半導(dǎo)體二極管的特性及主要參數(shù)(1)-文庫(kù)吧資料
2025-05-22 06:23本頁(yè)面
【正文】 當(dāng) ui 幅度較小時(shí) ， 二極管伏安特性在 Q點(diǎn)附近近似為直線 三、微變等效電路分析法 對(duì)于交流信號(hào) 電路可等效為 例 1－ 1 ui = 5sinwt (mV)， VDD= 4 V， R = 1 k?，求 iD 和 uD。 2. 結(jié)面積小時(shí)結(jié)電容小，工作頻率高。 第 1 章 半導(dǎo)體二極管 iD uD U (BR) I F URM O RMU影響工作頻率的原因 — PN 結(jié)的電容效應(yīng) 結(jié)論： 1. 低頻時(shí)，因結(jié)電容很小，對(duì) PN 結(jié)影響很小。 4. fM — 最高工作頻率 (超過(guò)時(shí)單向?qū)щ娦宰儾?)。此值越小 , 二 極管的單向 導(dǎo)電性越好。 二極管允許的最大反向工作電 壓 ， 通常取擊穿電壓的一半作為Ｕ Ｒ M＝ U(BR) / 2 3. IR — 反向電流。 二 極管長(zhǎng)期工作允許通過(guò)的最大正向平均 電流，如超過(guò) Ｉ Ｆ，二極管將過(guò)熱而燒毀。 (擊穿電壓 6 V，正 溫度系數(shù) ) 擊穿電壓在 6 V 左右時(shí)，溫度系數(shù)趨近零。 — PN 結(jié)未損壞，斷電即恢復(fù)。 第 1 章 半導(dǎo)體二極管 一、二極管的正反向伏安特性 O uD /V iD /mA 正向特性 Uth 死區(qū) 電壓 iD = 0 Uth = V V (硅管 ) (鍺管 ) U ? Uth iD 急劇上升 0 ? U ? Uth UD(on) = ( ? ) V 硅管 V ( ? ) V 鍺管
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