chap8光刻與刻蝕工藝-文庫吧資料
2025-05-18 23:47本頁面
【正文】 的間隙 (10～ 25?m)， 可以大大減小掩膜版的損傷 ， 分辨率較低 。 27 改善駐波效應(yīng)的技術(shù)：在光刻膠層底部或頂部使用抗反射涂層，同時在曝光后進(jìn)行烘焙。 表現(xiàn)為以 λ /2n為間 隔， 在光刻膠中形成強(qiáng)弱相間的曝光區(qū)域。 駐波效應(yīng)：曝光光波在進(jìn)入到光刻膠層之后，如果沒有被完全吸收，就會有一部分光波穿過光刻膠膜達(dá)到襯底表面，這一部分光波在襯底表面被反射之后，又回到光刻膠中。底層光刻膠用來在襯底上形成平坦化的圖形。 17 正膠： 曝光后可溶 負(fù)膠： 曝光后不可溶 18 二、光刻膠的感光機(jī)理 聚乙烯醇肉桂酸酯 KPR膠的光交聯(lián) (聚合 ) 19 生交聯(lián) 常用負(fù)膠有聚肉桂酸酯類、聚酯類和聚烴類 , 由光產(chǎn)生分解 膠 襯底 膠 襯底 膠 襯底 掩膜 曝光 膠 襯底 顯影 負(fù)膠 正膠 20 聚乙烯醇肉桂酸酯 KPR 常用負(fù)膠有聚肉桂酸酯類、聚酯類和聚烴類 21 DNQ酚醛樹脂光刻膠的化學(xué)反應(yīng) (光活潑化合物 ) O=S=O OR O=S=O OR N2 o o (1) (2) h? N2 重新排列 O=S=O OR O=S=O OR c o OH c o (4) (3) +H2O 22 （ 1） 感光度 （ 2） 分辨率 （ 3） 抗蝕性 （ 4） 粘附性 （ 5） 針孔密度 （ 6） 留膜率 （ 7） 性能穩(wěn)定 三、光刻膠的性能指標(biāo) 23 24 多層光刻膠工藝（ MLR） 采用性質(zhì)不同的多層光刻膠，分別利用其抗蝕平坦化等方面的不同特性完成圖形的轉(zhuǎn)移。 正膠：曝光前不可溶 ， 曝光后可溶 ， 所形成的圖形是掩膜版圖形的正映像 。 ? 光刻膠受到特定波長光線的作用后 ， 導(dǎo)致其化學(xué)結(jié)構(gòu)發(fā)生變化 ， 使光刻膠在某種特定溶液中的溶解特性改變 ? 正膠：分辨率高 ， 在超大規(guī)模集成電路工藝中 ，一般只采用正膠 ? 負(fù)膠：分辨率差 ， 適于加工線寬 ≥ 3 m的線條 ? 光刻膠的分類和光刻膠的質(zhì)量要求 。表示每mm內(nèi)能刻蝕出可分辨的最多線條數(shù)。 ?? 目的：把經(jīng)過曝光 , 顯影后的光刻膠微圖形中下層材料的裸露部分去掉 , 即在下層材料上重現(xiàn)與光刻膠相同的圖形。 12 ?七、刻蝕（見后面章節(jié)）
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