有電荷的積累和釋放的過程，與電容的充放電相同，其等效電容稱為勢壘電容 Cb。 PN結(jié)加反向電壓截止： 耗盡層變寬，阻止擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)，有利于漂移運(yùn)動(dòng)，形成漂移電流。內(nèi)電場使空穴從 N區(qū)向 P區(qū)、自由電子從 P區(qū)向 N 區(qū)運(yùn)動(dòng)。 參與擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)和漂移運(yùn)動(dòng)的載流子數(shù)目相同，達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡，就形成了 PN結(jié)。 擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)使靠近接觸面 P區(qū)的空穴濃度降低、靠近接觸面N區(qū)的自由電子濃度降低，產(chǎn)生內(nèi)電場。 擴(kuò)散運(yùn)動(dòng) P區(qū)空穴濃度遠(yuǎn)高于 N區(qū)。 多數(shù)載流子 空穴比未加雜質(zhì)時(shí)的數(shù)目多了？少了？為什么？ 華成英 2. P型半導(dǎo)體 3?硼（ B） 多數(shù)載流子 P型半導(dǎo)體主要靠空穴導(dǎo)電，摻入雜質(zhì)越多，空穴濃度越高，導(dǎo)電性越強(qiáng)， 在雜質(zhì)半導(dǎo)體中，溫度變化時(shí)，載流子的數(shù)目變化嗎？少子與多子變化的數(shù)目相同嗎？少子與多子濃度的變化相同嗎？ 華成英 三、 PN結(jié)的形成及其單向?qū)щ娦? 物質(zhì)因濃度差而產(chǎn)生的運(yùn)動(dòng)稱為擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)。 華成英 二、雜質(zhì)半導(dǎo)體 1. N型半導(dǎo)體 5?磷（ P） 雜質(zhì)半導(dǎo)體主要靠多數(shù)載流子導(dǎo)電。 溫度升高，熱運(yùn)動(dòng)加劇，載流子濃度增大，導(dǎo)電性增強(qiáng)。由于載流子數(shù)目很少，故導(dǎo)電性很差。 共價(jià)鍵 一定溫度下，自由電子與空穴對的濃度一定；溫度升高，熱運(yùn)動(dòng)加劇，掙脫共價(jià)鍵的電子增多，自由電子與空穴對的濃度加大。 自由電子的產(chǎn)生使共價(jià)鍵中留有一個(gè)
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