md02pn結(jié)的形成及特性-文庫吧資料
2025-05-18 18:56本頁面
【正文】 素？ 問 題 四、 PN 結(jié)的形成及其單向?qū)щ娦? 在一塊半導(dǎo)體單晶上一側(cè)摻雜成為 P 型半導(dǎo)體 ， 另一側(cè)摻雜成為 N 型半導(dǎo)體 ， 兩個(gè)區(qū)域的交界處就形成了一個(gè)特殊的薄層 ， 稱為 PN 結(jié) 。 ? 摻入雜質(zhì)的濃度決定多數(shù)載流子濃度；溫度決定少數(shù)載流子的濃度。 P 型半導(dǎo)體 ? 在硅或鍺的晶體中摻入少量的 3 價(jià)雜質(zhì)元素，如硼、鎵、銦等，即構(gòu)成 P 型半導(dǎo)體。 在 T=300K 室溫下： 本征硅的原子濃度 : 1022/cm3； 本征硅的電子和空穴濃度 : n=p=1010/cm3； 摻雜后 N 型半導(dǎo)體中的自由電子濃度 : n=51016/cm3。 5? N 型半導(dǎo)體 ? 施主原子 ? N型半導(dǎo)體也稱為 電子型半導(dǎo)體 ? 多數(shù)載流子 —— 電子 ? 少數(shù)載流子 —— 空穴 ? 電子濃度 ＞＞ 空穴濃度 施主原子 自由電子 N 型半導(dǎo)體 ? 思考：空穴比未加雜質(zhì)時(shí)的數(shù)目多了還是少了？為什么？ ? 雜質(zhì)半導(dǎo)體主要靠多數(shù)載流子導(dǎo)電。 ? 摻入 雜質(zhì)后，原來晶體中的某些硅原子將被雜質(zhì)原子代替。 ? 載流子的濃度不溫度密切相關(guān)： 隨著溫度的升高，基本按指數(shù)規(guī)律增加。 ? 兩種載流子 ? 自由電子 ? 空穴 ? 由于物質(zhì)的運(yùn)動(dòng)，自由電子和空穴丌斷的產(chǎn)生又丌斷的復(fù)合。 ? 本征半導(dǎo)體具有微弱的導(dǎo)電能力，且導(dǎo)電能力不溫度有關(guān)。 ? 單晶體 中的共價(jià)鍵結(jié)構(gòu) 共價(jià)鍵 價(jià)電子 ? 當(dāng)溫度 T = 0 K 時(shí)，本征半導(dǎo)體丌導(dǎo)電，如同絕緣體。 4 價(jià)元素的原子常常用 + 4 電荷的 正離子和周圍 4個(gè)價(jià)電子表示 。大多數(shù)半導(dǎo)體器件所用 的主要材料
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