hdi微孔技術(shù)研究-程-文庫(kù)吧資料
2025-05-18 15:54本頁(yè)面
【正文】 V）； 無(wú)夾具（低的 NRE成本）； 批量生產(chǎn)能力：每小時(shí)大于 2平方米或每秒測(cè)試 200到 400個(gè)點(diǎn)。要求貼膜前擦板。在催化反應(yīng)中，板被含單體的溶液潤(rùn)濕。 流程 : 溶劑調(diào)整 → 高錳酸鹽 → 清洗 → 催化劑 → 固定 → 干燥 高錳酸鹽與樹(shù)脂反應(yīng)的二氧化錳殘留于樹(shù)脂與玻璃布表面，是氧化劑。微蝕是去除銅表面、有效焊盤(pán)及互 連面多余的石墨，在非金屬面上留下導(dǎo)電且連續(xù)的石墨涂層。另一種是使用高度晶體結(jié)構(gòu)的合成石墨直 徑約為 10000X1010,為各向異性導(dǎo)電 ,其中石墨覆蓋層比碳黑覆蓋層的電阻更低 . 石墨基工藝 利用石墨顆粒穩(wěn)定的分散來(lái)涂覆到 PWB基材表面上 . 流程 : 清潔 /調(diào)整 → 石墨 → 固定劑 → 空氣刀 /干燥 → 微蝕 調(diào)整溶液在樹(shù)脂和玻璃表面上產(chǎn)生正電荷 ,吸附帶負(fù)電荷的石墨顆粒從而覆于 PWB的表面上 ,石墨顆粒與調(diào)整劑的反應(yīng)的結(jié)果引起粘結(jié)劑分子與調(diào)整劑表面上的活 性氫基的耦合 .,從而在樹(shù)脂與玻璃上提供了一個(gè)穩(wěn)定的石墨膜 .未與調(diào)整劑反應(yīng)的多 余石墨必須在干燥前除去 .此時(shí)采用安裝空氣刀，再用酸性固定劑中和粘結(jié)劑表面的 活性基團(tuán)來(lái)去除多余的石墨，并沉淀下來(lái)，再通過(guò)噴淋沖洗將沉淀清洗掉。 涂樹(shù)脂銅箔（ RCF） 僅用于孔徑與芯板厚度為低厚徑比的板上。 導(dǎo)電膠 產(chǎn)品有 Dupont的 BiooViaPlug； CB100（ 由銀、銅及環(huán)氯樹(shù)脂制成的網(wǎng)印膠）。 Noda Screen 平面堵孔（ flat plug） 工藝中用于永久性堵塞通孔 最常用材料包括雙固化（ UV固化 +熱固化）環(huán)氧樹(shù)脂、光致介質(zhì)材料、導(dǎo)電膠、單固 化（熱固化）環(huán)氧樹(shù)脂、阻焊印料及涂樹(shù)脂銅箔（ RCF）。主要材料有： Osada OMI Envision液態(tài)介質(zhì)材料等。 Shipley Multiposit 9500(液態(tài)介質(zhì)材料 )。 Envision PDD9015光致液態(tài)介質(zhì)絕緣材料 。 普通的熱的 KOH的濕法蝕刻工藝已經(jīng)用于聚酰亞胺膜中。 兩步工藝成孔：第一步用 UV： YAG激光去掉表面銅和部分介質(zhì)，第二步用低能 量密度的 UV： YAG激光或 CO2激光完成。較大的孔采用光學(xué)方法放大激光束，或?qū)⒐馐鲌A周運(yùn)動(dòng)挖孔（ trepanning） 或螺旋孔（ spiralling）。 成孔技術(shù) A。 D。 橫向受激光氣氛 TEA（ transverse excited atmospheric） CO2激光，脈沖持續(xù)時(shí)間根 據(jù)不同氣體混合調(diào)整，需外界供給氣體。激光源密封，無(wú)需外界供給氣體。 B。 UV二極管激勵(lì)的 UV： YAG， 其中三次諧波的 Nd： YAG波長(zhǎng) 355納米。高能量的光子可以打破有機(jī)材料的分 子長(zhǎng)鏈，其能量高于原分子能量，強(qiáng)制性從孔中彈出形成粉未，不會(huì)造成成孔四周熱 損傷?？妆谝滋蓟?，在鍍孔前需用去污工藝進(jìn)行清除。 光熱燒蝕（切除）： 激光波長(zhǎng)在 500納米到 10600納米之間。 一、 激光導(dǎo)通孔 激光鉆孔主要有 CO2激光和 UVYAG激光，與機(jī)械鉆孔的差異是用聚焦光束制
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